半導���мq策を報じたのは11月6日の日本経済新聞。それによると日��(sh━)が連携する2nmプロセスノードの先端�\術を研�|開発する拠点の�D�△北�3500億��、先端����の�攵喤点の�мqに約4500億��を充てる。さらに���]に�L(f┘ng)かせない�霑悩爐粒諒櫃砲�3700億��を���Tし、合��1.3兆��を投じるという。2nmプロセスノードの先端半導��を研�|・開発する研�|拠点は�Q内設��を�`指すとしており、20�Q代後半から開発・量��できる���U(ku┛)を構築することを�`�Yとする。

参加企業などの詳細を月内にも�o表する予定で、東�B�j(lu┛)学や�噞�\術総合研�|所、理化学研�|所などが�@を連ねるとしている。欧��(sh━)の企業や研�|機関とも連携するとしており、1�Q半�iに2nmプロセスノードのナノシート型GAA（Gate All Around）CMOS�\術を発表したIBMとの提携は最も可��性が高い。また欧�Δ糧焼���研�|所であるImecとの連携も�科�にありうる。Imecは11月7日に東�B港区でITF（Imec Technology Forum）Japanを開��(h┐o)するが、今�Qは、経済�噞省の野原諭��(hu━)、ウェスタンデジタルジャパン�i社長の小池���I��(hu━)、東�B�j(lu┛)学の��田忠広教�bの日本人が3�@も講演する。これほど�Hくの日本人がITF Japanで講演することは�i例がない。

先端半導��の�攵喤点向けの4500億��は、これまでの国内誘致の�мq�Yは21�Q度����予�Q（6170億��）と合わせると1兆��を��える。さらに�霑悩爐����]����の確保策の3700億��ではシリコンウェーハやSiCウェーハの供給��を��(d┛ng)化するとしている。

��(sh━)国が先端半導��の�潅耆⊇个悗����U(ku┛)をより��(d┛ng)化したことをやはり11月6日の日経が報じたが、ここでは日本とオランダの両国に�瓦靴徳甦�に��(sh━)国と同調するように圧��をかけた。��(sh━)国は中国の半導���噞が�j(lu┛)きくなることを懸念しており、��に半導�����]����では��(sh━)国のApplied Materials社とLam Research社、KLA社、日本の東�Bエレクトロン、オランダのASMLなどが��(d┛ng)いものの、��(sh━)国の���]�����sきでも日本とオランダから���]����を中国が�}に入れれば先端半導��を?y┐n)��]できる。このことを嫌って、日本とオランダも��(sh━)国に�{��するだろうと述べて圧��をかけた。

��(sh━)国は���]�\術や����だけではなく、人材に関しても中国との�D引を��実�峩慵Vしたと報じられた。人材をどのように���U(ku┛)するのか����的なことは��らかにされていないが、商��省長官のGina Raimondo��(hu━)が�Zくオランダを訪問することを��(sh━)国メディアが報じている。今�v、�潅翦焼�������輸出の���U(ku┛)が報じられたのは、Raimondo��(hu━)がLamやKLAと会合を�eった後だったため、��(sh━)国の半導�����]����メーカーのプレシャーが背後にあるようだ。

��(sh━)国の半導��メーカーo(j━)nsemiが�eつ新�觜�場を売却する��(sh┫)針を発表していたが、11月1日の日経は、日本��策投�@銀行や伊藤忠商��が出�@する投�@ファンドのマーキュリアホールディングスが�噞創成アドバイザリー、福�K銀行�Uの福�Kキャピタルパートナーズと組んで、onsemiの新�觜�場を�Aい�Dると報じた。11月3日の日経地��(sh┫)版では新�觚�の�}角英世��(m┬ng)��は2日の記�v会見で「今�vの経営の変��(g┛u)が地域��性化にもつながると期待している」と報じた。

翌4日には、onsemiのメディアアラートで、�峙�3社のファンドが新�襪�6インチウェーハ工場の売却で合�Tに達したと発表した。今�vの売却はonsemiのファブライト戦�Sを実行するためのステップであり、���]ネットワークの最適化により、売�崛躱W(w┌ng)益率の向�屬閥叛咾諒册杏�の縮小に貢献するものだと述べている。売却は2022�Q��4四半期に完了する予定だという。

図1　Onsemi社Intelligent Sensing GroupのシニアVP兼General ManagerのRoss Jatou��(hu━)　筆�v撮影

10月25日のonsemiのイメージセンサ戦�Sの会見では、新�觜�場はまだ�Aい�}がつかず通常の�攵�を��けている、と述べていた。ただ、外�陝淵侫．Ε鵐疋蝓砲汎��陝��O社工場）で�攵��ξ�を�\やしていると、同社Intelligent Sensing GroupのシニアVP兼General ManagerのRoss Jatou��(hu━)（図1）は述べている。GlobalFoundriesから�Aったニューヨーク�Εぁ璽好肇侫�ッシュキルの300mmラインではイメージセンサを量��しており、�攵��ξ�を倍�\させていると��けた��新�觜�場は6インチラインに�里泙�、�攵��ξ�が低いため新たに投�@するよりは300mmラインを�Aう��(sh┫)が戦�Sに見合うと考えたのではないだろうか。

参考�@料
1. 「IBM研�|所が2nmプロセスで500億トランジスタのICチップを試作」、セミコンポータル (2021/05/07)