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半導��バブルが終わり、�実な成長期へ向かう気配

2018年8月20日｜週間ニュース分析

半導��業がメモリバブルを脱却し、ようやく�実な成長期にやってきそうだ。�湾の主要IT19社の業績が発表され、7月の売�幢Yは�i�Q同月比13.5%�\になった、と15日の日経�業新聞が報じた。NANDフラッシュは歩�里泙蠅�屬�蠕��蟀@は�Vまってきた。長期的にAI（機械学�{・デ��璽廛蕁璽縫鵐亜砲鮖箸辰娠��が広がっている。 [→�きを読む]

NANDフラッシュ、単価下落でも売�幢Yは�\加

$NANDフラッシュ、単価下落でも売�幢Yは�\加$

2018年8月17日｜�x場分析

NANDフラッシュの�給�X況は、供給が�要を��vり、単価が下がっている。��2四半期（2Q）には、単価は�i四半期比10%�度下落した。しかしビット�要が高まり、2Qの販売�Yは3.5%�峺�した、と�x場調�h会社のTrendForceが発表した。メモリ単価の下落はビット�要を押し�屬家稜糀Yはむしろ�\加する、という本来のメモリビジネスを�Dり戻した。 [→�きを読む]

DRAMの単価�峺�がようやくピークに、ビット数量が�\�j

$DRAMの単価�峺�がようやくピークに、ビット数量が�\�j$

2018年8月14日｜�x場分析

DRAMの�攵盋がようやく�屬�辰討④�。2018�Q��2四半期における世�cのDRAM販売�Yは�i四半期比11.3%�\の256億9100万ドルと史�嶌嚢發鮨�しながらも、DRAMモジュールの平均単価は同3%しか�屬�辰討い覆�。この売�幢Yは�湾�x場調�h会社のTrendForceが調べたもの（参考�@料1）。 [→�きを読む]

半導��関連の宴は終わりなのか

2018年8月13日｜週間ニュース分析

半導��]��が�k�K、という��点で7月�に記�(参考�@料1)を執筆したが、8月11日の日本経済新聞は敏感に反応、「半導��関連、宴の終わり？」というタイトルを��韻拭�莉気�、というべきだがAIがあらゆる�業に浸透し始めたことが報�Oされている。AIが定�するようになるとAIチップも浸透するようになる。巨�jな�x場になりそうだ。 [→�きを読む]

DRAMバブル、今�Qいっぱい�きそう

2018年8月10日｜�x場分析

DRAMは今�Qも�j幅な成長を�~げそうだ。�x場調�h会社のIC Insightsは（参考�@料1）、2018�QのDRAM販売�Yは、�i�Q比39%�\の1016億ドル（11兆�）になるという予�Rを発表した。昨�QのDRAMは75%�度の成長だったが、その勢いは収まらないため、当初は24%成長とみていたが、��巨T�したことになる。 [→�きを読む]

データセンターのストレージシステムが変わりそうだ。巨�jなCPUを集め、巨�jなストレージをつなぐことのできるデータセンター向け�j��模ストレージシステムを新インターフェース��格NVMe（Non-Volatile Memory Express）でつなぐようなシステムに向け、共�~型の高�]ストレージへと向かうという。��Pure Storage社が�j��模システムに向けた高�]ストレージ��FlashArray IIXファミリを発売する。 [→�きを読む]

50周�Qを迎える国際�w��素子材料コンファレンス

2018年8月 7日｜会議報告（プレビュー）

半導��の学会として日本で出発、発�tしてきた国際�w��素子材料コンファレンス（SSDM: International Conference on Solid State Devices and Materials）が今�Q50周�Qを迎える。現在の半導��業が隆�rを迎えた背景には、さまざまなエンジニアや研�|�vの努�がある。今�vは9月9日から13日まで東�B�j学本��鮗�(図1)で開�する。通常の講演やショートコースに加え、��別シンポジウムやインダストリセッションのイベントもある。 [→�きを読む]

スマホを値�屬欧靴討盻于搗�数を維�eできたApple、時価総�Y1兆ドル突破

2018年8月 6日｜週間ニュース分析

�盜饂��7月31日、Appleを巡る二つのニュースが発表された。�x場調�h会社のIDCから世�cの出荷�数でAppleが2位から3位に落ちた、という負のニュースが出た�k��、Appleが時価総�Y1兆�を突破した、という�のニュースも発表された。どちらも�しい。なぜ�h価が分かれるように見えるのか。その�j本の原因はメモリバブルにある。 [→�きを読む]

7月に最もよく読まれた記�は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ

2018年8月 3日｜�Q月のトップ5

7月に最もよく読まれた記�は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東�メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルを�eち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル�擬阿鮑涼�したもの。平�C�屬�1ビットに相当する�覦茲任△蠅覆��、96セル×4ビット/セルの384ビット（48バイト）分の高いメモリ密度を�eつ。 [→�きを読む]