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来Qの半導設投@はメモリバブルがはじけてk段落

NANDフラッシュメモリやDRAMなどメモリの歩里泙蠅屬り、攵僯Δ]が揃ってきたため、]噞は踊り場に来ている。今Qも3四半期までメモリバブルがき、2018QはiQ比9.7%\の621億ドルに達したが、19Qは4%(f┫)の596億ドルになる、とSEMIは予Rした。

図1 世c半導]x場 出Z:SEMI

図1 世c半導]x場 出Z:SEMI


来Qはマイナス成長としたのは、f国の設投@が23%(f┫)とj(lu┛)きく後することを見込んだためだ。メモリバブルの反動が来Q間違いなく`立つようになる。2019Qのx場からf国を除くと、19Qはk転して3.1%成長となる。このことは、メモリに投@してきたf国が来Q、メモリ投@を抑えることをT味する。2017Qは3D-NANDへの投@が発に行われていたが、18Qはやや落とし、19Qはj(lu┛)きく落とすことになる。

実際、f国Samsungの投@YをIC Insightsが見積もっており、2017QはiQ比で2倍以屬242億ドルを投@したが、18Qは226億ドルに(f┫)る見通しだ(図2)。19Qはさらに20%(f┫)の180億ドルに落ち込むという。SK Hynixは、2018QにSamsungとは逆に、58%\の155億ドルにしたものの、19Qは22%(f┫)の100億ドルに下がると見ている。


Samsung's Annual Semiconductor Capex Trend

図2 Samsungの設投@の推 ―儘Z: IC Insights


SEMIの見通しによると、半導]の内のウェーハプロセス(i工)x場は、18Qに10.2%\の502億ドルとなる。ウェーハプロセスでの]以外の、純水や搬送設△覆匹寮や、T晶ウェーハ]、マスク/レチクル]などのユーティリティは、0.9%\の25億ドル、組み立ておよびパッケージングx場は1.9%\の40億ドル、テストx場が15.6%\の54億ドルとなる見込みだ。

19Qはf国がj(lu┛)きくマイナスになるものの、それでも132億ドルでトップを維eすると見ている。2020Qには19Qに抑えた設投@を再開し、20.7%\の719億ドルに達すると予Rする。ただし、メモリバブルのような人為的なメモリ単価の高Vまりがない限り、IoTやディープラーニング(AI)のようなメモリ、にDRAM応は、x場は次に膨らんでいく。

参考@料
1. 半導]、今Qも2桁成長、とSEMI予R (2018/07/10)

(2018/12/13)
ごT見・ご感[
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