���R�_・検�h・検証

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EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（2）〜マスク検�h

 2013年5月31日 ｜会議報告（プレビュー）

EUVは����を透�圓靴笋垢�X線の�k�|であるため、光学�Uにはレンズではなく反�o��を�W(w┌ng)��する。反�o光学�Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構�]を採っている。ここに�L陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無�L陥にしたい。マスク検�hは不可�Lである。 [→��きを読む]

EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（1）〜��要

 2013年5月31日 ｜会議報告（プレビュー）

EUVのマスク、レジスト�\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最�Zの��動報告を行った(図1)。�S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光����を開発しているが、EIDECは露光����以外のEUV基本�\術を�pけ�eつ。出�@は国内13社で、�L外5社も共同研�|で参加、��原��作所とレーザーテックは����開発パートナーとして参加、3�j学と�噞�\術総合研�|所も参加する�k�jコンソーシアムだ(図2)。 [→��きを読む]

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