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Q月のトップ5

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先月最もよく読まれた記は東の3D-NANDフラッシュ

先月最もよく読まれた記は東の3D-NANDフラッシュ

2015Q3月に最もよく読まれた記は、東の3次元NANDフラッシュメモリに関する記だった。 これは、サムスンの発表よりもれること1Q半、東も3D-NANDを?y┐n)化したというニュースだ。東は、微細化を優先したの?0nm時代に入ると同時に3D-NANDに々圓垢觴画だったから、予定を早めたことになる。 [→きを読む]

2月に最もよく読まれた記はNANDフラッシュの勢図変化

2月に最もよく読まれた記はNANDフラッシュの勢図変化

2015Q2月に最もよく読まれた記は、「NANDフラッシュ、j(lu┛)}トップ3社を下位3社が{いかける」であった。NANDフラッシュは長Q、1位Samsung、2位東、3位San Disk、4位Micron、5位SK Hynix、6位Intelという順位であった。岼3社はiQ比ややマイナス成長だが、下位3社は2桁成長という勢いである。 [→きを読む]

10月に最もよく読まれた記はInfineonの200mm/300mmライン

10月に最もよく読まれた記はInfineonの200mm/300mmライン

2014Q10月に最もよく読まれた記は、「Infineonの完O動化200mmラインとパワー半導300mmラインを見た」であった。これは、久しぶりに半導工場を見る機会にLまれ、そのX(ju└)況についてレポートしたもの。300mmのパワー半導ラインよりも200mmの完O動化ラインの(sh┫)が素晴らしいアイデアが満載されていることを紹介した。 [→きを読む]

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