8月に最もよく読まれた記は嵌彰の世c半導ランキング
2015Q8月に最もよく読まれた記は、「2015Q嵌彰世c半導トップランキング」だった。これは今Qの1〜6月の世c半導のトップ20社ランキングをx場調h会社のIC Insightsがまとめたもので、直Zの景況をよく表している。
2位の「Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量凮始」のニュースは、量凮始がキモであり、そのiの東の48層256Gビット3次元NANDは開発発表だった。
3位「東の不適切会問報Oの真相は?」は、7月の記であるが、東の不会は内霍霹もあり、内霙h報告書の要約版を東がo表し、次にらかになってきている。もうk度、最初の記を見たのではないだろうか。
4位の「IntelとMicron、クロスポイント型不ァ発性メモリをサンプル出荷へ」は常にインパクトのある内容だった。この記の後、業cでは衝撃が走っていた。みんなこのクロスポイントメモリの内容がもっとらかになることを、かたずを飲んで見守っている。128Gビットを作り、その完成度の高さもR`されている。
5位の「Micron(旧エルピーダ)、モバイルDRAMでHynixに`される」の記では、DRAMのx場がパソコン向けからモバイル向けにjきく変わっているため、モバイルへの官を読み違えたMicronが出荷量をらしたことを伝えた。