��2位の「Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量�凮始」のニュースは、量�凮始がキモであり、その�iの東��の48層256Gビット3次元NANDは開発発表だった。

��3位「東��の不適切会��問��報�Oの真相は?」は、7月の記��であるが、東��の不��会��は内�霍霹�もあり、内�霙��h報告書の要約版を東��が�o表し、次��に��らかになってきている。もう�k度、最初の記��を見たのではないだろうか。

��4位の「IntelとMicron、クロスポイント型不ｧ発性メモリをサンプル出荷へ」は��(r┫n)常にインパクトのある内容だった。この記��の後、業�cでは衝撃が走っていた。みんなこのクロスポイントメモリの内容がもっと��らかになることを、かたずを飲んで見守っている。128Gビット��を作り、その完成度の高さも�R�`されている。

��5位の「Micron(旧エルピーダ)、モバイルDRAMでHynixに�`される」の記��では、DRAMの�x場がパソコン向けからモバイル向けに�j(lu┛)きく変わっているため、モバイルへの�官�を読み違えたMicronが出荷量を��(f┫)らしたことを伝えた。