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Q月のトップ5

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7月に最もよく読まれた記は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ

7月に最もよく読まれた記は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ

7月に最もよく読まれた記は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルをeち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル擬阿鮑涼したもの。平C屬1ビットに相当する覦茲任△蠅覆ら、96セル×4ビット/セルの384ビット(48バイト)分の高いメモリ密度をeつ。 [→きを読む]

6月に最もよく読まれた記は、OSATの世cランキング

6月に最もよく読まれた記は、OSATの世cランキング

2018Q6月に最もよく読まれた記は、「半導後工佗OSAT世cトップテンランキング」であった。これは、湾のx場調h会社TrendForceがまとめた世cの後工企業のトップテンランキング。1位のASEをはじめとして順位の変化はそれほどないが、OSATに咾ゑ湾が5社入っている他、中国も3社入っている。 [→きを読む]

4月に最もよく読まれた記は東メモリの売却れ

4月に最もよく読まれた記は東メモリの売却れ

2018Q4月の最もよく読まれた記は「東がなかなか売却できない東メモリはどこへ行く?」であった。この記はKによる記で、東が東メモリをSK HynixやBainCapitalを含む外国勢に売却する疑砲]ち出したが、独禁V法の審hで中国Bの認可がまだ下りず、いまだに宙に浮いているXを表している。通常9カ月もかかる中国での審hに瓦靴6カ月とみる経営陣の甘さも指~している。 [→きを読む]

3月に最もよく読まれた記は直Zの世c半導ランキング、T版も

3月に最もよく読まれた記は直Zの世c半導ランキング、T版も

2018Q3月に最もよく読まれた記は、「直Zの世c半導ランキング、メモリメーカーが躍進」であった。これは2018Q4四半期の半導売り屬欧寮つcランキングを調hしたGSA(Global Semiconductor Alliance)のレポートを元に解説したもの。売幢Yトップから25位までの半導メーカーをファブレス、IDMを含めて順位けしている。 [→きを読む]

2月に最もよく読まれた記は、フラッシュメモリの価格下落

2月に最もよく読まれた記は、フラッシュメモリの価格下落

2018Q2月に最もよく読まれた記は、「フラッシュメモリは平時の値下がり曲線に乗りつつある」であった。これは2018Qに入り、NANDフラッシュメモリの価格が下がってきたことを報じたもの。だからと言って不況が来るわけではない。メモリは毎Q緩やかに値下がりしながら要を拡jしてきた半導。いわば健な値下がりになれば、これまでのバブルと違い、健な成長につながる。 [→きを読む]

東メモリの売却れを懸念する記に関心集中

東メモリの売却れを懸念する記に関心集中

11月に最もよく読まれた記は10月と同様、「中国恐るべし! 東メモリ売却は本Q度までに完了できない恐れ」であった。これは東が東メモリの売却先をようやくめたが、それだけでは3月までに売却できないことを唆した記。メモリを世cQ地で売るためにはQ地の当局が独禁法に違反していないことを認めなければ販売できない。 [→きを読む]

10月に最もよく読まれた記は、東メモリ売却の記

10月に最もよく読まれた記は、東メモリ売却の記

2017Q10月に最もよく読まれた記は、「中国恐るべし! 東メモリ売却は本Q度までに完了できない恐れ」であった。これは、中国が東メモリに瓦靴篤磐禁V法にB触するかどうかの審hをすんなり通さないことをブロガーのKが議bした記。中国のファンドは盜馮焼のA収を殤Bよりできなくなったこと、中国が東メモリとの合工場を建設していること、東メディカルシステムの売却に9ヵ月かかったこと、などをその理yに挙げている。 [→きを読む]

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