��2位の「東��がなかなか売却できない東��メモリはどこへ行く?」は、4月に最もよく読まれた記��だったが、5月に入ると2位に落ちた。

��3位の「中国の国策で半導��メモリ�攵�が始まろうとしているが･･･」はブロガーの�K����による中国の半導����情を述べた記��で、中国でメモリ工場を3社が建設を進めており、量��はまだだが、世�cの情勢を見ながらうまくすみ分けている様子を表している。

��4位は「�`出が��まった東��メモリ」である。この記��は東��メモリが独��禁�V法に�B触していないかどうかを、�Q国ごとにチェックするわけだが、最も時間のかかる中国の�R認が下りたため、東��メモリはようやくスタートできることになったことを伝えた。

��5位は「Intel/MicronがNAND関係を再�啣宗�4ビット/セルの64層を����認定」である。数カ月�iにIntelとMicronは今後の3D-NANDの開発と販売を、それぞれで進めていく、と協��関係を薄める�妓�を発表したばかりだった。しかし、さらなる�j容量化のために4ビット/セル�\術を両社が協��して進めていく�疑砲���らかにした。両社の3D-NANDは東��やSamsungと�jきく違う。シリコンに深い穴を�Eらない。BEOL工��で浮�^ゲートを64層にわたって形成していく。4ビット/セルで64層の3D-NANDフラッシュの顧客の認定を�D�uしたとしている。