面柜の柜忽で染瞥攣メモリ欄緩が幌まろうとしているが帴帴帴
面柜蠟紹は、2014鉗6奉、廷掐に完り磊っていた染瞥攣瀾墑の柜緩步を謄回して≈柜踩IC緩度券鷗夸渴ガイドライン∽を給山し、2030鉗までに、坤腸トップクラスの染瞥攣メ〖カ〖を面柜柜柒で伴喇するという謄篩を非げた。面柜柜壇薄は、2015鉗5奉に≈面柜瀾隴2025∽と鈣ばれる極惦紛茶を券山し、附哼は20%の極惦唯を2020鉗には40%、25鉗には70%に苞き懼げることを謄回している。
勢(shì)トランプ蠟涪が面柜に灤して動(dòng)古な沸貉擴(kuò)痕忽をとるようになってきたため、面柜は、染瞥攣極惦極顱をさらに締がなければならなくなってきた。面柜蠟紹は2014鉗に1390帛傅憚滔の染瞥攣抨獲ファンドを料肋しているが、さらに3000帛傅∈腆5名邊∷憚滔の叼絡(luò)ファンドを奪く料肋するとも苯されている。勢(shì)面飼白肅護(hù)が楓步する面、いよいよ丸鉗は、面柜蠟紹の柜忽により染瞥攣メモリ欄緩傅鉗となる材墻拉が光まってきた。
附哼、面柜では、嘲柜廓である躥柜Samsung Electronicsと勢(shì)Intelの3D-NANDフラッシュメモリ 翁緩供眷∈それぞれ讕奧と絡(luò)息∷、躥柜SK HynixのDRAM翁緩供眷∈痰尖∷がフル蒼漂しており、籠緩紛茶も渴乖面である。メモリではないが、ファウンドリ∈染瞥攣の減瞞瀾隴∷坤腸呵絡(luò)緘、駱涎姥攣排烯瀾隴∈TSMC∷の300mm糠供眷∈祁疊輝∷も、まもなく、面柜杠狄羹け減瞞欄緩を倡幌する。
これに灤して、面柜蠟紹は、勢(shì)面飼白肅護(hù)の面にあって、柜忽で染瞥攣禍度の極惦極顱攣擴(kuò)を蛇くため、とりわけ柜柒染瞥攣メモリ緩度伴喇に廄爬を碰てている。面柜獲塑の染瞥攣メモリ3絡(luò)メ〖カ〖が鉗柒にも蒼漂を倡幌しようとしている。その3家とは、
ˇ藍(lán)糙葷各礁媚槐布のYMTC∈Yangtze Memory Technologies Co、墓咕賂藤彩禱∷/ XMC∈紳戳糠磕礁喇排烯∷∈感頌臼紳戳輝∷
ˇInnotron∈奠Hefei Chang Xin、圭阮墓垛礁喇排烯∷∈奧但臼圭阮輝∷
ˇJHICC∈Fujian Jin Hua Integrated Circuit、省氟臼陂糙姥攣排烯∷∈省氟臼陂咕輝∷
である。漿奪士柜踩肩朗は2018鉗4奉26泣、熟夠の藍(lán)糙絡(luò)池槐布の藍(lán)糙葷各礁媚の疥銅するYMTC/XMCのNANDフラッシュメモリ倡券ˇ活侯凋爬∈感頌臼紳戳輝∷を渾弧した。XMCには望詭動(dòng)儉陵も候鉗渾弧に爽れており、染瞥攣メモリ極惦極顱に灤する面柜碰渡の袋略の光さをうかがわせた。
これら3家は、碰燙、それぞれうまくすみ尸けており、YMTCはNANDフラッシュメモリ、InnotronはモバイルDRAM、 JHICCはスペシャリティ∈潑檢脫龐∷DRAMを么碰する。3家はいずれも、2018鉗瑣までに活賦欄緩を倡幌し、2019鉗に塑呈弄欄緩を幌める徒年である。
Innotronの供眷氟肋は、2017鉗6奉に姜わり、2017鉗媽3煌染袋に瀾隴肋灑の肋彌が乖われた。しかし、海のところInnotronは、稿揭のJHICC票屯に、活侯欄緩を2018鉗稿染に變袋し、2019鉗に塑呈欄緩を徒年しているが、碰介の券山徒年よりはかなり覓れている。
駱涎に塑凋を彌く染瞥攣輝眷拇漢柴家TrendForceによれば、≈Innotronは、呵介の瀾墑としてLPDDR4 8Gbチップを聯(lián)んでトップDRAMメ〖カ〖と頂凌しようとしているが、嘲柜潑釣刊巢の材墻拉が光い。柜狠恕によって年められた夢(mèng)弄衡緩涪の艱評(píng)などを渴める澀妥がある∽という。Innotronは、勢(shì)Micron Technologyにより傾箭された駱I(yè)notera Memoriesの漣驕度鎊らを驢眶何脫し、DRAM禱窖瞥掐したといわれているが、これに灤してMicronは怠泰硼脫で潦えを彈こしている。
潑檢脫龐羹けDRAMの瀾隴を謄回すJHICCは、2016鉗7奉に省氟臼扛咕輝に300mmウエ〖ハ供眷を氟肋する紛茶を券山し、すでに階供している。しかし、 票家は、潑檢脫龐DRAM瀾墑の活侯を2018鉗媽3煌染袋まで變袋し、翁緩も2019鉗に變袋している。DRAM瀾隴禱窖は駱涎UMCより瞥掐しているというが、ファウンドリであるU(xiǎn)MCは、井憚滔な寥み哈みDRAM瀾隴の沸賦はあっても睛脫DRAM瀾隴の沸賦はない。こちらもMicron との粗に禱窖硼脫の潦舉を豎えている。Micron Taiwanの家鎊がUMCの家鎊にDRAM瀾隴に簇する怠泰禱窖攫鼠を畔し、それがJHICCに萎れたとして、駱涎の焚弧碰渡は、すでに剩眶の客濕を籮梳している。
面柜の柜柒NANDフラッシュメモリ度腸では、2016鉗12奉瑣にYMTCのNANDフラッシュメモリ凋爬が彈供し、3つの3D-NANDフラッシュ瀾隴供眷が3つの檬超で界肌菇蜜されるよう墓袋紛茶を惟てている。240帛ドルもの叼馳を抨じると帕えられている。媽1袋ファブの氟肋は2017鉗9奉に窗位し、瀾隴肋灑の肋彌は2018鉗媽3煌染袋に倡幌する徒年である。媽1袋ファブは塑鉗媽4煌染袋にも活侯欄緩を倡幌する徒年である。媽1袋ファブでは、碰介は、32霖MLC∈2ビット/セル∷3D-NANDフラッシュメモリを欄緩するとしている。TrendForceによれば、64霖肋紛を窗喇させた稿の覺斗に炳じて、媽2檬超および?jì)?檬超のファブ氟肋とその欄緩紛茶を渴めるという。3D-NAND瀾隴禱窖は、勢(shì)Spansion (附哼は勢(shì)Cypress Semiconductorに帝箭圭駛)から瞥掐しているとしているが、どう斧ても頂凌蝸のある禱窖ではないだろう。
悸狠は、駱涎、躥柜、泣塑はじめ坤腸面の染瞥攣禱窖莢や沸蹦創(chuàng)嬸を辦塑泥りしたり、瀾隴劉彌メ〖カ〖を奶して禱窖箭礁したりしているとの斧數(shù)が銅蝸である。票家の科柴家である葷各礁媚は、候鉗、澎記メモリを傾箭しNAND禱窖瞥掐を哭ろうとしたが、沸貉緩度臼の瓤灤で掐互さえ們前せざるを評(píng)なかった。それ笆漣にも、勢(shì)Micron Technologyに傾箭捏捌したが、勢(shì)柜碰渡の拆掐で傾箭はできなかった。附トランプ蠟涪布では、勢(shì)柜メ〖カ〖の傾箭や禱窖瞥掐は冷司弄である。葷各礁媚は、懼揭の紳戳笆嘲にも喇旁や祁疊にも染瞥攣メモリ供眷氟肋紛茶を惟ててはいるが、禱窖艱評(píng)のめどが惟っておらず、惡攣步していない。
面柜廓の呵絡(luò)の草瑪は、呵糠瀾隴禱窖や客亨、夢(mèng)弄衡緩涪をいかに澄瘦するかである。面柜廓は、長(zhǎng)嘲措度のM&Aによる禱窖瞥掐の蘋が冷たれてしまったからには、長(zhǎng)嘲の客亨の辦塑泥りで禱窖を懲評(píng)するしかないだろう。駱涎、躥柜、勢(shì)柜の蠟紹や黎渴措度は、この爬に坷沸をとがらせている。泣塑に荒された停辦のメモリメ〖カ〖である澎記も票屯だろう。駱涎では、呵奪、怠泰攫鼠をもって∈々∷面柜メ〖カ〖に啪喀する禱窖莢や沸蹦創(chuàng)嬸が締籠し、駱涎蠟紹は艱り涅まりを動(dòng)步している。躥柜蠟紹も禱窖の長(zhǎng)嘲萎叫に灤する借瘸を動(dòng)步している。
このため、面柜獲塑のメモリメ〖カ〖の紛茶は、呵糠禱窖艱評(píng)の氦豈さで覓れがちであり、たとえ欄緩倡幌しても、惟ち懼がりには箕粗を妥するだろう。フル蒼漂するのは2020鉗洛にずれ哈む材墻拉が光い。また、長(zhǎng)嘲に任卿しようとすると、黎乖稱家の潑釣の噬が更く、驢馳の潑釣蝗脫瘟を毀失わない嘎り驢くの潦舉を豎えることになるだろう。面柜蠟紹は柜柒で染瞥攣客亨伴喇にも蝸を掐れているが、これには箕粗がかかる。これらさまざまな草瑪を豎える面柜廓がどのような里維をとって染瞥攣極惦極顱攣擴(kuò)を玲袋に澄惟するか廟謄される。
