隸叫が瘋まった澎記メモリ
澎記メモリの卿笛黎である≈泣勢躥息圭∽がようやく瘋緬した。5奉17泣に澎記は、息馮灤據の灰柴家である澎記メモリを、Bain Capital Private Equityを即とするPangea家に均畔することを謄回してきたが、荒っていた辦嬸頂凌恕碰渡の鏡千を艱評した、と券山した。この碰渡とは面柜蠟紹のこと。均畔窗位の禍壇緘魯きを沸て6奉1泣に均畔を窗位する徒年だという。
この息圭には、Bainに裁え、躥柜SK Hynixが突獲するほか、勢Appleや勢Dellも庭黎臭を苞き減ける妨で裁わる。泣塑廓ではHOYAが叫獲する。澎記も4充鎳刨の叫獲を瘦つ。澎記は、澎記メモリの卿笛によって1名邊笆懼の卿笛弊を評る。これによって、臭肩獲塑孺唯は4充鎳刨まで攙牲する斧哈みだが、澎記が排蝸ˇエネルギ〖のインフラ簇犯をはじめとする緩度脫尸填で、どのように欄きていくのか、その數克はまだ績されていない。
澎記メモリはNANDフラッシュとそれを蝗ったカ〖ドやSSDを肋紛欄緩する措度である。泣塑鏈攣がかつてDRAMを嘉てシステムLSIへ律を磊り侖えながらも、澎記はフラッシュメモリを積っていたおかげで、染瞥攣メ〖カ〖トップテン笆柒に荒ることができた。かつて、ある創嬸にインタビュ〖したとき、たまたまフラッシュを積っていたおかげです、と塑不を胳ってくれたことがある。悟凰に≈たらˇれば∽はないが、フラッシュを積っていなかったら、海の澎記はなかったといえる。
フラッシュメモリの悸脫步はIntelの啡掠排廈羹けNORから幌まった。それも澎記の傅エンジニアだった瀝鉑少晃勺會がIEDMで呵介に券山した。その廈を勢Electronics伙が淡禍にしたとき、Intelに滇めたコメントでは、Intel家はフラッシュメモリを容年しておきながら、その染鉗稿にフラッシュメモリ倡券を券山していた。その脫龐としては、啡掠にメ〖ルアドレス鎳刨の井推翁瀾墑から叫券した。繼靠唬逼のような絡推翁も澀妥になったことから、光廬だが井推翁のNORから、你廬でも絡推翁のNANDへとシフトしていった。そしてデジタルカメラ、さらにはスマ〖トフォンへと脫龐が橙磨してきた。さらにパソコンや、塑呈弄なストレ〖ジ脫龐も倡けてきた。この黎もしばらく4×5鉗黎はフィンテックのストレ〖ジをHDDからSSDへ彌き垂えるという瓢きが魯くためだ。NANDフラッシュへの妥滇は碰尸魯くだろう。
澎記メモリは、この黎もストレ〖ジデバイスとしてのフラッシュメモリの箕洛は魯くが、DRAMとフラッシュとのギャップを雖める≈ストレ〖ジクラスメモリ∽への瓢きは締である。X-Pointメモリのブランド嘆≈Optane∽ストレ〖ジをIntelは、ストレ〖ジクラスメモリという疤彌づけに彌くようになった。裁えて、ストレ〖ジクラスメモリの塑呈弄なメモリとしての疤彌を晾うSTT-MRAMの睛脫步も幌まった。だからこそ、ポストNANDフラッシュとなるメモリの倡券を締がなければなるまい。慮泡Samsungにこだわり魯けると、ポストNANDフラッシュの頂凌に叫覓れる恫れもある。
また、RAMは海稿、AIの洛山弄な禱窖であるCNN∈決み哈みニュ〖ラルネットワ〖ク∷をモデルとするディ〖プラ〖ニングの緘恕にも絡翁に蝗われる。ニュ〖ロン眶とレイヤ〖眶ごとにRAMを蝗う。ニュ〖ラルネットワ〖クのレイヤ〖ごとにデ〖タを叫し掐れするからだ。RAM瓢侯が稍帶券拉になれば、久銳排蝸が呈檬に布がりモバイルレベルのディ〖プラ〖ニングの夸俠瓢侯は材墻になる。STT-MRAMをはじめとするストレ〖ジクラスメモリは5鉗黎にはディ〖プラ〖ニングとセットで絡翁に斧哈まれる。澎記メモリがポストNANDフラッシュの倡券をリ〖ドできれば、AIでもリ〖ドできるようになろう。
