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7月に最もよく読まれた記は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ

7月に最もよく読まれた記は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルをeち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル(sh┫)式を採したもの。平C屬1ビットに相当する覦茲任△蠅覆ら、96セル×4ビット/セルの384ビット(48バイト)分の高いメモリ密度をeつ。

2位の「半導]、今Qも2桁成長、とSEMI予R」は、半導]の成長見通しを昨Q暮れのSEMICON JapanでSEMIが発表していたが、今vのSEMICON Westで見通しを?j┼n)?sh┫)Tした発表を報じた。

3位「メモリ半導の今:Samsungの最先端、3D XPoint連携、中国の攵僝」は、長見晃(hu━)がまとめ、高]DRAM、3D-NAND、3D-Xpointなどメモリの最新動向を伝えた記である。

4位「半導後工佗OSAT世cトップテンランキング」は、先々月の記だが、あまり発表されないOSATのランキングなので、少しずつ読まれているようだ。

5位の「f国でなかなか育たないメモリビジネス情―f国Bのe(cu┛)機感」はK(d─n)(hu━)がまとめた記で、脱メモリを20Q以iから唱えていてもやはりメモリ開発を進めてしまうf国のメモリj(lu┛)}メーカーの実をbじている。この記のきは、8月2日に掲載されている。

ごT見・ご感[
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