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先月最もよく読まれた記は東の3D-NANDフラッシュ

2015Q3月に最もよく読まれた記は、東の3次元NANDフラッシュメモリに関する記だった。
これは、サムスンの発表よりもれること1Q半、東も3D-NANDを化したというニュースだ。東は、微細化を優先したのち10nm時代に入ると同時に3D-NANDに々圓垢觴画だったから、予定を早めたことになる。

その次の「NANDフラッシュ、j}トップ3社を下位3社が{いかける」もNANDフラッシュに関する記で、少ないプレイヤーのx場でのランキングを述べたもの。

3位の「世cを~け巡ったNXPとFreescaleの合S、ルネサスにjきな脅威」だけがNANDフラッシュとは無関係の記である。これは欧ΔPhilipsから独立したNXP Semiconductor(今は@本関係くなし)がクルマを啣修垢訌世い、クルマに咾FreescaleをA収提案したもの。

4位の「SSDより]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷」は、SSDとは異なりストレージディスクの仕様を使わずに、ひたすらNANDフラッシュストレージのレイテンシをらして高]化を狙うBである。

5位の「3D-NANDの発表相次ぐ」は、東の発表の翌日にMicron/Intelグループからも発表があったため、この背景について述べている。

ごT見・ご感[
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