シリコンバレーにあるサンタクララにおいて8月11日〜13日の3日間開��された「Flash Memory Summit 2015」でこのデバイスを東��は�t��した。TSVはシリコンウェーハに�e穴を�Eり金�錣鳬mめ込んで�T線を構成する�}法で、���]には�Mしいプロセス�\術を��要とするが、東��はこの�\術をマスターしたのだ。

デバイスはこのTSV構�]のために配線に伴う寄�斃椴漫�寄�暘B�^が最小に�里瓩蕕譟��T果として�]度は同等����と比べて�]く、かつ消�J電��は50%��度、削��されている、と東��は主張している。データ書込み（プログラミング）、そしてデータ消去には、高い電圧が��要だが、これらを実施するコア電源は1.8Vに、そして入出��のI/O電源は1.2Vに抑えられた、と東��は発表している。

フラッシュメモリは最初NOR型が東��で開発され、1984�QのIEDM（International Electron Device Meeting）において、当時東��社�^の�r�K富士�d（�w称、�S）が発表した頃から始まり、東��には長い歴史がある。1992�Q、東��とSamsung Electronicsはフラッシュメモリの共同開発と�\術仕様・����情報の供与契約を締�Tする。これを機にSamsungは、フラッシュメモリの��業に参入し成功している。NANDフラッシュメモリの世�cランキング(参考�@料2)、例えば2014�Q��4四半期におけるDRAMeXchangeの発表では、売�幢Yが24億4050万ドルで��星がトップ、2位東��は、19億1490万ドルである。興味ある��実は、SanDiskの�T在だ。SanDiskはウェーハファブを保�~せずに東��のファブでものづくりをしている。2014�Q��4四半期のデータで3位、15億8960万ドルを売り�屬欧拭��C白いことに東��とSanDiskの売り�屬欧鮹噂磴鵬��Qすると、35億450万ドルになり、��星を��えて世�c�kになる。

256GBとは膨�jな数である、最�Zソフトバンクの社長が2018�Qには1チップ�屬離肇薀鵐献好真瑤�300億個を越える旨の予�Rを発表したが、256GBは16チップのメモリとはいえ、その数を楽に越えた。256GBはメモリービット数だけを���Qしても、1ビット= 1 トランジスタなので、トランジスタ数 = 256×1024×1024×1024、�tち27.4878×10の15乗となり、300億 = 3×10の10乗を越える。もちろんデバイスは、センスアンプ、I/Oバッファ、アドレスデコーダ等も含み、�Q々��てトランジスタを��要とする故に、2018�Qを�iにして問��なく300億個越えが実現した。

東��はこの�\術を完成させるのに際してNEDO（新エネルギー・�噞�\術総合開発機構）の���Lを借りた、としている。NEDOの関心は、��低消�J電��デバイスなので、消�J電��が50%��削��されたこのデバイスの成果を議�bしたのではないか、と筆�vは�M�}に推�Rする。

筆�vが�R�`した点は��にあり、それはTSV����だ。TSV�\術はSiemens社が1994�Q5月に�盜颪暴亟蠅靴道呂泙辰拭�それは�盜������o告番��US57670001Aで、発���vは、E. Bertagnolliと H. Kloseの2人だ。出願日から20�Qが無��に�圓�た。��世�cの数�Hの人々が先例などの�o���@料を提供して無効審判を試みたはずだが、それに耐えて�擇���びた。����は無��に�~効となり、その20�Qの��命を2014�Qに��うした。東��は�m運だ。なぜなら�咾�ったSiemensの����が昨�Q切れ、�垉遒霊C�颪砲覆辰燭�らである。東��が開発したこの256 GB NAND フラッシュメモリはこれから本格商戦に入るものと期待している。

参考�@料
1. 東��：世�cで初めてTSV�\術を��いた最�j16段積層NAND型フラッシュメモリの開発
2. NANDフラッシュ、�j�}トップ3社を下位3社が�{いかける (2015/02/17)