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2015Q9月に最もよく読まれた記は東の256GBフラッシュ

2015Q9月に最もよく読まれた記は、「東の16積層NANDフラッシュに見る\術」であった。これはブロガーのj(lu┛)和田敦之(hu━)が述べた記で、そこでは8月に発表された東の256GBのNANDフラッシュメモリについて語られている。

2位の「A収SがVまない半導噞」では、これまでのA収の動きをまとめたもの。9月に入って英Dialog Semiconductorが(sh━)AtmelをA収するなど、A収の動がまだVまっていなかったためだ。半導企業の再だが、来の成^噞の再とは違い、今後のIoTに向けた新たなx場に官するため、O社の不u(p┴ng)Tな分野をうためのA収が発になった。

3位の「2015Q嵌彰世c半導トップランキング」は先月最もよく読まれた記であった。

4位の「iPhone 6sをテクノロジーの点で見る」では、iPhone 6sが発表され予約が開始されたが、9月25日の発売までの間に発表から読みDれるiPhone 6sSのテクノロジーについて推察した。発売後1週間以内にティアダウンがなされ、セミコンポータルも10月1日にiPhone 6sに使われた半導チップについて解説した。

5位の「日本半導]のpRが4カ月連低下」では、日本半導]協会(SEAJ)が毎月発表している]のB/Bレシオから見えてくるものに関して考察した。

ごT見・ご感[
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