ルネサス好調、���]����･検�h����も��く
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先週は、電機�噞の���Q報告会が相次ぎ、2015�Q4〜6月期の�T果が出てきた。ルネサスの発表が金曜日に行われ、営業�W益率が順調の高まっている様子を��した。����・検�hメーカーでは東�Bエレクトロンとアドバンテスト、総合電機では、日立��作所とパナソニックから発表があった。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
IntelとMicron、クロスポイント型不ｧ発性メモリをサンプル出荷へ
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと�}ぶ）�\術と�@��けたこの不ｧ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ�]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え�v数が1000倍�Hいという。 [→��きを読む]
日本IBMと�{水建設の��覚障がい�v�мq、ビーコンでBluetooth�x場拡�jへ
Bluetooth LE (Low Energy)を使ったIoTやウェアラブル、スマートホームなどの�x場が拡�jすると期待されているが、ビーコンの����でその�x場は�k段と広がりそうだ。Bluetooth LEを使った電�Sの発信機ビーコンは、屋内や地下莂覆匹琉���検出に威��を発ｧするようになる。 [→��きを読む]
今�Q�嵌彰�のM&A金�Y���\、IoT時代に�△┐��A収�S
半導��業�cは企業�A収（M&A）が��発になってきたが、その裏��けとなる金�Yデータを�櫂▲螢哨��Ε好灰奪張如璽襪砲△諫x場調�h会社IC Insights が調�h、発表した。その�T果、今�Q�i半の�A収金�Yは2010�Qから2014�Qまでの�Q平均金�Yの6倍にも達するという。 [→��きを読む]
IoT時代は�u�Tなアナログを��かす、TIに�{い風
Texas Instrumentsは世�cトップのアナログICメーカーであるが(参考�@料1)、IoT時代には�O社の�u�Tなアナログとプログラマブルデジタルをますます��かせる、と�啜い琳e勢を見せる。このほど来日した同社アナログ�靆腑轡縫▲丱ぅ好廛譽献妊鵐箸�Stephen Anderson��(図1)は、ワンストップショップの�咾気鮗臘イ靴拭� [→��きを読む]
スマホビジネスの変調でも独�O�\術で�咾気鯣�ｧする����メーカー
スマートフォンビジネスが����な変化を�~げているが、スマホ������ビジネスは��調に推�，靴討い襦�Qualcommが社�^15%の削��策を��画しているという報�Oが相次ぐ�k�気如�中国�x場で小�櫃��Pびが鈍り、スマホトップのSamsungが世�c�x場でも�Zしんでいる。この中で日本の����ビジネスは好調、半導��後工��のディスコも好調な業績を発表した。 [→��きを読む]
FPD���]����は�p�R�Yと販売�Yのかい�`が��しくなる
![FPD���]����は�p�R�Yと販売�Yのかい�`が��しくなる](/assets_c/900px/150724-bbratio.png "FPD���]����は�p�R�Yと販売�Yのかい�`が��しくなる")
2015�Q6月の日本��半導�����]����の販売�Yにブレーキがかかった。�p�R�Yは7.4%落ちたが、販売�Yが28%も下がった(図1)。B/Bレシオ（販売�Yに�瓦垢��p�R�Yの比）は1.18と���峺�したからと言って喜ぶ数�Cではない。販売�Yの��落が��しいからだ。 [→��きを読む]
東��が�����v委�^会の調�h報告書要約版を�o開
東��の不適切会��問��に関して、�����v委�^会がまとめた調�h報告書を�p理し、要約版を�o表した(参考�@料1)、と7月21日の日本経済新聞が報じた。中国では、�{華�j学�Uのファブレス半導��メーカー��光集団がMicronを230億ドルで�A収するという提案を行った。 [→��きを読む]
Synapticsの新����、ルネサス子会社�A収の成果
ルネサスSPドライバを�A収したSynapticsがタッチセンサコントロールとディスプレイドライバを1チップに集積したコンビ����ClearPad 4300をサンプル出荷し始めた。これまでタッチセンサコントロールが�u�TだったSynapticsが、ディスプレイドライバが�u�TだったRSP社を�A収した成果の���k��となった。 [→��きを読む]
GlobalFoundriesが22nm FD-SOI�\術を発表した理�y
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET�\術と同等な性�Δ魴eつ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)�\術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと�k緒に14nm Fin FET�\術を開発してきただけに、なぜ今この�\術なのか、同社CMOS Platforms Business�靆臘垢妊轡縫�VPのGregg Bartlett��(図1)が電�Bインタビューで答えた。 [→��きを読む]
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