iPhone 6s/6s Plusの分解でわかった半導��構成
9月25日に発売されたAppleのiPhone 6sの分解ニュースが早くも流れている。分解(ティアダウン)専門企業のIFixitがiPhone 6sと6s Plusを分解、IHS GlobalはiPhone 6s Plusの分解を�o開した。IFixitは教育�`的で分解し、組み立てることが�`的、�x場調�h会社IHSは����コストの見積もりを�`的としている。
図1 iPhone 6sのメインロジックボード表�C 出�Z：IFixit
iPhone 6sには、新しいAPU(アプリケーションプロセッサ)のA9と、モーションコプロセッサM9が1パッケージ内に集積されており、その他次のような仕様になっている。ストレージは16/64/128GBの3�|類、4.7インチ�]晶と表�Cに3D Touch機�Α�4Kビデオをサポートする12M画素カメラ、2×2MIMO（multiple input multiple output）��きの802.11a/b/g/n/ac Wi-Fi、Bluetooth 4.2、NFC、23周�S数帯のLTEモデム、タプティック（Taptic：触覚（haptic）とタッチ(touch)を合わせた�]語）エンジンなどを搭載。
この内、ロジックボードの表�C(図1)では、A9はメモリ（Samsungの2GB LPDDR4 DRAM）を�Qき合わせたPoP（package-on-package）構�]になっており、LTEモデムチップにはQualcommのMDM9635M LTE Cat. 6、センサチップにはiPhone 6と同様InvenSenseのMP67B 6軸ジャイロと加�]度センサ、さらにBosch Sensortecの3P7 LA 3軸加�]度センサ、 Wi-Fiやモバイルネットワークなどのパワーアンプモジュールとして、TriQuintの TQF6405、Skyworks のSKY77812 、Avago のAFEM-8030を使っている。送信��パワーアンプの消�J電��を削��(f┫)させるために、QualcommのQFE1100エンベロープトラッキングICも搭載している。
このボードの裏�C(図2)に搭載されているICチップを�`挙する。NANDフラッシュとして東��の19nmプロセスの16GB、Universal Scientific Industrial の339S00043 Wi-Fi モジュール、NXP の66V10 NFCコントローラ、Apple/Dialog の338S00120 電源IC、Apple/Cirrus Logic の38S00105 オーディオIC、QualcommのPMD9635電源IC、Skyworks SKY77357パワーアンプモジュール、��田��作所の240フロントエンドモジュール、RF Micro DevicesのRF5150アンテナスイッチ、NXPの1610A3、Apple/Cirrus Logicの338S1285オーディオコーデックIC、Texas Instrumentsの 65730AOP電源IC、QualcommのWTR3925RFトランシーバ(送�p信?d─ng)v路)、恐らくだがBosch Sensortec の気圧センサモジュール (BMP280)
図2 iPhone 6sのメインロジックボード裏�C 出�Z：IFixit
iPhone 6s Plusの����もほとんど6sと同じだが、16GBのフラッシュメモリとして6sの東��ではなくSK Hynixの����が搭載されている。また、DDR4 DRAMもSamsungではなくSK Hynix����が採��されている。
IHSがiPhone 6s Plusの16GBモデルを分解して����材料コストを見積もった�T果、����コストはiPhone 6sよりも16ドル高く、231.5�櫂疋襪世箸いΑ�さらにアセンブリ・実�◆Ε謄好箸離灰好鳩Q4.5ドルを�{加して、���]�雕犖恐舛�236ドルと見ている。
新����6sの��長として、3D Touchとタプティックエンジンがある。これは画�C�屬領磴┐丱▲ぅ灰鵑鮨┐襪里任呂覆�少し�咾瓩鵬，垢肇▲廛蠅魍�くことなくコンテンツをプレビューできる。�咾瓩鵬，靴燭海箸鮓―个垢襪汎瓜�にバイブレーションで1�vだけ振動して�瑤蕕擦討�れる。このバイブレータに��来のモータを使わずにソレノイドを��いた。
