EUV露光の日本国内設に高圧ガス保W法のカベ?

先端半導開発および]に須のEUV露光\術は、ロジックデバイスについては、TSMC、fSamsungともに7nmプロセスから、DRAMに関しては、Samsung、fSK hynixとも10-nmの4世代`にあたる1α(あるいは1Aとも}ばれる。最小線幅15nmi後といわれている)DRAMから採を始めている。 [→きを読む]
先端半導開発および]に須のEUV露光\術は、ロジックデバイスについては、TSMC、fSamsungともに7nmプロセスから、DRAMに関しては、Samsung、fSK hynixとも10-nmの4世代`にあたる1α(あるいは1Aとも}ばれる。最小線幅15nmi後といわれている)DRAMから採を始めている。 [→きを読む]
ベルギーの先端半導デジタル\術研|所であるimecは、去る11月7日に東Bで\術イベントを開した。そこで日本Bの半導戦Sの策定を陣頭指ァする経愱商情報策局の野原諭局長が、「ディープテックトランスフォーメーション:コンピューテイングパワーと半導」として基調講演を行った。 [→きを読む]
More-than-Moore(Mooreの法Г砲茲詒細化には頼らない)半導専門のx場動向調hグループである仏Yole Group は、2021Qの世cMEMSx場模が、2020Qの115億ドルから17%もの記{的成長を~げて136億ドルに達し、さらに今後Q平均9%で成長し、2027Qには223億ドルに達する見込みであると発表した。MEMSの垉遒寮長率は5〜10%度であったから、昨Qは異例ともいえる成長のQとなった(参考@料1)。 [→きを読む]
パワー半導は、グローバルな模で「脱炭素世c」の戦S飩@として今後さらにR`されるだろう。mいなことに日本はこの分野で\術争を維eしており、30Q以屬砲錣燭蠱落しけてきた日の丸半導の「最後の砦」として噞再建の柱になることが期待されている(参考@料1)。 [→きを読む]
今Q5月の岸田相・バイデン歃j統襪瞭N共同mで、次世代半導の日欟ζ嘘発に向けたタスクフォース(作業隹顱砲鮴瀘することで合Tした。そして、その詳細を詰める日欸从冢策協議委^会(経済版2+2)V^級会議が去る7月29日(盜饂間)にワシントンD.C.で開された(図1)。会議の後、敕捗j臣(当時)はレモンド長官と個別テーマに関して会iしたようである。 [→きを読む]
5月下旬以T、企業誘致の本命が盜饑であることを裏けるニュースが相次いでいるので、ivのブログ(参考@料1)のとしてその後の動向をここでD理しておこう。経愱がこれこそが日本半導復興の切り札としている「国際連携」という@の}突猛進ともいえる外@誘致の問点にも言及する。 [→きを読む]
日櫃粒慍颪主して1981QからからB都とハワイで開されているVLSIシンポジウムは、2022Q6月中旬、ハワイ開としては4Qぶりに、オンディマンドを交えたハイブリッド形式で開される(集R1)。このシンポジウムへの地域・国別投M・採IX況を調べることで、Q国の半導研|開発をh価してみよう。なお、b文P数の分類は、筆頭著vの所錣垢訌避Eの所在する地域・国による。 [→きを読む]
IntelのCEOであるPat Gelsingerは、先月初めに、ひそかにプライベートジェット機で来日し、日本B関係vらとC会した模様である。来日することも誰と会うかもiにも後にもk切o表されておらず、マスコミにも気づかれずに何もなかったようにあっという間に次の訪問国であるインドへ飛び去った(参考@料1)。 [→きを読む]
英国に本拠をきハイテク分野のx場調hを行っているOmdiaによる「2021Q世c半導企業売峭皀薀鵐ングトップ10」については、すでに氾辻集長が紹介しているが(参考@料1)、Omdia日本法人よりその日本版ともいえる2021Q日本半導企業売峭皀薀鵐ングトップ10を独Oに入}したので、ここに紹介しよう。 [→きを読む]
SPIマーケットセミナー「世c半導x場、2022Qを議bしよう」がオンライン形式で2月16日に開され、Omdia主席アナリストの南川が「2022Qの半導x場」について講演し、引ききセミコンポータル集長の氾跳二がx場調h会社Q社の見気鮠匆陲靴拭 Mもコメンテータとして参加させていただいた。 [→きを読む]