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国家�W��保障の�菘世�ら中国の半導���噞の��頭を抑えたい�盜駭��Bは、ASMLがEUV露光����を中国に輸出せぬように、2018�Q以�T、オランダ���Bに�咾�働きかけてきた。このため、中国最�jのファウンドリであるSMICは、それ以�iに�R文していたEUV露光����を未だに入�}できていない。それだけではなく、�fSK hynixも中国無錫での先端DRAMの���]をあきらめざるを�uなくなっている。 [→��きを読む]
�盜駭��Bは、2022�Q10月に先端半導��関連�\術の中国への輸出���Uを�啣修垢襪海箸鯣�表した。ロジック半導��に関しては、16/14nm以下のトランジスタ構�]（つまりFinFETまたはGAA）を�△┐織船奪廚�よびその���]に使��される����を���U����とした。日本も域外���Uの����となっている（参考�@料1）。 [→��きを読む]
��Intelは、3月24日（�盜饂�間）、同社の共同創設�vで、「ムーアの法�А廚猟鷯��vとして�瑤蕕譴�Gordon Moore��が94 才で亡くなったと発表した。その日のうちに世�c中の半導��関係�vから哀悼の��が�H数寄せられた（参考�@料1）。 [→��きを読む]
英国に本拠を��く�x場調�h会社OMDIAは、�O社のウエブサイト�屬如�2022�Q世�c半導��企業の売�峭皀薀鵐�ングトップ10」（参考�@料1、2）を発表したが、日本企業は含まれていなかった。トップ15まで枠を広げても日本企業の�@は出てこない。そこで、本�M著�vが、OMDIAに�D材して独�Oにトップ20まで枠を広げたランキングを入�}したところ、やっと日本勢トップ3が団子�X��で16〜18位に登場した。（表1）。 [→��きを読む]
��湾TSMCのCEOである��哲家（C.C. Wei）��（図1）は、2023�Q1月に開��された2022�Q��4四半期の���Q説��会の最後に、同社の顧客の信頼を高め、同社が成⻑するための「世�c的���]フットプリント拡⼤��画」を発表した。 [→��きを読む]
今からちょうど75�Q�iの1947�Q（昭和22�Q）の暮れも押し��った12月23日��曜日の午後のこと、�盜颯縫紂璽献磧璽検��Ε泪譟璽劵襪離戰訶��B研�|所（�R1）で2人の研�|�v、バーディーン（J. Bardeen）とブラッテン（W. H. Brattain）（図1奥の2人））は、発��したばかりの（��確には、信�ｻ\幅作��を発見したばかりの）点接触型トランジスタを研�|所の���陲砲澆擦討い拭�もっとも、これが、「トランジスタ」と命�@されたのはずっと後のことであるが（�R2）。
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先端半導��開発および���]に��須のEUV露光�\術は、ロジックデバイスについては、��TSMC、�fSamsungともに7nmプロセスから、DRAMに関しては、Samsung、�fSK hynixとも10-nm��の4世代�`にあたる1α（あるいは1Aとも�}ばれる。最小線幅15nm�i後といわれている）DRAMから採��を始めている。 [→��きを読む]
ベルギーの先端半導��デジタル�\術研�|所であるimecは、去る11月７日に東�Bで�\術イベントを開��した。そこで日本���Bの半導��戦�Sの策定を陣頭指ｧする経�愱商��情報��策局の野原諭局長が、「ディープテックトランスフォーメーション：コンピューテイングパワーと半導��」と��して基調講演を行った。 [→��きを読む]
More-than-Moore（Mooreの法�Г砲茲詒�細化には頼らない）半導��専門の�x場動向調�hグループである仏Yole Group は、2021�Qの世�cMEMS�x場��模が、2020�Qの115億ドルから17%もの記�{的成長を�~げて136億ドルに達し、さらに今後�Q平均9%で成長し、2027�Qには223億ドルに達する見込みであると発表した。MEMSの�垉遒寮�長率は5〜10%��度であったから、昨�Qは異例ともいえる��成長の�Qとなった(参考�@料1)。 [→��きを読む]
パワー半導��は、グローバルな��模で「脱炭素世�c」の戦�S�飩@として今後さらに�R�`されるだろう。�mいなことに日本はこの分野で�\術��争��を維�eしており、30�Q以�屬砲錣燭蠱�落し��けてきた日の丸半導��の「最後の砦」として�噞再建の柱になることが期待されている(参考�@料1)。 [→��きを読む]
