2025�Q��2四半期（4〜6月）における世�cのESD（Electronic System Design）�x場��模がまとまった。それによると�i�Q同期比8.6%�\の50.894億ドルに成長した。これはSEMI Technology Communityの�k�靆腓任△�ESD Allianceが発行したElectronic Design Market Data（EDMD）レポートで��らかになった。 [→��きを読む]
2025�Q��1四半期（1Q）における世�cのESD（電子機�_・半導��設��）�x場は、�i�Q同期比（YoY）11%�\の50億9830万ドルに達した（図1）。��にIP（��的財��）の�Pびが著しく、YoYで29.6%�\の20億4480万ドルになった。これは、SEMIのESD Allianceが発表したもの��「EDA�噞の2025�Q1Q は�咾だ�長期間だった」とSEMI Electronic Design Market DataエグゼクティブスポンサーのWalden Rhines��は述べる。 [→��きを読む]
富士フイルムが半導��材料を�啣修垢觝鄒錣��]って出た。これまでの�^真�\術を応��する半導��リソグラフィ向けの材料（レジストや現�級]）だけでなく、CVDのプリカーサやCMPスラリー、インターポーザの層間絶縁膜など半導��材料を開発している。2023�QにはEntegrisの半導��プロセス材料��業を�A収しており、半導��材料分野を�啣修垢襦� [→��きを読む]
EDA（電子設���O動化）�噞が2024�Q��4四半期も成長し��けていることがわかった(図1)。��4四半期におけるEDAツールの販売�Yは、�i�Q同期比11%�\の49.27億ドルになった。SEMIのEDAグループである、ESD Allianceが発表したもの。2024�Q����では�i�Q比13.1%�\の192.65億ドル（約2兆7900億��）となった。 [→��きを読む]
2025�QもAIデータセンター��要が��発になることを�Hくのアナリストが指�~しているように、TSMCが史�嶌嚢發�900億ドル（13.5兆��）を売り�屬欧燭里鬚呂犬瘻�湾のAI向けビジネスは好調だ。長期的にEV��要に応えるため、Infineonがタイに後工場を設立、ルネサスは新型パワーMOSFETを発売し、SCREENはパワー半導����要の200mm���]����の新工場を設立する。 [→��きを読む]
半導��設��ツールなどの世�cESD（Electronic System Design）�x場は、2024�Q��3四半期において�i�Q同期比8.8%成長の51億1450万ドルと�垉邵嚢碌Yを記�{した。これはSEMIの�\術コミュニティであるESD Allianceが発表したもの。「EDA（Electronic Design Automation）�噞はこの四半期に��成長した」とSEMIのレポートの�峙薀好櫂鵐機爾任△�Walden C. Rhines��は語る。 [→��きを読む]
セミコン・ジャパン2024期間中に、ファブレス半導���噞の先輩でもある��湾からの使�I団によるセミナーがあった��「2024 AI & Semiconductor Forum」（参考�@料1）と��したセミナーで、��湾国家科学及�\術委�^会（NTSC）が主��した。この委�^会の�|振��（Chen-Kang Su）常��副主任委�^（副�j臣相当）が来日、その狙いを聞いた。 [→��きを読む]
EDA（Electronic Design Automation）ツールや半導��IP（Intellectual Property）の�x場実績を表すESD（Electronic System Design）�噞の売�幢Yが2024�Q��2四半期（2Q）に�i�Q同期比18.2%�\の46.86億ドルに達した。SEMIのESD Allianceが発表した。ESDの�Q�靆艷�てでプラス成長をもたらしている。 [→��きを読む]
2024�Q��1四半期における世�cのESD（電子システム設��）�x場は�i�Q同期比14.4%�\の45億2160万ドルに達した、とSEMIのESD Allianceが発表した。ESD Allianceは電子設���x場のデータを収集、四半期ごとにレポートしている団��。2023�Q��3四半期に記�{したこれまで最高の47億ドルには届かなかったが、�i四半期よりも2.2%�\えている。 [→��きを読む]
VLSI Symposium（��式�@称：2024 Symposium on VLSI Technology and Circuits）2024の��要が��まった。今�vの��長は、投�M�b文数、採���b文数ともここ10�Qで最も�Hいことだ。��に�f国からの採���b文が最も�Hく、Technology、Circuitsを合わせた��採���b文232�Pの内、54�Pと���櫃汎運瑤砲覆辰拭平�1）。次に�Hいのが中国（37�P）、そして欧�Α�36�P）、��湾（26�P）、日本（18�P）、シンガポール（8�P）、インド（1�P）となった。 [→��きを読む]
