2023�Qの半導��設��投�@�Yは、どうやら�i�Q比14%��の1560億ドルに落ち��きそうだ。このような見通しをSemiconductor Intelligence が発表した。2021�Qは�i�Q比35%�\、2022�Qは同15%�\と�\�咾靴討�たが、さすがに半導���x況が�Kい中での投�@�Yは��少しそうだ。ただ、これまで少なかった欧��勢は少し�\やしている。 [→��きを読む]
2023�Qの世�c半導���x場は10%��度のマイナス成長になりそうだという見通しの中、�Z載向けだけはプラス10%��度の成長が予�[されている。中でもパワーMOSFETに使うn型SiCウェーハの��要が�\えている。2022�Qには�i�Q比15%��度の成長を��したが23�Qも22%成長、さらに2027�Qまで�Q率平均17%で成長し��けそうだ。 [→��きを読む]
SiCパワー半導���x場が���]に湧き�屬�っている。クルマの電動化によりインバータやオンボードチャージャーにSiCが使われているが、このEV�x場に向けて�W定供給するための戦�S的な提携やM&Aが��発化している。SiCパワー半導��の�x場��模はまだ16億ドル��度だが、2026�QにはCAGR35%で53.3億ドルに�\加するという見通しまで出てきた（図1）。 [→��きを読む]
6月11日から�B都で開��されるVLSI Symposiumのプログラムが��まった。投�M�b文数はこの10�Q間で最�Hの359�P、採�I数は123�P、採�I率は34%となった。2017�Qから�v路とプロセスが�k��化したVLSI Sympoだが、2023�Qの����テーマは「�e��可�Δ別ね茲里燭瓠�VLSIデバイス�\術と�v路�\術を再始動」である。FinFETの次となるGAAやCFET、など新トランジスタ�\術や裏�C電源�\術などの実���\術が�B��になりそうだ。 [→��きを読む]
2023�Q��1四半期（1Q）の見通しが�i�Q同期比でマイナスになる見込みを半導���Q社が発表した中で、オランダのリソグラフィメーカーASMLが�i�Q同期比90.9%�\という驚異的な成長率を��し、67億4600万ユーロの売�幢Yを達成した。���W益50.6%、営業�W益32.7%と絶好調である。ASMLの好調は今後も��くのだろうか。 [→��きを読む]
プロセスノード2nm以�Tの次世代半導��チップ���]に�Lかせない、���Q機リソグラフィ（Computational Lithography）のエコシステムをTSMCとNvidia、ASML、Synopsysが設立した。3nmノードの実チップ�屬任虜脳��∨，�13nm��までやってきて、�S長13.5nmのEUVリソでもOPC（光�Z接効果����）の導入が�Lかせなくなってきた。���Q機リソはそのための�\術である。 [→��きを読む]
半導��工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研�|開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工��における環境負荷を定量的に�h価するシミュレーションを発表した。半導��プロセスの環境�h価によりCO2削��への�敢�を�]つことができる。まずはリソとエッチング工��でEUVの優位性が��された。 [→��きを読む]
�歟耻��陲砲△�12の�j学・研�|所がネットワークを組み、半導��人材を育成するという��画を発表した。Intelがオハイオ�Δ�200億��を投�@してメガファブを作る��画は1月に発表（参考�@料1）、7月には�盜颪離侫．Ε鵐疋�SkyWaterがインディアナ�Δ離僖妊紂悉j学構内に半導��工場を作ることを��めた（参考�@料2)。�歟耻��陲�半導��で�rり�屬�っている。 [→��きを読む]
![�櫂侫．Ε鵐疋�3社が半導�����]サービスの�p�R�耀u��発に](/assets_c/900px/220809-usfoundries.png "�櫂侫．Ε鵐疋�3社が半導�����]サービスの�p�R�耀u��発に")
半導�����]が弱��化していた�盜颪妊侫．Ε鵐疋螢咼献優垢��i向きに動き出した。Intelのファウンドリ�靆腓���湾MediTekにファウンドリサービスを提供することで合�Tした。�櫂潺優愁��Δ�SkyWater Technologyがインディアナ�Α�Purdue（パデュー）�j学と共同で半導�����]工場を建設する。GlobalFoundriesはSTMicroelectronicsと共同でFD-SOI新工場をクロルに設立することで合�Tした。 [→��きを読む]
IBM Researchは、東�Bエレクトロンとパートナーシップを�Tび、�櫂縫紂璽茵璽��Δ離▲襯丱法爾砲�いて共同で300mmウェーハ同士を接��するための3D-ICスタック�\術を開発したとブログで��らかにした。3D-ICは、TSV（through silicon via）�\術で2��以�屬離ΕА璽脇瓜里鮴橙�して3次元的に集積する�\術。薄いウェーハを容易に�Dり扱えるようにした。 [→��きを読む]
