SiCウェーハの�攵盋は2023�Qも22%成長の見込み
2023�Qの世�c半導���x場は10%��度のマイナス成長になりそうだという見通しの中、�Z載向けだけはプラス10%��度の成長が予�[されている。中でもパワーMOSFETに使うn型SiCウェーハの��要が�\えている。2022�Qには�i�Q比15%��度の成長を��したが23�Qも22%成長、さらに2027�Qまで�Q率平均17%で成長し��けそうだ。
図1 SiCウェーハ��数の推� ―儘Z：TECHCET
SiCウェーハ成長の見通しを発表したのは半導��材料�x場専門の�x場調�h会社TECHCET（参考�@料1）。6インチ（150mm）換�Qで2022�Qには88.4万��のウェーハが出荷され、23�Qは107.2万��に�\加すると予�[する。
SiCウェーハの��要が高まるのは、�j電��あるいは高�]の応��機�_向けのパワーデバイス向けSiデバイスが�駘�的限�cに�Z��いてきたからだ、とTECHCETは見ている。SiのIGBTがパワーデバイスの中心をこれまで��めてきたが、さらなる高�]・�j電��ではもはや限�cという�lだ。SiCは�T晶性が��実に�屬�ってきて電子�‘暗戮��屬�り、MOSFETの電流容量が向�屬靴討�た。サプライチェーンも充実してきた。加えてSiC��要は電気�O動�Z（EV）だけではなく���]充電機や再�擴��Ε┘優襯�ー、�噞��パワー機�_の高効率化などで高まりつつある。
���]充電�_では800〜900Vに��圧して電荷をバッテリに送り込むためトランジスタの耐圧として1200Vが��要になる。再�擴��Ε┘優襯�ーではソーラー、風��とも直流から商��周�S数（50/60Hz）の交流を作り出すため高耐圧トランジスタの��確なパルス動作が��要で、それを6600Vの架線に戻す��要がある。耐圧が高ければ高いほどパワートランジスタの数は少なくて済むため、SiCの優位性が出てくる。IGBTで650Vなら、1200VのSiCは�e�`接��の数を半��できる。�噞��でも高電圧が��要な機�_、例えばイオン�]ち込み����や加�]�_なども同様に高耐圧��性が�擇�される。
�攵盋が�\えてきた�k因には、SiC�T晶ブール（Siのインゴット相当）を���]するメーカーが�\えていることも影�xしている。Wolfspeedやonsemi、STMicroelectronicsなどのSiCデバイスメーカーが�T晶も作るという�貭湘�合型へ動いていることも奏功している（参考�@料2）。
また、X-trinSiCやHalo Industriesのように、SiC�T晶ブールからウェーハにスライス、エッジ研磨、表�C研磨、��浄、エピタキシャル成長など、デバイスのプロセスに��要なウェーハを加工する専門業�vも出てきた。SiCはシリコンと違い、ダイヤモンド、BNなどに次ぐ�wい材料であり、さらに化学薬��に�愎�しにくい材料でもあるため、Siと同様のプロセスは使えない。SiC専��のプロセス����が��要となる。
参考�@料
1. "Silicon Carbide (SiC) Wafer Supply Gets Squeezed", TECHCET (2023/05/09)
2. 「SiCパワー半導��、サプライチェーンからOEM確保まで�貭湘�合化へ動く」、セミコンポータル (2023/04/27)
