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Samsungのファウンドリ業、先端から成^ノード、パッケージングまで拡j

Samsungのファウンドリ業、先端から成^ノード、パッケージングまで拡j

Samsungがファウンドリ靆腓遼楹陛な設立を発表した2018Q(参考@料1)から4Q経ち、同社は微細化だけから成^プロセスにもを入れ始めた。10月18日都内で開されたSFF(Samsung Foundry Forum)2022では(図1)、1.4nmノードまでロードマップをWいただけではなく、3nmノードからGAAFETを採、成^ノードにも業拡j、先端パッケージングまで}を広げている。 [→きを読む]

匂いのデジタル化に向けたソニーのq覚h価_

匂いのデジタル化に向けたソニーのq覚h価_

「匂い」を何とかデジタルにできないものだろうか。匂いセンサの研|はある。かつてimecがe-Noseプロジェクトをやっていた。しかし、残念ながら未だに化できていない。だが、センサを使わずに、匂いの|類をデジタル化できないものか。ソニーが開発したq覚h価_(図1)は、40|類の匂いを出するもので、提と}ばれている。 [→きを読む]

「先端パッケージにもCHIPs法案適を」求めるmが盜顱ΣΔ罵き屬る

「先端パッケージにもCHIPs法案適を」求めるmが盜顱ΣΔ罵き屬る

先端パッケージ\術に関してもCHIPs & 科学法案が科に適されるように、関連団がBやEC(欧Π刎^会)との会合に出席した。TSMCが主導的に扱う先端パッケージはこれからの_要な\術のkつである。ICサブストレートやプリントv路基(PCB)、OSAT、EMSなどの企業が盜都ワシントンDCに集まった。 [→きを読む]

殀焼]を加]する新組EASICに早くも100団が加入

殀焼]を加]する新組EASICに早くも100団が加入

盜颪バイデン権の下、CHIPS・科学法案を可させた後、j学を中心に設立させた新組EASIC(American Semiconductor Innovation Coalition)に早くも噞cからも参加が相次ぎ、すでに100以屬料避Eが参加したことがわかった。半導企業だけではなく、MicrosoftやGoogleなどのユーザー、Applied MaterialsやLAM Researchなどの]企業、DuPontのような材料メーカー、SynopsysなどのEDAベンダーも参加している。 [→きを読む]

半導の進化;微細化からC積スケーリング、ヘテロ集積、その先Si 4.0とは?

半導の進化;微細化からC積スケーリング、ヘテロ集積、その先Si 4.0とは?

Si 1.0をこれまでの微細化とすると、Si 2.0はTSMCが推し進めるC積スケーリング、そして、Si 3.0はヘテロプロセッサの集積\術となり、Si 4.0はインテリジェンスが加わる。湾半導のb客、Nicky Luが見る未来の半導は、これまでの総合\術を兼ね△┘ぅ鵐謄螢献Д鵐垢鱠Cに押し出すSi 4.0となる。これはi月にB都工芸繊維j学で行われたKIT/Symetrix International Symposiumでらかにしたもの。 [→きを読む]

QualcommのCEO、スマホからAI、メタバースへSnapdragonで推進

QualcommのCEO、スマホからAI、メタバースへSnapdragonで推進

「スマホは、電Bであり、コンピュータであり、VR(仮[現実)であり、IoTであり、そしてまたクルマでさえある」(Qualcomm CEOのChristiano Amon)。これまでスマホを中心に成長してきた同社のアプリケーションプロセッサSnapdragonはこれからAIのプラットフォームへと拡jする、とAmonはIFAの基調講演でこう述べた。 [→きを読む]

工業メタバースで提携したSiemensとNvidia、日のクルマ作りにかす

工業メタバースで提携したSiemensとNvidia、日のクルマ作りにかす

独Siemens社とNvidia社が工業メタバースの実現で6月に提携、このほど日O動Zの電気O動Z「アリア」の開発にかすことで合Tに達した。工業メタバースは、シミュレーションで現実の世cとく同じものを作り出すデジタルツインをよりビジュアルにする\術。ゲームやテレコンファレンスでのメタバースとはく違う。開発期間の]縮に威を発ァする。 [→きを読む]

歟耻陲僚j学12鬚T集、半導エンジニアを育てる教育を啣

歟耻陲僚j学12鬚T集、半導エンジニアを育てる教育を啣

歟耻陲砲△12のj学・研|所がネットワークを組み、半導人材を育成するという画を発表した。IntelがオハイオΔ200億を投@してメガファブを作る画は1月に発表(参考@料1)、7月には盜颪離侫.Ε鵐疋SkyWaterがインディアナΔ離僖妊紂悉j学構内に半導工場を作ることをめた(参考@料2)。歟耻陲半導でrり屬っている。 [→きを読む]

発なSiCパワー半導:T晶新工場の建設、MOSFET企業のA収

発なSiCパワー半導:T晶新工場の建設、MOSFET企業のA収

SiCデバイスがようやく立ち屬ってきた。onsemiがニューハンプシャーΕ魯疋愁鵑SiCT晶ブール(Siのインゴット相当)攵の新工場を設立、開所式を行った(図1)。歉省のジーナ・レモンド国長官も出席するというの入れようだった。また、GaNデバイスx場で最j}のNavitasがSiCメーカーのGeneSiC SemiconductorをA収した。 [→きを読む]

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