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セミコンポータルによる分析

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エンプラ要、Q率9%のPびにより2010Qには06Q比39%\に拡jへ

エンプラ要、Q率9%のPびにより2010Qには06Q比39%\に拡jへ

 エレクトロニクスの世c的な要拡jにГ┐蕕譟⊆舁忝`脂のx場は06Q以TQ率4%で拡jし、2010Qには692万トン(06Q比18%\)に達すると予Rされる。`脂材料の要量の83%をめるのが、ポリプロピレン(PP)やポリスチレン(PS)、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(ABS)などの@`脂。コネクタやギア、光学など機に使されるエンプラは@`脂に比べて要量は少ない。しかしエレクトロニクスの軽薄]小化や環境U官のためエンプラの採が\えている。エンプラは04Qから06QにかけてQ平均11%Pび、今後も10Qに向けてQ率9%度Pびると予Rされる。 [→きを読む]

盜駭∨R&D予Q、2008QはiQ比1.3%\

盜駭∨R&D予Q、2008QはiQ比1.3%\

・豢機開発_、その他分野は実嶌鑿  盜駭∨Bの2008Q度j統詬Qは、昨Q盜颪]ち出した、盜骰争啣愁ぅ縫轡▲謄ブ(American Competitiveness Initiative:ACI)画をpけて、駘科学研|覦茲墨∨Bからのмq\加策となっている。 [→きを読む]

湾Bの中国j陸へのIC\術「‥U緩和」

湾Bの中国j陸へのIC\術「‥U緩和」

中国でのi工Fab膿覆  2007 Qより湾Bは中国への半導\術の‥Г魎墨造靴燭里泊湾の半導ファウンドリー企業は中国j陸へ8 インチ、0.18um のウェハ工場への投@を始めた。2007 Q1 月20 日、湾の{徳は_xBと契約して、双気_で8 インチウェハ工場を建設することに合Tした。 [→きを読む]

CMOSイメージセンサーx場、2011QまでのCAGR14%見込む

CMOSイメージセンサーx場、2011QまでのCAGR14%見込む

07QQ1の]感、にはv復か 2007Q低調にスタートしたイメージセンサーx場は、今、wい成長が見込まれ、Q間11%の成長となり、82億ドルに達するとの見通しがIC Insights社より発表された。CCDと合わせたCMOSイメージセンサーのx場は2006Qから2011Qにかけて、Q平均成長率14%となり、2011Qには143億ドルに達する見込み。 [→きを読む]

中国初参加のもと、11vWSCジュネーブで開

中国初参加のもと、11vWSCジュネーブで開

的財堍保護、環境敢、MCP関税廃、MCP関税廃に中国も参加  5月24日、スイス・ジュネーブにてWSC(World Semiconductor Council:世c半導会議)の11v`となるミーティングを開、日本、欧Α盜顱∠f国、チャイニーズ、中国の6極の半導業cトップ23@が参加して世cの半導共通の課についてT見交換した。 [→きを読む]

パーム型PCx場、13四半期連、マイナス成長

パーム型PCx場、13四半期連、マイナス成長

07QQ1はiQ同期比40.6%の90万売り屬 世cのパーム型PCx場は、ユーザー嗜好が携帯電Bや他のコンシューマーエレクトロニクスに加]していることをpけて、13四半期連で下Tをけているとの発表が、IDCからなされた。2007Qk四半期の同x場は、i期比36.3%、iQ同期比40.6%の91.9万となった。同x場ではトップ5社にあったDellが本x場からのを発表している。 [→きを読む]

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