�歟肬�易戦争の余�Sが半導�����]����の世�cにもやってきた。蘭ASMLが中国SMICへのEUV����の納入を保�里靴討い襪�11月7日の日本経済新聞が報じた。その�iの週に�盜駭��BがTSMCに�瓦靴堂攬找紛\向け����を出荷しないように求めたという噂もあった。また、ルネサスの���Q発表があり���Cに転落したと発表している。東��の���Q発表は13日の予定だが、なぜか10日の日経にリークされている。 [→��きを読む]
CEATEC 2019では、�j(lu┛)学関係からも実��化に�Zい研�|が発表された。文�隹奮愍併渦爾�JST（科学�\術振興機構）が主��するCREST（戦�S的創�]研�|推進��業）の中で、ナノエレクトロニクスに関する研�|3�Pが、材料からデバイス、�v路、システムに至る�Qレイヤー間の協��を求めるプロジェクト「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」の成果を発表した。 [→��きを読む]
ソニーの半導���靆腓�好調だ。10月30日の2019�Q4〜9月期の���Q発表では��社売�幢Yは�i�Q同期比2%��の4兆480億��と縮んだが、営業�W(w┌ng)益は17%�\の5098億��と最高益となった。画�汽札鵐気亮，塁x場クルマだ。クルマ�x場は�U�`が崩れてきた。半導��ファウンドリでも動きがある。 [→��きを読む]
2019�Q10月に最もよく読まれた記��は「キオクシアでの�`出始まる、データセンター��要も�v復で好スタート」であった。これは、東��メモリが10月1日から「キオクシア」と�@�iを変えた。プロセス工場のパートナーであるWestern DigitalのCEOのコメントも掲載している。 [→��きを読む]
MEMSおよびセンサの工場の�攵��ξ�は2018�Qから2023�Qまでの5�Q間で約25%�\の月��470万��に達しそうだ、という見通しをSEMIが発表した。SEMIは、通信やクルマ、医��、モバイル、工業��などのIoTデバイスのセンサに使われることで爆発的に成長するだろうと見ている。 [→��きを読む]
NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10�Qに渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構�[をMicron Technologyが�]ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども��確にした。 [→��きを読む]
Googleが53ビットの量子コンピュータを試作、現在のスーパーコンピュータを���vる性�Δ鮗泰xで��した、と10月25日の日本経済新聞が報じた。記�v会見を開いたため世�c中で報じられた。コンピュータ実��ではクラウドビジネスでMicrosoftの��勢が�`立ちAmazonとの2�啝�代に入った。また、先週後半にモーターショーが開��され、クルマの未来が��された。 [→��きを読む]
Micron Technologyが日本とシンガポールで工場の拡張に��を入れていることを�J報したが（参考�@料1、2）、�盜颪任�����ポートフォリオを広げる��(sh┫)針を発表した。これまで、DRAMとNANDフラッシュ、3D-Xpointメモリというメモリ��業にフォーカスしてきたが、NORフラッシュやAIアクセラレータボードにまで�}を広げることを��らかにした。 [→��きを読む]
![半導�����]�����x場は�fから�峺�きへ](/assets_c/900px/191023-semiseaj.png "半導�����]�����x場は�fから�峺�きへ")
日本��、������の半導�����]�����x場は、共に順調に�v復基調にある。日本��半導�����]����は、�i�Q同期比こそ16.8%��だったが、�i期比10.9%�\の1781億3600万��と3カ月連��でプラスとなった。������は、�i�Q同期比がわずか6.0%��の19億5370万ドルとなり、�i�Q同期比のマイナスが6カ月連��で縮小し��けている。 [→��きを読む]
また�kつ新しい形��の電気�O動�Zができた。東�B�j(lu┛)学は、ローム、ブリジストン、日本�@工、東洋電機���]と共同で、走行中に�O路からワイヤレス給電によって電気�O動�Z（EV）を走らせるという実�xを行った(図1)。わずかな容量の電池を搭載するだけで済む�屬法⊂�さな容量の電池でさえEVの走行�{(di┐o)�`には関係がなくなるというメリットがある。 [→��きを読む]
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