今�Qも世�c半導���x場は史�嶌嚢癲�調�h会社が軒並み���巨T��
2017�Qの世�c半導���x場は、空�iの好景気で20%を��す成長率を�~げたが、今�Qも15%�i後で�垉邵嚢發龍碌Yを記�{しそうだ。これは、�x場調�h会社が軒並み���巨T��しているためだ。16%成長に���巨T��したSemiconductor IntelligenceからGartnerの11.8%成長まで幅がある。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
�O動運転�Zをセキュアにする国家プロジェクトをドイツが開始
ドイツが国を挙げて、�O動運転�Zのサイバー��撃に�棺茲垢襪燭瓩両匲学プロジェクト「SecForCARs（Security For Connected, Autonomous Cars）」をスタートさせた(参考�@料1)。今後3�Q間に渡り720万ドルをドイツ連邦教育研�|省が提供する。このプロジェクトには15の企業、研�|所、�j学(表1)が参加する。 [→��きを読む]
Cypress、クルマ仕様NORフラッシュをプラットフォーム化
Cypress Semiconductorは、�O動�ZエレクトロニクスへのNORフラッシュをメモリ単��からマイコンも集積したメモリシステムへとソリューション指向を�咾瓩討い襦��O動�Z����では何と言っても信頼性と�W��性は「絶�粥廚世�らである。いわばチップに信頼性と�W��性を組み込み、万が�k��故が��きてもフェイル-セーフシステムを確立する。 [→��きを読む]
Arm、中国�x場にArm Chinaの株式を売却
英Arm社の中国現地法人Arm Technology China社の株式の51%を7億7520万ドルで売却するとソフトバンクグループが発表した。先週は、DRAMの単価や、NANDフラッシュを搭載したSSDの価格が下がっている、というニュースも流れた。また、中国当局がDRAMの�岼�3社を独禁法違反の疑いで調�hすると5日の日本経済新聞が報じた。 [→��きを読む]
スマホが�v復、iPhone数量は2018�Q1Qに4%�\、売�幢Yは14%成長
2018�Q��1四半期のiPhoneは4%�\となり、�i四半期の横ばいからプラス成長に転じた。スマートフォン����では1.3%�\だが、これはSamsungが0.3%��と�x場シェアを落としたことが最も�jきい。これは�x場調�h会社のGartnerが発表したもの。 [→��きを読む]
2018�Qの世�c半導���x場は12.4%成長とWSTSが予�R
WSTS（世�c半導���x場統��）が2017�Q度の実績と2018�Q、2019�Qの予�Rを発表した。これによると、2018�Qにおける世�cの半導��は12.4%�\の4634億1200万ドルと予�Rし、2019�Qにさらに4.4%�\の4837億1900万ドルになるとした。 [→��きを読む]
単��、ICからフュージョン、アルゴリズムまでのセンサ��てを提供するams
オーストリアのアナログ半導��メーカーamsは、機械的なセンサから光を�W��するイメージセンサ、化学センサに至るまでさまざまなセンサとその応��に��化することに舵を切り��えた。センサ単��だけではなく、センサとのインタフェースICやアルゴリズムなどソリューションまで�}を広げている。工業��イメージセンサの責任�vであるDIV Image Sensor SolutionsのシニアVP兼GMのStephane Curral��が最�Z来日、その狙いを聞いた。 [→��きを読む]
メモリの記��がよく読まれた2018�Q5月
5月に最もよく読まれた記��は「直�Zの世�c半導��ランキング�岼�15社を発表」であった。これは最新の世�c半導��のトップ15社を調�hしたもので、2018�Qの��1四半期の売り�屬欧鯣羈咾靴討い襦� [→��きを読む]
半導�����]����メーカー�啜い領△肪羚颪療蟀@��画あり
![半導�����]����メーカー�啜い領△肪羚颪療蟀@��画あり](/assets_c/900px/180604-chinainvestment.png "半導�����]����メーカー�啜い領△肪羚颪療蟀@��画あり")
先週は東�Bエレクトロンの���Q報告があり、半導�����]����メーカーの好調さが浮き彫りとなった。同社を含む半導��・ディスプレイパネル���]�����j�}7社の設��投�@�Yが4割�\える見通しだ、と5月30日の日本経済新聞が報じた。�k�気如�中国の��光集団は今後10�Qで1000億ドル（約11兆��）を半導��に投�@することを6月1日の日経が伝えた。 [→��きを読む]
Intel、3D-Xpoint�\術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し
Intelは、データセンターのメモリとストレージの階層構�]を見直すべき、新型メモリをサンプル出荷すると発表した。彼らは、CPUに最も�Zい層では��来のDRAM、次に3D-Xpointメモリを��いたOptaneパーシステントメモリ(図1)、その次に3D-Xpointメモリを��いたSSD、そして3D-NANDのSSDという構成を提案した。サンプル出荷を始めたばかりのパーシステントメモリは、最�j512Gバイトのメモリモジュール。 [→��きを読む]
<<�iのページ 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 次のページ »
