中国初の新型NORフラッシュメモリで組み込みUを狙う

中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash(中W弘宇集成電路)と}ばれるファブレスだ。]はファウンドリに依頼する。今からx場に入る以屐長が要だが、これまでの中国のメモリメーカーとはく違う。後述するが、新開発の独Oメモリ\術をeち、元IntelのStefan Lai(図1)がCTOとなっている企業だ。 [→きを読む]
中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash(中W弘宇集成電路)と}ばれるファブレスだ。]はファウンドリに依頼する。今からx場に入る以屐長が要だが、これまでの中国のメモリメーカーとはく違う。後述するが、新開発の独Oメモリ\術をeち、元IntelのStefan Lai(図1)がCTOとなっている企業だ。 [→きを読む]
中FPGAメーカーのLattice SemiconductorがSamsungの28nm SOIプロセスをプラットフォームとする新しいFPGA戦Sを発表、まず消J電1/4でパッケージサイズ6mm角と小型で最j4万ロジックセル搭載のファミリ「CrossLink-NX」をサンプル出荷し始めた。これまで同模のFPGAと比べ、パッケージサイズで1/6と小さく実△Oy度が高い。 [→きを読む]
半導噞の成長を見据えた積極的な投@が`立ってきた。ロームが600億をSiCの\に投@、パワー半導での地位を確立する。SamsungがNANDフラッシュのW工場に80億ドルを投@するなどL外メーカーは今に限っていないが、国内メーカーも積極的なめの投@をし始めた。L外への投@が`立つk機∫L外企業の日本x場へのめも始まった。 [→きを読む]
広帯域のミリSレーダーを使った位@度を屬欧覿\術が可Δ砲覆蠅弔弔△襦A省が60GHz帯で帯域を7GHzに広げる省令案を作成、実化に向けて動き出している。広帯域にすると位@度が屬るためジェスチャー操作などが可Δ砲覆襦National Instrumentsは、79GHz帯で4GHz帯域のZ両レーダーテストシステムを開発した。 [→きを読む]
2020Qの世cの半導]x場は、iQ比6%\の608億ドルになりそうだという見込みをSEMIが発表した。19Qは同11%の576億ドルだが、21Qにはこれまで最高の18Qレベルを3.7%える668億ドルになるとSEMIアナリストのClark Tsengが述べた。これをけん引する半導チップは何か。 [→きを読む]
量子コンピュータだって、半導チップでU御しなければ使いものにならない。Intelは量子コンピュータ(ゲート擬亜砲U御するためのシリコンCMOSコントローラを開発した。量子コンピュータは、量子学の_ね合わせ原理を使うもので、1と0をほぼ瞬時に_ね合わせることができる並`コンピュータとなる。しかしU御はそう~単ではない。 [→きを読む]
2020Qの世c半導x場は、iQ比でプラス成長が予[されているが、WSTS(世c半導x場統)が定めた33分類の中で成長率が最もjきいは、NANDフラッシュメモリの19%成長になりそうだ。これはx場調h会社のIC Insightsが調べたもの(参考@料1)。 [→きを読む]
AI、5G、IoTをいち早く理解しWすることが来のMWにつながるが、j学をうまくWできない企業がHい。12月8日の日本経済新聞はF士ニDuvをうまくいかせない日本企業のHさを報じるk気如▲愁侫肇丱鵐が東Bj学にAI開発で10Q間200億の投@を行うと報じた。本ウェブでも東jとTSMCの提携を報じた(参考@料1)。 [→きを読む]
ET & IoT Technology 2019tでは、IoTデバイスをつなぐBluetoothもされている。Bluetoothビーコンはアンテナをすることで位@度が屬り、Bluetooth Mesh格が確立したことで応が広がった。加えて、Bluetoothのソフトウエア開発ツールも充実してきており、プログラムによる独O仕様のしやすさが普及を後押しする。 [→きを読む]
2019Q9月までの半導]x場について、10月23日現在で「fから峺きへ」、という見通しを紹介したが(参考@料1)、10月の半導]x場もこの見気鮓絏,靴垢鞫T果となった。10月の日本半導]の販売Yはi月比1.4%\の1806億9000万、のそれでは同7.7%\の21億910万ドルとなった。 [→きを読む]
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