世�cの経済情勢に�官�したエレクトロニクス・半導��業�cでの戦�S的な動きが表われてくるこの時期、タイミングという理解があるが、今�Qは、Google、Facebookが引っ張って、Samsungが加わり、モバイル機�_、����、データセンターを軸に、アップル包囲、インテル�眼^という構図が見えてくる。スマートフォンも新興経済圏が牽引する色合いが�咾泙襪覆�の動きであるが、半導��の最先端を引っ張るインテル、Samsungそしてファウンドリー勢、それぞれの凌ぎ合いの動きが今後の�jきな原動��の1つとなってくる。 [→��きを読む]
早々の動きとしてまた、IBMのサーバ��業がいくつか経緯があって中国のLenovo Groupに売却という動きが見られている。IBMは高マージン機�|に、そして今やハイテク�@����のx86-ベースシステムはLenovoが�pけ�eつ�t開である。またも繰り返されるグローバル�x場の�々圈∧册阿砲茲詁阿�と映る�k�機⊥x場の中身の変貌、地域的な実��に合わせた�Q社の人�^削��による調�Dの動きが相次いでいる。半導��・エレクトロニクス�x場に�U命的となっているグローバルな�S動、うねりへの�官�が本�Qも早々に始まっている。 [→��きを読む]
この度、東���j学原子分子材料科学高等研�|機構、兼マイクロシステム融合研�|開発センター長である江刺��喜教�bのご厚�Tで、平成26�Q1月9日、10日の両日にわたって開��された二つの研�|会（参考�@料1，2）に出席する機会を与えていただいた。 [→��きを読む]
新しいスマートフォンが発売されると、いわゆるITジャーナリストが、まずハードウエアのスペックを�Dり�屬欧涜昭劵皀妊襪犯羈咾靴栃�析する。iPhoneに�瓦靴討牢�待が�jきいのか、「あっと驚く要素が少ない」などという批�hが踊ることが�Hい。これだけ進歩し普及しているデバイスにそうそう驚くような新要素が��け加わることは少ないのに。 [→��きを読む]
クリスマス・�Q��商戦が終わったと思ったら、1月31日にはアジアでの旧��月と、何かいつも挟まれた感じ�気�ある半導��・エレクトロニクス�x場であるが、この新�Qは早々に�x場の�t開を見据えた�R�`の動きが見られている。 IBM、インテルのcloud�\術に向けた�Dり組み、iPhone 5sで広まった指紋センサへの今後の�攵��官�、そしてインテルが22-nmおよび14-nmといった最先端を行うとしていたFab 42を当�C閉鎖しておくという����である。PCからモバイル機�_、そしてその先を窺う動きが当�C��いていく。 [→��きを読む]
新�Qの��1週、��例の業�c新�Q賀詞交��会への出席と�盜顱Ε薀好戰�スで開��のInternational Consumer Electronics Show(CES)からの�B��である。賀詞交��では、やっと��るい兆しが見えてきた我が国、今�Qは実��的な成長戦�Sで押し�屬押�飛躍を図るというトーン、ちょうど午�Q、ぴったりのフェーズと感じている。CESからは、モバイル機�_��況の先を巡って、Wearables、Internet of Things(IoT)そして�O動運転を�`指すクルマに��に��点を�pけ�Vめている記��内容となっている。 [→��きを読む]
新�Q早々の��Semiconductor Industry Association(SIA)からの��例、月次世�c半導��販売高の発表が行われている。今�vは11月で2013�Q����データは1ヶ月待たなければならないが、11月までの販売高����は$277.98 billionとなっており、$300 billionの�j��突破は確実な情勢である。スマートフォン、タブレットなどモバイル機�_が引っ張る構図が��いて、2013�Q3月から11月まで9ヶ月連��の�i月比�\加、さらに2013�Q9月からは月次販売高の史�嶌嚢���新が��いており、2014�Qの���咾ぅ好拭璽箸鮴�いづける内容である。 [→��きを読む]
新�Q、2014�Qを迎えるタイミングであるが、�圓�ゆく2013�Q、どう総括されるか。半導��業�cでは、��SIAからのデータで、月次・四半期販売高が史�嶌嚢發魑��{、�Q間販売高も数�Q来の$300 billionの壁を突破する見込みとなっている。分野別の中身的には、��来引っ張ってきたパソコンの停�]を、スマートフォン、タブレットなどモバイル機�_の世�c的な��況が��って余りある勢いを��したと言える�X況である。�圓�ゆく1�Qの本欄のタイトルより、2013�Qを次の通り振り返っている。 [→��きを読む]
次世代のロジック�ULSIにおいて��躍する�ζ袷濃劼呂笋呂蠹田c効果型トランジスタを��いたCMOS�v路になるだろう。�Nに匹�發垢�300億トランジスタからなる1チップLSI(参考�@料1)は動作�]度が�科�に�]く、かつリーク電流が小さく消�J電��が抑えられて初めて可�Δ澄Ｉ��vが考えるにこの�W点を�~するデバイスに�R�`するとMOSFETの先端を走るのがFINFETだ、と考えている。 [→��きを読む]
電�Zの中で�`にすることがある。ひび割れた画�Cのスマートフォンを使っている人がいる。デバイス�O��は痛々しいがちゃんと動作しているらしい。画�Cのひび割れは、スマートフォンを�wいコンクリートなどに落とした際などに��こるらしい。 [→��きを読む]
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