スマホ・タブレットがけん引、光/�Z接センサは2017�Qまで19%で成長
光/�Z接センサが��成長している。2012�Qに5億5510万ドルの売り�屬欧�2013�Qは41%�\の7億8220万ドルに達するだろうとIHSグローバル（旧アイサプライ）は見る(図1)。2017�QまでにCAGR（�Q平均成長率）19%という見通しで、この�Qには13億ドルに到達すると予�Rする。 [→��きを読む]
2013年7月
コスト的にもSiに�Mてるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ
Si IGBTやパワーMOSFETの性�Δ鬯�える、SiCやGaNといった高�a半導��トランジスタが期待されながら�jきく成長していけない最�jの問��はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは���]プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、��来の設�△�使え、低コストである。化合�馮焼���はどうやってコストの壁を突破するか、その�kつのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→��きを読む]
スマホのトレンドに乗るべき����メーカーのニュース相次ぐ
この1週間のニュースは、スマートフォンのトレンドにうまく乗ったメーカーが成長しているため、今後もこのスマホトレンドに乗っていくためのニュースが相次いだ。折しも�毫x場調�h会社のIDCが2013�Q��2四半期(4〜6月)におけるスマホの出荷��数トップファイブを発表した。 [→��きを読む]
顧客開��に向けた新たな先端����、サービス、�мqの�啣�
high-endスマートフォンの売れ行き低迷など不�W要因が出ているなか、アップル、QualcommそしてSamsungの��二四半期売�峭發��垉邵嚢發鮨�し、モバイル機�_に当�Cの�Pびを�mさざるを�uない�X況である。このようななか、売�屬殴▲奪廚鮨泙襪△両}この�}ということで�`についたのが、インテルの先端プロセス��はもちろんとしてカスタム半導��へのアプローチ、そしてアナログ半導��を引っ張るテキサス・インスツルメンツ(TI)の設��データ提供のアピールであり、ともに顧客密��の原点を感じている。 [→��きを読む]
中国IC�攵�のトップ10ランキング、1位にIntelが躍り出る
中国におけるIC�攵�をけん引するのは外国企業で、トップはIntel、2位はSK Hynixという�T果が�毫x場調�h会社IC Insightsから発表された(表1)。これは2012�QにおけるIC�攵��Yについて調べたもの。中国におけるIC�攵�は2012�Qに89億ドルにとどまり、ICを使う�x場の810億ドルに比べてまだ小さい。 [→��きを読む]
フリースケール、次世代�W��システムを実��、Super GTレースでテスト
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンが�x販�Zのカーレース、Super GTに参戦する。ADAS（Advanced Driver Assist System：次世代ドライバー�мqシステム）を実際のレースでテストしてみるのがその�`的だ。�]度やエンジン�v転数などの�Z両情報、クルマの�i後左��の周辺情報、そしてドライバーの����情報を、同期をとりながら�D�uしていく。 [→��きを読む]
共通番���U度法成立のインパクト
この5月に共通番���U度法が成立した。これは国�c���^に�w�~番�､���す点で�Jに成立している住�c基本��帳法と同じである。ただ、後�vは、���@、現住所、�昵Q月日など四つのデータしか扱わない、ごく単純なものだが、今�v成立した通称マイナンバー法は�Q個人の社会保障や税のデータベースと統合することを�`指している。 [→��きを読む]
SuVolta社、富士通に��き、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本��的に��らす�\術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性�Αδ秕嫡J電��を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この�\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消�J電��を削��できる。 [→��きを読む]
東��、エルピーダが設��投�@を再開
この1週間で久しぶりに��るい�Bが登場した。東��とエルピーダがスマートフォンの好調を�pけて投�@を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東��はNANDフラッシュメモリの設�∋\�咾忘能j300億��を投�@、エルピーダも��湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM�攵�を、4月の300mmウェーハ1万��から�Q��までに4万��/月に�\��する。 [→��きを読む]
Infineonのパワー半導��、新パッケージ�\術で差を��ける
パワー半導��に��を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの�攵�を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と�]ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを��いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの�v路を接��するというマルチチップパワーパッケージ�\術を、7月17〜19日東�Bで開��されたTechno Frontier2013で�o開した。 [→��きを読む]
