9月に最も良く読まれた記��は、���Uファンドがルネサスに出�@するニュース
9月に最も良く読まれた記��は、ニュース解説「KKRのルネサス出�@、アップル-サムスン訴�e、富士通とJデバイスの�D引」であった。この記��では、���UファンドのKKRがルネサスに1000億��を出�@するというニュースをはじめ、�盜颪砲�いてアップルがサムスンに�M訴したニュース、富士通のパッケージング工場をJデバイスに売却するというニュースを採り�屬欧�。 [→��きを読む]
2012年10月
Transphorm、GaN on Siプロセスによる600VのパワーHEMTをサンプル出荷
�歹逎�リフォルニアを本社とするベンチャーのトランスフォーム（Transphorm）社（参考�@料1）は、耐圧600VのGaNパワーHEMTとGaNショットキダイオードを限定ユーザーにサンプル出荷している。2007�Qに設立された同社にこのほど日本インターと�噞革新機構がそれぞれ500万ドル、2500万ドル出�@した。トランスフォームはこれらの�@金を�uて、GaNの����化を先�~けたいと語る。 [→��きを読む]
デュポン、10μm��の薄いポリイミド絶縁材料でLEDの放�X性を改��
最�j(lu┛)90度まで折れ曲がった放�X��にも�Dり��けられる電気的絶縁材料として、デュポンがポリイミド材料CooLamシリーズを開発した。LEDの放�X基��向けに使う。曲げられる柔らかい材料なので丸い電球形�Xの基��に複数のLEDを張り��けることができる。この�T果、白�X�i並みに広がりを�eった光をLED電球で�uることができる(図1)。 [→��きを読む]
GlobalFoundries、10�Q間のfinFET開発を経て14nmプロセスで実現へ
「これまでプロセス世代は2�Q間の開発期間を経てきたが、20nmから14nmへは1�Qで到達できそうだ」。こう語るのは、グローバルファウンドリーズ(GlobalFoundries)のグローバルセールス兼マーケティング担当�峙薀丱ぅ好廛譽献妊鵐箸任△�Mike Noonen��(hu━)。アジア�Q地でメディアとのロードショーを行い、最終地の����と東�Bとの間で電�B会見を行った。 [→��きを読む]
ルネサス40nm�Z載マイコンのニュースがなぜ�_要か
先週、半導��業�cを巡るビッグニュースといえるほどのものはなかったが、ルネサスの40nm�Z載��マイコンについて考えてみる。この����発表の記�v会見の場に出た�vとして、この発表に関する�k般�Lのニュース扱いが小さかったことに違和感を覚えた。 [→��きを読む]
��争��化のファウンドリー業�c：先端プロセス、モバイル�x場、MEMS
最先端プロセス世代をリードするプレーヤーが数えるほどに絞られてきている�k��(sh┫)、iPhone 5はじめ先端�\術の粋を��うモバイル機�_(d│)�x場の世�c的な��況が��いている。パソコン�x場も劣勢挽�vの動きが今後��発化するのは��至というなか、ファウンドリー業�cの�j(lu┛)�}プレーヤー間の�k層の凌ぎ合いの様相を、��に先端プロセス、モバイル�x場、MEMSという切り口で見い出している。ファブレス、Fab-lite化がますます進む流れを�pけ、ファウンドリー業�cの最先端プロセスおよび�x場�耀uを巡る先陣争いに�R�`せざるを�uない。 [→��きを読む]
