インテルと�j学、携帯充電�_の統�k、などコラボレーションの試みが��発に
先週は、インテルが�j学の研�|に今後5�Q間で1億ドルを投�@すると発表、欧�Δ砲�けるスマートフォン��共通充電�_が動き出し、電気�O動�Z��の充電�_の通信��格�Y��化をNECが主導し、実�xを始めた、というニュースが流れた。これらに共通するコラボレーションが今後のビジネスのキーワードとなる。 [→��きを読む]
2011年1月
�`�Yに向かう�X気、�Pびていく�C白さ、�T集する環境づくり
�盜餽餔cの��聴率が高い時間帯に行われるObama�j統�襪涙k般教書演説とのことであるが、�~人月��陸ロケットに向けて�\えに�\えたあの頃の�X気と�O信を今こそと訴える下りが、先進経済圏の奮��を�任��嗄�なメッセージとして�xいてくる。�j容量化、高�]化、低電��化に向けて、国内�Q社が切���}磨、世�cを引っ張るに至った頃の我が国の半導��業�cに通じるところを感じている。 [→��きを読む]
ファウンドリ構�[への反�xが�jきく、半導���噞について考える
日本でファウンドリ��業はできないものだろうか。昨�Q秋に、このブログで「�k刻も早く日本はファウンドリを設立すべき」という提案をさせていただいたら、�jきな反�xをいただいた。ページビューが�Hかっただけではない。メールをいただき、�k緒にディスカッションさせていただいたグループが��数もあった。 [→��きを読む]
グローバルファウンドリーズ、28nmのゲートファーストを20nmでラストに転換
Douglas A. Grose��、Global Foundries社CEO �櫂哀蹇璽丱襯侫．Ε鵐疋蝓璽瑳�がシンガポールのチャータードセミコンダクターを傘下に収めてほぼ1�Q。いまや世�c��2位のファウンドリ企業になった。このほど来日したCEOのダグラス・グロース��は今�Qの�疑砲鮓譴辰拭� [→��きを読む]
アルテラ、ハイエンドからローエンドまで��て同時に28nmプロセスを採��
アルテラは、ローエンドからミッドレンジ、ハイエンドに渡る広いアプリケーションに向けたFPGAを28nmプロセスで�k気に作ると発表した。これまでは、微細化プロセスはハイエンドから始まり、ミッドレンジ、ローエンドへとマイグレーションしてくるのが普通だった。今�vは��てのクラスを�k気に28nmへと�eってくる。 [→��きを読む]
ナショナルセミ、プログラム可�Δ淵札鵐機漆��ｽ萢�ICを開発ツールと共に提供
アナログ分野に�R��してきた�櫂淵轡腑淵襯札潺灰鵐瀬�ター社は、ICチップの設�����]からソリューション提供ベンダーへと脱皮し始めている。�a度センサーとそのコントローラで定�hのある同社は、異なるセンサーにも�官�し、設定をユーザーがプログラムできる1チップ信�ｽ萢�ICを開発、その開発ツールも��れずに提供する。 [→��きを読む]
NECとレノボの提携から見えてきた、サービス��業への�t開を��られる半導��
先週は、NECが中国のパソコンメーカー、レノボと合弁��業を始めるというニュースが飛び込んできた。1990�Q代�i半のMS-DOS時代まではNECのパソコンは国内の�x場シェア50%を��え��トツだったが、今や18.3%まで落ちてきた。いまだにパソコンにリソースを割かなくてはならなかったNECにとっては渡りに�`。レノボも日本�x場を拡�jできる。 [→��きを読む]
連携の��でOnly One, Best Oneを！ 半導��そして我が国
�歟����N会�iで中国の経済��を�i�Cにした��頭ぶりを感じさせられたのと同じタイミングで、中国のGDPが�i�Q比10.3%�\で我が国を�sいて世�c2位の座を��け渡す�X況になっている。当時の�･疋ぅ弔魏罎�国が�sいて40�Qあまりのこと、�jきな�I�`ではあるが様々な国��指�Yというものから見れば�O��な流れとも思う。半導��の世�cは、先行して��模の�x場は中国はじめ新興経済圏にシフトしており、�~単なようでなかなか�Mしい連携の��でOnly One, Best Oneを�擇濬个靴討い�なければ、とますます考えさせられている。 [→��きを読む]
��菱電機がSiC MOSFETのDC-ACコンバータで98%�咾慮�率を達成
��菱電機の先端�\術総合研�|所は、SiCのパワーMOSFETとショットキーバリヤダイオードを��いた直流-交流変換�_を試作、その入出��の変換効率を�R定したところ、98%�咾箸いγ佑鰓uた。これまでのシリコンIGBTとSiCショットキーダイオードの組み合わせによる変換�_と比べ、2ポイント以�峺��屬靴討い襪箸い�。 [→��きを読む]
日本��半導�����]����のB/Bレシオが依��1.07をキープ、SEAJ発表
![日本��半導�����]����のB/Bレシオが依��1.07をキープ、SEAJ発表](/assets_c/900px/110121-bbratio.png "日本��半導�����]����のB/Bレシオが依��1.07をキープ、SEAJ発表")
SEAJ（日本半導�����]����協会）は、2010�Q12月における日本��半導�����]����のB/Bレシオ（販売高に�瓦垢��p�R高の比）が1.07と先月の1.09とほぼ横ばいを��したことを発表した。これらの数�Cは3ヵ月の�‘以振僂派修気譴燭發里任△�。 [→��きを読む]
