グロ〖バルファウンドリ〖ズ、28nmのゲ〖トファ〖ストを20nmでラストに啪垂
Douglas A. Grose會、Global Foundries家CEO
勢グロ〖バルファウンドリ〖ズ家がシンガポ〖ルのチャ〖タ〖ドセミコンダクタ〖を槐布に箭めてほぼ1鉗。いまや坤腸媽2疤のファウンドリ措度になった。このほど丸泣したCEOのダグラスˇグロ〖ス會は海鉗の數克を胳った。
哭1 グロ〖バルファンドリ〖ズのCEO、ダグˇグロ〖ス會
グロ〖バルファウンドリ〖ズ∈GF∷家は2010鉗1奉にチャ〖タ〖ドを傾箭、海や150家の杠狄を積ち、驕度鎊1它1000嘆のファウンドリ措度に喇墓した。杠狄にフォ〖カスした里維で≈呵も腳妥なことは、Time to volumeである∽∈グロ〖ス會∷というように、いかに玲く翁緩するかであり、そのために糠テクノロジを倡券し、カスタマに擦猛を涂えるソリュ〖ションの捏丁に懾看する。
ファウンドリトップの駱涎TSMCが28nmプロセスを路えることでアルテラがロ〖エンドからハイエンドまで辦丹に瀾墑を叫せるようになったのと票屯に、TSMCに覓れずに28nmプロセスを捏丁することに海は廟蝸している。28nmプロセスの潑墓は、HKMG∈high-k≤メタルゲ〖ト∷を脫いたゲ〖トファ〖ストˇプロセスだ。これは驕丸のポリシリコンゲ〖トˇプロセス票屯に、ソ〖スˇドレインの妨喇漣にゲ〖トを黎に妨喇する數恕である。このため、40nmプロセスとの費魯拉がある染燙、イオン廟掐、アニ〖ルに卵えられる潑拉を積つ澀妥がありゲ〖ト亨瘟に聯買の升がない。このため、インテルなどはソ〖スˇドレインを黎に妨喇するゲ〖トラストˇプロセスを蝗っている。
哭2 28nmではゲ〖トファ〖ストを何脫
ただし、ゲ〖トファ〖ストのHKMGプロセスは32nmプロセスから蝗っており、すでにAMDのクワッドコアマイクロプロセッサLlanoを眶籬改サンプル叫操した悸烙がある。またサムスン羹けにも32nmのHKMGプロセスによるSoCを羌めている。
28nmのHKMGプロセスは、IPシャトルにも蝗われ、すでに蝗える覺斗にある。呵介のカスタマは2011鉗の媽2煌染袋にテ〖プアウトする徒年になっている。GF家は3バ〖ジョンの28nmプロセスを脫罷しており、SLP∈ス〖パ〖ロ〖パワ〖∷の畝你久銳排蝸プロセスと、HPの光拉墻プロセス、そしてHPPというハイエンドプロセスである。
28nmの黎のシュリンクにはどう灤炳するか。28nmの肌は22nmをスキップして20nmプロセスへ羹かう。グロ〖ス會は22nmを奶るメリットがないからだという。20nmプロセスでは、これまで澄惟してきたゲ〖トファ〖ストˇプロセスを嘉て、ゲ〖トラストにシフトする。20nmでは、≈ゲ〖トラストˇプロセスだとカスタマの蘭に炳えられるからだ∽とグロ〖ス會は胳る。20nmの活侯は渴めており2011鉗稿染にはシャトルプロセスで網脫できるようにする紛茶だ。
海鉗刨のGF家の肋灑抨獲馳は54帛ドル、と2010鉗より擒籠させる。肩な脫龐はドイツのドレスデンにある300mmウェ〖ハのFab1の借妄墻蝸を橙磨することに裁え、ニュ〖ヨ〖ク劍に瞥掐を紛茶しているFab8の氟肋と瀾隴劉彌の嚷掐を乖い、面澎アブダビにおける染瞥攣供眷氟肋のためのインフラを臘灑すること、である。
哭3 3肌傅ICへのロ〖ドマップ
ウェ〖ハプロセス禱窖を欄かす3肌傅礁姥步にも蝸を掐れ、インタ〖ポ〖ザやTSVなどのパッケ〖ジン禱窖の倡券も渴め、慨完拉を懼げることを謄回す。
GF家は腮嘿步禱窖をさらに渴鷗させ、20nm笆慣のプロセスノ〖ドを謄回してEUVリソグラフィを瞥掐、ニュ〖ヨ〖ク劍惟絡池のアルバニ〖に肋彌されたアルファ怠を網脫して、欄緩に羹けて倡券を渴めている。それまでは驕丸奶りの閉炕リソを蝗う。
欄緩レベルのEUV劉彌をまずニュ〖ヨ〖ク劍のFab8に2012鉗稿染に肋彌し、20nmの活侯を幌める。2014×2015鉗までに翁緩を謄回す紛茶だ。EUVではプリプロダクション脫の劉彌の瞥掐はスキップする。
