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セミコンポータルによる分析

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Bluetoothの主要な機ΔROMに搭載したBlueTunes ROMをCSRが開発

Bluetoothの主要な機ΔROMに搭載したBlueTunes ROMをCSRが開発

英CSR社は、ワイヤレスヘッドホン向けにステレオDSPを集積したBluetoothチップ、BlueTunes ROMを化した。この1チップBluetooth ICのROMにBluetoothのプロトコルスタックやプロファイルなどをファームウエアとして記{しておいたものである。Bluetooth機ΔROMでファームウエア化したためBluetoothシステムを低価格にできる。 [→きを読む]

NEC、3倍性Δ1/5以下の価格など4|のZ載画鞠Ъ吋廛蹈札奪気魍発

NEC、3倍性Δ1/5以下の価格など4|のZ載画鞠Ъ吋廛蹈札奪気魍発

NECエレクトロニクスおよびNECは、Z載画鞠Ъ雲戝のプロセッサIMAPCAR2を開発、NECエレクトロニクスが2009Q峇から順次サンプル出荷をしていく予定である。NECエレクトロニクスはZ載のマイクロコントローラ(マイコン)のx場シェアは3位で、個別半導でもZ載をeっているが、SoCの売り屬欧肋さい。このため、この画欺萢専プロセッサIMAPCAR2でハイエンドからローエンドまでクルマのWを担うを拡jしていく狙いがある。 [→きを読む]

8月の世c半導]販売Y、3ヵ月連iQ40%のf深さ

8月の世c半導]販売Y、3ヵ月連iQ40%のf深さ

SEAJ(日本半導]協会)とSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)およびSEMIジャパンが共同で、2008Q8月における世cの半導]販売統を発表した。これによると、8月の実績は19億3353万ドルで、ついに20億ドルを切った。これで、4月から6ヵ月連してiQ同期比でマイナスとなり、39.5%は垉1Q間で最jの下げ幅となった。 [→きを読む]

半導の微細化はいつVまるのか、T識調hを世c中で実施(2)

半導の微細化はいつVまるのか、T識調hを世c中で実施(2)

湯之嵶粥覆罎里みたかし) 長K\術科学j学 極限エネルギー密度工学研|センター 客^教b
半導デバイスの微細化はいったいいつまでくのか、長K\術科学j学の湯之嵶患吩^教bは、日本を飛び出し、世c中の半導研|vやリソグラフィ専門の研|vを中心にアンケート調hを1Q以屬けて行った。このレポートはわずか1Q間の間に実施時期によって研|vのT識がjきく変わっていることを伝えている。
(セミコンポータル集室)
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イー・シャトル、富士通マイクロ、D2SがEB露光機のスループットを5倍に

イー・シャトル、富士通マイクロ、D2SがEB露光機のスループットを5倍に

電子ビーム露光\術を}Xける富士通マイクロエレクトロニクスとその]を个栄蕕イー・シャトルは、電子ビーム露光向けに設を最適化するツールベンダーのD2S社と組み、スループットを現在より5倍以屬欧討いプロジェクトを始める。このほど、3社の提携により、2009Q度からEB露光ASICのpRを開始する。そのiにまず、65nmプロセスによるテストチップを試作し、その~効性を実証する。 [→きを読む]

半導の微細化はいつVまるのか、T識調hを世c中で実施(1)

半導の微細化はいつVまるのか、T識調hを世c中で実施(1)

湯之嵶粥覆罎里みたかし) 長K\術科学j学 極限エネルギー密度工学研|センター 客^教b
ムーアの法Г呂い弔泙任碪く、というT見があれば、ムーアの法Г寮いは鈍ってきた、というT見もある。ムーアの法Г亦って、半導デバイスの微細化はいったいいつまでくのか、長K\術科学j学の湯之嵶患吩^教bは、リソグラフィ専門の研|vや半導デバイス研|v、SPIE参加vにアンケート調hを行った。このレポートは専門の研|vによって微細化のT識が違うことを伝えている。                                   (セミコンポータル集室) [→きを読む]

アルプス電気がホログラムをWする新しい原理のカラープロジェクタを開発

アルプス電気がホログラムをWする新しい原理のカラープロジェクタを開発

アルプス電気は、ホログラムをWするく新しい原理のプロジェクションディスプレイを開発、そのプライベートショーでtした。このホログラムディスプレイは、RGBの3原色のレーザーを使い、シリコンチップ屬哩]晶を載せたLCOS素子、そして100 GFLOPS以屬嗄なプロセッサを使い、携帯プロジェクタへの応を狙ったプロジェクタである。今v初めてカラーのビデオ映気鮓せた。 [→きを読む]

再配線インターポーザーの導入により3次元TSV ICを極薄に

再配線インターポーザーの導入により3次元TSV ICを極薄に

チップ間接がこれからの3次元ICにますます_要になり、TSV(through silicon via)いわゆる楉姪填砲今、R`を集めているが、接の問だけではなく設のMしさが指~され始めた。TSVでチップ間を3次元妓に接すると、性Δ20~30%向屬、ノイズの影xをpけにくいなどメリットは極めてjきい。しかし実化までには問が兩僂靴討い襦TSV電極を形成する時間が長いだけではなく、Xの問などもこれまで指~されてきた。最Z、設屬Oy度が小さくなるという問も指~されている。 [→きを読む]

NEC、IMECのTSVによる3次元IC、実化に向けk歩i進

NEC、IMECのTSVによる3次元IC、実化に向けk歩i進

楉姪填砲鮖箸辰、容量のjきなデカップリングコンデンサを形成したり、逆に楉姪填砲Siチップあるいはインターポーザーとの寄斃椴未魏爾欧襪燭瓩妨い~機絶縁膜を設けたりするなど、3次元IC\術の実化が進んでいる。w素子材料コンファレンス(SSDM)2008では、NECとベルギーのIMECがそれぞれTSVの実化に向けた研|を発表した。 [→きを読む]

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