�t��された電気�O動�Zは、富士�_工のプラグイン軽�O動�Z「スバル ステラ」と、��菱�O動�Zの4人乗りの軽�O動�Z「iMiEV」だけ。トヨタの新型プリウスとホンダのインサイトというハイブリッドカーの�t��はもちろんあったが、開発中の電気�O動�Zは�k切外�陲暴个靴討い覆�。これまで�t��されたり、菹罎鯀�っている電気�O動�Zはすべて軽�O動�Zに分類されるような出��の小さなクルマだけ��「スバル ステラ」の出��は9.2kWh、「iMiEV」は16kWhと小さく、日���O動�Zが2010�Q秋に発売を予定している電気�O動�Zには80kWのモーター+インバータが使われる。

Liイオン電池を使うスバルステラ（左）とiMiEV（��）の電気�O動�Z

電池を直並�`にして高電圧・�j電流を�uるわけだが、電圧に関しては「スバル ステラ」が345.6V、「iMiEV」は330Vに�屬欧討い�。この直流の電池電圧でモーターを�vす�lだ。モーターは�堙賄�な電圧変化を�W(w┌ng)��するデバイスであるため、インバータを使って直流をパルスに変える��要がある。

モーターを�W定的に�v転させるため、3相交流のインバータを使う。このインバータには、スイッチングトランジスタと逆電流を流すショットキバリヤーダイオードを逆並�`に接��した1組のスイッチを6組��要とする。120度ごとにモーターを�v転させるため、このトランジスタを次々にオンしていき、モーターのコイルに電流を流していく�lだが、電気乗���Z向けトランジスタに要求される性�Δ�、1チップ当たり100Aで耐圧600Vである。現在のハイブリッドカーには200A��要なため2チップを並�`に動作させている。

高耐圧・�j電流を実現するために、現在のハイブリッドカーには耐圧600Vのシリコンpinダイオードが使われているが、pinダイオードは少数キャリヤの蓄積時間が残るため、その分��失になる。ショットキーダイオードは�H数キャリヤ動作であるため、この蓄積時間がなく高�]で��失が少ないが、600Vという�jきな耐圧は�uられない。このためSiCを��いて600V耐圧を�uる。

東��は、このSiCショットキーダイオードとSiのIGBTのペアを6組��いて4kVA級の3相インバータモジュールを��作、�Z�茲��vすデモを行った。この組み合わせで��来のハイブリッドカーに使われているインバータよりも��失は30〜40%��少したと東��は言う。ただし、4kVA級の電圧・電流容量ではクルマを動かすパワーにはまだ��遠い。

SiのIGBTとSiCショットキーダイオードを使った3相インバータで�Z�茲��vす

さらにトランジスタ�霾�もSiCにして600V耐圧で100Aをスイッチできるトランジスタを開発中だ。今�v、�t��したのは電流容量がまだ10A��度の小さなJFET。なぜJFETか。SiCではIGBTは作れないからだ。IGBTではアノード�霾�のpn接合にバイポーラのキャリヤを使うためSiCはSiよりもエネルギーバンドギャップが�jきい分、順��(sh┫)向電圧VFも2.5V��度と�jきい。このため、�j電流を流すのには適さないとみられる。ドイツのインフィニオンテクノロジーズも�O動�Z��パワーモジュールを開発していたが、SiCにはMOSFETかJFETが使われると見ていた。

�k��(sh┫)で、SiC�T晶にMOS構�]を作れるほどゲート�┣祝譴���はまだよくない。MOS�c�Cのチャンネル�B�^が高く、まだ使えるレベルには達していないという。

2インチのSiCウェーハに試作された東��のパワーJFET

しかし、JFETはノーマリオンデバイスであるため、ゲートに負電圧をかけなければオフしない。このため��電圧と負電圧の二つが��要となり、�v路がやや複雑になる。やはりノーマリオフ型のMOSFETが欲しい。東��はノーマリオフ型のSiC�W(w┌ng)��のMOSFETの開発を進めている。詳細な���Qはまだ行っていないが、今のところはSiCになるとIGBTは使われない、といえそうだ。