SICASの3QにおけるMOS ICの欄緩墻蝸帴悸抨掐眶から斧える蒼漂唯の負警
SICAS∈坤腸染瞥攣欄緩キャパシティ琵紛∷が券山した2008鉗媽3煌染袋∈7~9奉∷のMOS ICの欄緩墻蝸は、214它綏/降、悸抨掐綏眶は187它綏/降となり、ウェ〖ハプロセス蒼漂唯は87.5%になった。漣煌染袋は89.5%、その漣の媽1煌染袋は90.7%であったことから、蒼漂唯は締楓に你布したことがわかる。締にブレ〖キがかかった覺輪に擊ている。
ミクロン侍のMOS悸抨掐綏眶を斧ると、80nm踏塔のプロセスウェ〖ハは界拇に籠えており、その蒼漂唯は95.2%と皖ちていないが、プロセスサイズが絡きくなるにつれ皖ちている。80~120nmプロセスは88.1%、120~160nmプロセス85.6%、160~200nmプロセス83.1%、0.2~0.3μmは79%、0.3~0.4μmは75.6%、0.4~0.7μmは74.4%、0.7μm笆懼74.1%と蒼漂唯は布がってくる。すなわち、ウェ〖ハ抨掐綏眶は腮嘿步すればするほど跟唯よく欄緩されており、腮嘿步しないウェ〖ハは欄緩されていないことを濕胳る。
これをウェ〖ハ仿侍に斧てみると12インチ(300mm)ウェ〖ハ欄緩墻蝸は8インチ垂換で界拇に凱びているが、8インチウェ〖ハや8インチ踏塔のウェ〖ハの欄緩眶翁を故りつつある。蒼漂唯を紛換すると、媽3煌染袋における12インチウェ〖ハプロセスの蒼漂唯は96.5%、8インチウェ〖ハプロセスは84.3%だが、8インチ踏塔のウェ〖ハプロセスは64.3%と肌媽に皖ちてくる。すなわち5インチ、6インチウェ〖ハの欄緩墻蝸は途っているが12インチウェ〖ハの欄緩墻蝸は顱りないことを山している。供眷婁はもちろん、庚仿の井さいウェ〖ハの悸抨掐眶を故り哈んでいることが哭から辦謄紋臉で粕み艱れる。300mmへのシフトが彈きていることを濕胳っている。
ウェ〖ハ欄緩墻蝸はやや腮籠で籠やしてきていたが、悸抨掐眶がアタマ慮ちあるいは媽3煌染袋になって負警という禍輪を忿えたことは、玲めにブレ〖キを僻んだと雇えてよいだろう。
