NEDO∈糠エネルギ〖帴緩度禱窖另圭倡券怠菇∷とLEAP∈畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∷は、0.37Vという你い排暗で瓢侯するSOIのMOSFETを倡券(哭1)、2MビットのSRAMを活侯し、その瓢侯を澄千した。この喇蔡を6奉11泣から疊旁で倡號されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits∈奶疚VLSI Symposium∷で券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
P. W. Yen會、駱涎UMC家 CEO 駱涎媽2疤のファウンドリ措度であるUMC。2012鉗の坤腸のファウンドリ措度においてはそれまでの媽2疤から4疤に鑼いた。海鉗は船き手しを哭る。丸泣したCEO∈呵光沸蹦勒扦莢∷のP. W. Yen會にその晾いを使いた。 [ⅹ魯きを粕む]
吹莢の看秋眶、鈣帝、攣補を撅に盧年するヘルスケアチップが勢柜の陜薄で玲袋跡聞や玲袋鑼薄などに跟蔡を懼げている。毖柜のファブレス染瞥攣のToumaz家が倡券した你久銳排蝸のヘルスケアチップSensiumVitalsを陜薄で蝗い、その銅跟拉を悸沮したとToumazが券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
坤腸染瞥攣輝眷琵紛∈WSTS∷が2013鉗の染瞥攣輝眷斧奶しを、漣攙(2012鉗11奉)の4.5%喇墓から2.1%喇墓へと布數餞賴した。この呵絡の妄統は、邊奧によってドル垂換での泣塑の輝眷憚滔が絡きく病し布げられたためである。もし、百侖レ〖トが鏈く恃わらなかったと簿年するなら、海攙の徒盧は紛換懼4.0%籠になる。 [ⅹ魯きを粕む]
Bluetooth Smart Readyがアンドロイドフォンにも烹很されることが瘋まった。Bluetooth Smartは、你久銳排蝸惹であるBluetooth Low Energy∈BLE∷の券鷗惹として欄まれた。海、Bluetooth Smart、Bluetooth Smart Readyという憚呈が廟謄されている。この糠憚呈Bluetooth Smartとは部か。BLEとの般いを崔めて、これらを臘妄してみる。 [ⅹ魯きを粕む]
フォトレジストでは、候鉗まではポジ房レジストを蝗い、豺嚨刨16nm笆布、LWR∈俐升の療さ¨line width roughness∷1.3nm笆布、炊刨10mJ/cm2笆布、という眶猛を評ていた。豺嚨刨とLWR、炊刨の話つのパラメ〖タはトレ〖ドオフの簇犯にあるため、話つのパラメ〖タを呵努步させる澀妥がある(哭8)。海鉗は、ネガ房レジストを蝗ってどこまでいけるかの悸賦である。 [ⅹ魯きを粕む]
EUVは濕劑を譬冊しやすいX俐の辦鹼であるため、各池廢にはレンズではなく瓤紀饒を網脫する。瓤紀各池廢のマスクブランクスは、W/Moの帆り手し姥霖菇隴を何っている。ここに風促が掐るとパタ〖ンが夏んでしまうため、痰風促にしたい。マスク浮漢は稍材風である。 [ⅹ魯きを粕む]
EUVのマスク、レジスト禱窖倡券のコンソ〖シアムである、EUVL答茸倡券センタ〖∈EIDEC∷が呵奪の寵瓢鼠桂を乖った(哭1)。僑墓13.4nmのX俐を蝗うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが溪各劉彌を倡券しているが、EIDECは溪各劉彌笆嘲のEUV答塑禱窖を減け積つ。叫獲は柜柒13家で、長嘲5家も鼎票甫墊で徊裁、繃付瀾侯疥とレ〖ザ〖テックは劉彌倡券パ〖トナ〖として徊裁、3絡池と緩度禱窖另圭甫墊疥も徊裁する辦絡コンソ〖シアムだ(哭2)。 [ⅹ魯きを粕む]
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの翁緩墑を叫操しており、その翁緩憚滔橙絡を渴めている面、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス惟ち懼げに晾いを故っていることを湯らかにした(哭1)。 [ⅹ魯きを粕む]
泣塑瀾染瞥攣ˇFPD瀾隴劉彌が攻拇さを積魯している。このほどSEAJ∈泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∷が券山した、4奉の減廟馳ˇ任卿馳ˇB/Bレシオのデ〖タでは、減廟馳が籠え魯け、黎奉徒鱗した奶り、B/Bレシオは鼎に1.00を畝え攻拇を拜積している。 [ⅹ魯きを粕む]
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