UMC、���]委�mからパートナーとの共同開発�_��へ
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ファウンドリビジネスが変わりつつある。「��来、IDMの�攵��ξ�を�屬欧襪燭瓩筌侫．屮譽垢�設��データを渡して���]を委�mするビジネスであったが、LSIユーザーがファウンドリと共に設��する時代へと変ってきている」。5月下旬に東�B国際フォーラムで開かれたUMC Technology Forumで、UMCジャパンの張�n�E社長が語った言��である。 [→��きを読む]
会議報告（レビュー）
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2015 Symposium on VLSI Technologyを振り返って
6月15日〜18日の4日間に渡って2015 Symposium on VLSI Technologyが�B都�xのリーガロイヤルホテル�B都にて開��された。このシンポジウムのテクニカルプログラム委�^長である、東��の稲��聡��にそのハイライトをまとめてもらった。（セミコンポータル��集室） [→��きを読む]
SPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が��した3D-ICの現実解
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が3月25日、開��された(図1)。高集積化の�}段をこれまでの微細化だけではなく、�eに積み�屬欧��擬阿皺辰錣襪噺�て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は��実に進んでいる。 [→��きを読む]
LEAPの成果報告、どう����するか、問われる参加企業
��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）のプロジェクト「低炭素社会を実現する��低電圧デバイスプロジェクト」は平成22�Q度から本�Q度までの5�Q間に渡って研�|されてきた。LEAPが主��する「��4�v 低炭素社会を実現する��低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」がこのほど開かれ、その開発されたデバイスが披露された。 [→��きを読む]
「ダブルパターニングが曲�v」を露呈したFinFET�\術のSPIフォーラム
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東�B御茶ノ水で開��された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのような�e型メモリといったプロセスの3次元化を採り�屬欧拭�2014�Q12月のIEDMでもFinFETが�jきなトピックスを��めたようだ。 [→��きを読む]
2014 IEDMのミステリーを解きほぐす
2014 IEDM（International Electron Devices Meeting）での�jきな問��は、IC業�cが��来に向けてどこに向かっているのかを��確にすることだった。 [→��きを読む]
�O動運転はドライバーの楽しみを奪う？
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「カーエレクトロニクスの未来」が9月16日東�B御茶ノ水で開かれた(図1)。カーエレでは、�Z両�U御やインフォテインメント、�Z内通信など様々なテーマがあるが�kつに絞らず�O動�Z����に渡ったテーマとした。このため、�O動運転に�瓦垢觜佑��機�欧�Δ瞭阿�、�R�屬�ECUやワイヤハーネスをテストするツール、ダッシュボードを変革するグラフィックスIPなど新しい考えやコンポーネントが出てきた。 [→��きを読む]
ルネサス、独�OイベントDevConを開��、実��を��す
ルネサスエレクトロニクスが国内半導��メーカーとしては初めての開発�v会議「Renesas DevCon JAPAN 2014」を東�Bのザ･プリンスパークタワー東�Bで9月2日開��した。これまで、�L外企業ではIntelやFreescale Semiconductor、Texas Instruments、Apple、ARMなどが積極的にプライベートセミナーを開��してきたが、日本の半導��メーカーが主��したことはグローバル企業と�B並みを揃えたといえる。 [→��きを読む]
IoTとは何か(動画)
IoT（Internet of Things）とは何か。ウェアラブルデバイス、M2M、ワイヤレスセンサネットワーク、Industrial Internetなどを�D理してみた。2020�Qに260億��とも500億��とも見積もられているIoTだが、ウェアラブルデバイスも含めてビデオを通して考察する。(動画あり)
[→��きを読む]LEAP、FPGA��スイッチ、STT-MRAM、TRAMをVLSI Sympoで発表
�盜饂�間6月10日からハワイで開かれる2014 Symposia on VLSI Technology and CircuitsでLEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が3�|類のメモリを発表する。FPGAのスイッチとして使う「原子�‘扱織好ぅ奪船妊丱ぅ后廚�STT-MRAMの�k�|「磁性変化デバイス」、PCRAMの�k�|「相変化デバイス」である。 [→��きを読む]
