2015 Symposium on VLSI Technologyを慷り手って
6奉15泣×18泣の4泣粗に畔って2015 Symposium on VLSI Technologyが疊旁輝のリ〖ガロイヤルホテル疊旁にて倡號された。このシンポジウムのテクニカルプログラム把鎊墓である、澎記の梆駝溜會にそのハイライトをまとめてもらった。∈セミコンポ〖タル試礁技∷
2015 Symposium on VLSI Technology∈笆布塑シンポジウムと維す∷の プログラムは6奉15泣のショ〖トコ〖ス∈チュ〖トリアル∷と6奉16×18泣のテクニカルセッションに絡侍され、さらに票箕袋に2泣粗オ〖バ〖ラップして倡號されたSymposium on VLSI Circuits∈笆布Circuitsシンポジウムと維す∷との鼎票プログラムも眶驢く悸卉された。
テクニカルセッションの徊裁判峽客眶は600客を警し布攙る鎳刨、尉シンポジウムを圭わせると1100客を畝える徊裁莢があり、ここ呵奪8鉗粗では呵驢客眶となった。 海鉗は171鳳の辦忍俠矢抨蠱があり、68鳳を奶撅俠矢として何買した。 それらにプレナリ〖怪遍2鳳と痙略怪遍俠矢8鳳を裁え、圭紛78鳳の怪遍がテクニカルセッションで券山された。 また海鉗はCircuitsシンポジウムのプレナリ〖セッションにも徊裁できるようにプログラムを試喇したので、眶驢くの數がいろいろな怪遍を陌怪していただけたと蛔っている∈哭1∷。
哭1 プレナリ〖セッション潔灑慎肥∈6/17 Circuitsシンポジウム∷
また海攙は塑シンポジウムが1981鉗に介めて倡號されてから35攙謄ということで淡前乖禍も倡號され、そこでは悟凰を慷り手るとともに、35鉗粗を漣染20鉗粗と稿染15鉗粗の企つに尸けてそれぞれMost Prolific Author Award∈呵驢侯螟莢ˇ鼎螟莢巨∷とMost Frequently Cited Paper Award∈呵驢蕊苞脫俠矢巨∷を肋けて山敬した。これらの拒嘿についてはシンポジウムのWebサイトに潑肋ペ〖ジを潔灑面なので侍龐徊救していただきたい。
懼淡に簇息して猖めて1981鉗9奉に乖われた媽1攙シンポジウムでのW. F. Kosonocky窮晃∈RCA Labs.∷と拍面炯企黎欄∈澎疊絡池∷の倡號哀虎矢を且斧する怠柴があったが、そこには碰箕からVLSI Technologyの倡券謄弄は、∩achieve Very High Speed, Very High Density for HQ information processing at Low Cost "であるとし、その倡券を答にして"Improved productivity, New concepts in education and communication, and Substantial Changes in work and recreational Life Style"を奶じて鏈ての緩度腸の改」にInformation Revolutionをもたらすものであると慨じるˇˇˇと淡很されていた。
塑シンポジウムでは碰箕のこのコンセプトが賴に坍」と附哼まで減け費がれており、染瞥攣燎灰∈CMOSデバイスだけでなく、メモリセル、イメ〖ジセンサ燎灰なども崔む∷、LSIの腮嘿步、光拉墻步および你久銳排蝸步などが的俠されてきている。ただし奪鉗ではより光刨な攫鼠家柴に羹けたVLSIのあり數を的俠するために、プログラム把鎊柴ではここ眶鉗粗でシンポジウムのスコ〖プを罷急して弓げてきている。 燎灰の亨瘟もSiに嘎年せずに、また攙烯肋紛、システム肋紛霹とデバイス禱窖の定拇も崔めて弓盜のVLSI禱窖を討灣しようとしている。
海攙のシンポジウムに抨蠱ˇ何買された俠矢の柒條を斧ると、ここ眶鉗の飯羹と票じでメモリ簇息に尸梧される俠矢が驢く、鏈攣の26%動を貍める∈哭2∷。その戮はAdvanced CMOS禱窖 / Non-Si Devices / Device Physics & Characterizationなどを圭わせて40%鎳刨、荒り腆33%がProcess / Reliability / Beyond-CMOS / Design Enablementなどに陵碰する。
哭2 抨蠱ˇ何買俠矢の尸填侍飯羹∈2015 Symp. on VLSI Tech.∷
塑シンポジウムで鼠桂された俠矢をCMOSデバイス禱窖簇息から慷り手ってみる。 2015鉗の海、濕妄弄なCMOSデバイス腮嘿步は氦豈になってきているもののそれが貸に賄まってしまったわけではなく、黎へ渴む咆蝸がなされている。 海攙も肌のような鼠桂があり、稱家が高いに頂凌しつつ緬悸に坤洛が渴殊している。
•14 nm SoCプラットホ〖ム禱窖∈Intel、T2-1∷
•16 nm SoCに羹けたI/O羹けFinFETデバイス呵努步∈TSMC、 T11-3)
•畝你久銳排蝸羹け14 nm FD-SOI禱窖∈STMicroelectronics, CEA-LETI & IBM、T13-1∷
さらにそれ笆慣の10 nm-7 nm坤洛に羹けては、肌のような妥燎禱窖もきめ嘿かに的俠された。
•P∈リン∷のホットイオン廟掐を脫いたソ〖スˇドレイン儡圭妨喇禱窖∈imec & AMAT、T3-5∷
•你鳥鉤コンタクト妨喇禱窖∈STMicroelectronics & CEA-LETI, T8-1およびAMAT T8-2∷
•n房端嘿俐メタルゲ〖ト妨喇禱窖∈imec & AMAT、T11-1∷
•Cu芹俐禱窖∈IBM&GLOBALFOUNDRIES、T8-3∷
陵恃わらず坤腸面でCMOS腮嘿步に羹けての靠燙謄な艱り寥みが乖われている。
その辦數で姐胯なSi笆嘲の亨瘟、毋えばSiGe、GeやIII-V虜染瞥攣、もしくはGaN、IGZO∈InGaZnO∷、およびMoS2をチャネル撾拌の亨瘟として脫いたトランジスタ禱窖やプロセス禱窖の俠矢も眶驢く鼠桂された。辦毋をあげれば、肌のような鼠桂があった。
•Ge腔刨を光めたSiGe-OI pMOS FinFET ∈IBM、T2-3∷
•0.5nm EOT Ge Oxideの慨完拉羹懼∈Univ. of Tokyo、T2-4∷
•Ge FinFET CMOS攙烯の浮沮∈Purdue Univ、T6-2∷
•風促の警ないエピタキシャル喇墓を蝗ったInGaAs-on-Insulator MOSFET∈IBM Research、 T13-3∷
•チャネル墓∈Lsd∷15 nmのMoS2 FET ∈imec & KU Leuven、T3-4∷
このようにLSIの光拉墻步、你久銳排蝸步に羹けた亨瘟ˇプロセスˇデバイス菇隴などの聯買昏は奪鉗締廬に籠えつつある。さらに3肌傅のchip-chip姥霖禱窖や、答饒面に墻瓢燎灰を雖め哈んでしまうInterposer禱窖∈imec、JFS4-1∷なども捏捌されていて、奪い經丸に鹼」のモジュ〖ルを辦つのチップに殊偽まり紊く悸劉できるようになり、蛔いもよらなかった怠墻弄なLSIが侯られる慌寥みができつつある。
さて、いろいろな禱窖が喇較してきて、肌の啼瑪はその懼で部を侯るか、である。海攙のシンポジウムのキ〖ワ〖ドの辦つは∩IoT (Internet of Things)∩であった。 ショ〖トコ〖スやジョイントフォ〖カスセッションなどでは海鉗刨は措茶檬超からIoTを恢羹するテ〖マが捏捌され、把鎊柴でも罷哭弄にそれらを何脫した。しかしそういう措茶を慌齒けなくても抨蠱俠矢の掣を倡けてみると、海鉗はIoTを恢羹した俠矢が鏈攣弄に驢く、答撩弄な車前からデバイス炳脫、辦嬸はシステム菇蜜までをカバ〖していたと蛔う。改客弄にはこの攔り懼がりは2000鉗洛介片にSoCという咐駝が叫てきた箕に擊ているような丹がしている。
IoTは豆盜にはセンサエリアネットワ〖クの辦茨を菇喇する車前であって、畝久銳排蝸∈Ultra-low Power, ULP)のCPUとメモリ、稱鹼のセンサ廢とその借妄廢、嘲嬸との奶慨嬸∈RF/Analog∷、および排糜もしくはMEMS券排燎灰などによるエネルギ〖ハ〖ベスティングを灑えたシステムということだと蛔っていたが、海攙は極瓢笨啪などを幌めとするクルマへの炳脫などもその辦茨として的俠され、警しずつではあるが惡攣弄な敞が斧えてきたように蛔う。
これらのIoT羹けのLSIを雇えたとき、久銳排蝸と拉墻の囪爬から呵黎眉禱窖をどうやって蝗いこなしていくのか、という的俠が攔り懼がってきている。毋えば、肌のような俠矢などがまさに海稿のIoT羹けLSI肋紛のお緘塑になるのではないか、と蛔われる的俠であった。
•10 nm坤洛羹けの你久銳排蝸LSIを悸附するためにFinFETの拉墻と大欄跟蔡∈= フィンピッチ / フィンの光さの努賴步∷とBEOLのRCを呵努步する肋紛緘恕の捏捌∈Qualcomm、JFS1-3)
•さらに懼淡の雇え數を7nmノ〖ド羹けに的俠を渴めてフィンの塑眶に擴嘎を肋けることで大欄跟蔡你負と排萎額瓢蝸とのバランスを謄回す肋紛緘恕の捏捌∈Qualcomm、JFS3-4)
•クルマ羹けにエンジンル〖ム柒コントロ〖ラ羹けSG-MONOS eFlashメモリの何脫とその戮のセンサなどの賈柒SoC羹け16 nm坤洛マイコン光拉墻步に羹けたFinFET SRAMの捏捌∈ルネサス、JFS1-1)
また介泣に乖われたショ〖トコ〖スにおいてもIoTに脫いられるセンサや券排燎灰に簇しての督蹋考い券山があり、テクニカルセッションに羹けた潤撅に紊いイントロダクションになったと蛔う。
辦數、メモリについてはDRAMとNANDフラッシュに魯く肌坤洛メモリ〖の塑炭が陵恃わらずまだ稍譬湯である。とは咐っても孺秤弄窗喇刨が懼がってきているReRAMやPCRAMについては瓢侯付妄の妄豺が渴み、亨瘟廢も皖ち緬いてきたので、かなり悸瀾墑に奪いところが的俠されるようになってきており、肌のような俠矢が鼠桂された。
•フィラメント妨喇撾拌をプロセス弄に豆めることで奧年した潑拉を積つ28nm坤洛 寥み哈み炳脫羹けのReRAM燎灰の捏捌∈パナソニックとimec、T2-2∷
•27nm 坤洛の16Gb 光泰刨ReRAMセル∈Micronとソニ〖、JFS2-2∷
•2鉗漣の券山箕からさらなる猖紊を裁えて光廬今き哈みˇ久殿を悸附した3D vertical chain cell PCRAM ∈泣惟、T7-1∷
またSTT-MRAMは光廬拉と紊攻なエンデュアランスが袋略されるので辦嬸からは肌坤洛メモリとして塑炭渾されているが、海攙はMRAMに脫いられるMTJ∈Magnetic Tunnel Junction∷の裁供禱窖猖簾による拉墻羹懼に簇して澎頌絡から2鳳券山があった。
•煥燎プラズマシャワ〖稿借妄によるMTJ裁供ダメ〖ジ你負∈澎頌絡、T12-1∷
•p-MTJ∈庫木佰數拉を積つMTJ∷において、卵錢拉猖簾を活みたもの∈澎頌絡、T12-2∷
さらには、MTJ炳脫に簇する鼠桂があった。
•MTJの"0"覺輪と"1"覺輪の叫附澄唯が磅裁排暗とパルス升に巴賂することを網脫したA/Dコンバ〖タ∈Univ. of Minnesota、T12-3)
•MTJ撾拌をアンチフュ〖ズとして撬蟬してOTP∈One-Time Programmable Memory)をMRAMと票箕に悸附したもの∈TDK-Headway、T12-4)
•p-MTJを脫いたNonvolatile FPGA test chip (澎頌絡、JFS3-2)
どれも付妄弄には燙球いが、袋略奶りの光廬今き垂え、今き垂えに灤するエンデュアランス、そして你久銳排蝸の3秋灰そろった腮嘿MRAMセルの鼠桂はなかった。辦癸も玲い箕袋での券山が略たれる。
笆懼、塑シンポジウムで鼠桂された肩妥な俠矢の車維を揭べてきた。給士拉を瘦つためにできるだけ驢くの俠矢を毋に艱り懼げたつもりだが、それでも繪燙の旁圭で腳妥な俠矢で臼維したものも驢い。辦嬸の俠矢については肩號莢婁が聯んだハイライトとしてシンポジウムのウェブサイトのメディアペ〖ジにティップシ〖トとしてまとめて非很しているので駛せてご徊救いただきたい。
呵稿に、塑シンポジウムのエグゼクティブ把鎊墓である紡劓絡池輥拍瞄弓兜鑒、シンポジウム把鎊墓である澎疊絡池欄緩禱窖甫墊疥士塑接蝦兜鑒をはじめ、鹼」のプログラムの措茶ˇ笨蹦にご定蝸いただいた稱プログラム把鎊、シンポジウム禍壇渡稱疤、そして塑シンポジウムに徊裁して錢看に的俠していただいた怪遍莢と陌怪莢の數」鏈てに告伍を拷し懼げたい。
丸鉗のシンポジウムに羹けた潔灑も貸に倡號しており、2016鉗6奉13泣にショ〖トコ〖スが、また6奉14泣×16泣にホノルルでテクニカルセッションが乖われる徒年である。丸鉗も驢くの數に俠矢抨蠱していただき、徊裁していただけることを磊に搓っている。
