Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採��
Intelは、�盜饂�間3月31日に開��されたCloud Dayにおいて、クラウド�x場でのストレージの高�]化のため、3D-NANDフラッシュを�W��したSSD（半導��ディスク）をはじめ、XeonプロセッサE5-2600 v4もセットで発表した。Intelが3D-NANDのSSDを発表したのはこれが初めて。 [→��きを読む]
�噞分析
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Bluetoothの進化は��く
Bluetoothの進化は�Vまらない。このほど来日した、Bluetooth SIG（Special interest Group）Director of Developer ProgramsのSteve Hegenderfer��は、今Bluetoothは通信�J囲の拡�j、通信�]度の向�屐▲瓮奪轡絅優奪肇錙璽�という��つの�妓�に向けて進化しているという。さらにビーコンもBluetoothの�jきなトレンドになる。 [→��きを読む]
電子キーに実�△任�るアルコール検出�_のカギはセンサとアルゴリズム
クルマのキーレスエントリは、ボタンを押すだけで�`れたクルマのカギを開けられる電子キーだが、このデバイスにアルコール検出�_を載せる研�|を本田�\研工業と日立��作所が進めている。共同開発した小型の�}気アルコール検出�_の�\術的なメドが立ち、共同で記�v会見を開いた。 [→��きを読む]
SanDisk、クルマ��のフラッシュカードに進出
東��の四日�x工場でNANDフラッシュを�攵�しているSanDiskがSDカードで�Z載分野に進出する。4月には、8GBから16GB、32GB、64GBという容量を�eち、最�j20MB/sのシーケンシャル書き込み/読み出し性�Δ鮗存修掘△靴�も�W��仕様AEC-Q100��格の認証を�D�uしたSDカードを出荷する。動作�a度�J囲が-40℃〜85℃と広く、�O動�Zに使えるレベルに達している。 [→��きを読む]
ファブレスに進むならシステムとソリューション充実が不可�L、VIAの戦�S
かつてIntelのx86互換機のチップセットメーカーとして、世�c的に�@をはせていたVIA Technologiesがファブレス半導��から、マザーボード、組み込みシステム、ソフトウエアも含めたソリューションへと業�cの壁を��えた新業��に挑戦している(図1)。しかし、��点をテクノロジーに据えると、ファブレスもソリューションもさほど変わらなくなっていることがわかる。まず言��を定�Iしよう。 [→��きを読む]
�咾�! 国内���]����メーカー
![�咾�! 国内���]����メーカー](/assets_c/900px/160311-intel.png "�咾�! 国内���]����メーカー")
Intelが半導�����]����や材料のサプライヤーに�瓦靴突燭┐襦�2016�QのSCQI（Supplier Continuous Quality Improvement）賞の�p賞企業が発表された。数�h社から��ばれた�p賞企業8社の内、7社が日本メーカーであった。 [→��きを読む]
Maxim、世�cのトレンドに合わせて戦�S�aり直し
世�c的な半導���噞再��の中、�盜饕聟�のアナログ半導��メーカー、Maxim Integratedは�W益が出ているうちに業�cのトレンドにあった形に再構築する、という�疑砲膿靴靴だ鐓Sを�aり直した。10以�屬△辰慎�業�靆腓�4�靆腓帽覆蝓▲侫．屬眷箋僂靴拭�再構築（リストラ）といっても人をカットした�lではない。 [→��きを読む]
IoTを早くビジネスにするコンソーシアム��出
IoTビジネスをいち早く立ち�屬欧襪燭瓩砲蓮▲�ラウドとの連携が�Lかせない。クラウドプラットフォームを提供する業�vを�Dり巻くコンソーシアムの発表が相次いでいる。Microsoftと東�Bエレクトロンが主導する「IoTビジネス共創ラボ」（図1）、IBMと国立情報学研�|所が組む「コグニティブ･イノベーションセンター」、アナログデバイセズは、PTCの子会社のThingWorxと組んだ。半導��メーカーはどこかと組まなければIoT実現は��れる。 [→��きを読む]
絶好調アナデバの2016�Q戦�S、やはりIoTと5G
Analog Devices Inc.が工業��IoTと5Gに成長テーマを定め、実��化を加�]している。ADIの日本法人アナログ･デバイセズは17日、今�Qの説��会を都内で開��、業績の詳細と戦�Sについて発表した。2015�Q度は売�幢Y20%成長した。��にIoTの実��化に向けた動きは�]い。 [→��きを読む]
NY��SUNYとGlobalFoundries、EUVを共同開発、5億ドル投�@で拠点設��
�盜颪砲�ける先端半導��開発の拠点の�kつ、SUNY Polytechnic InstituteとGlobalFoundriesは、EUVリソグラフィの量�僝に向けて5�Q間で5億ドルのプログラムを推進すると共同発表した。このプログラムではIBMや東�Bエレクトロンなど半導��メーカー、����・材料メーカーのネットワークを最�j限に�W��、開発センターを設立する。 [→��きを読む]
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