図1　4ビット/セル、64層のSSDカード　このカードを2.5インチSSDの����に実��

インターフェースにNVMe PCIe Gen 3を4チャンネル含み、PCやゲーム機などの立ち�屬�りを高�]にする。このSSDカードを2.5インチのHDDと同じ�j(lu┛)きさのケースに実�△垢襦�昔からのストレージ��格であるSATAインターフェースではなく、NVMe PCIe 3インターフェースを使い、性�Δ��屬欧討い襦�P1 SSDとしては500GBと1TBの����を27日に発売するが、2TBの����は�Zいうちに発売する予定。500GB����の�[定価格は、1万4000��。5�Q保証はこれまでと同じ。

4ビット/セル��(sh┫)式で64層の3D-NANDフラッシュは、NANDフラッシュメーカーが��争して開発している����。4ビット/セル��(sh┫)式は、1と0の間を2の4乗分の1、すなわち1/16ステップに分割し、4ビット分を表現する��(sh┫)式で、電圧マージンが極めて狭くなるため、誤り�ﾙ��v路が�Lかせない。また、64層の3次元プロセスで4ビット/セル��(sh┫)式のNANDフラッシュのバリュー�x場へ出荷するのはこれが初めて。消�J�vや中小企業向けを狙う。

Micronは、これまでCMOS�v路の�屬防碆^ゲート型メモリセルを構成する��(sh┫)式（�H層配線のBOEL層に形成）を�Dってきたが、最�Zこの��(sh┫)式をやめ、東��メモリやSamsungと同じMNOS��(sh┫)式に変えることを発表している。ただし、この����がMNOSを適��したかどうかについては、��らかにしていない。1TBのSSD����のキャッシュにはSLC（1ビット/セル）��(sh┫)式のNANDフラッシュを��い、DRAMは使わないことが�Hいという。

図2　�k般消�J�v向けSSDの仕様　QLCで64層3D-NANDを搭載　出�Z：Micron Technology

その他の仕様として、ランダム読み出し�]度は500GB��が90K IOPS（I/O Per Second）、1TB��は170K IOPS、ランダム書き込み�]度は、それぞれ220K IOPS、240K IOPS、消�J電��は動作時平均100mW、総書き込みバイト数（TBW）はそれぞれ100TB、200TBである（図2）。