ST-MRAMは1Gビットに、Everspinがサンプル叫操
Everspin Technologies家は、1Gビットという光礁姥のST∈spin torque∷-MRAM∈Magnetoresistive random access memory∷チップのサンプル叫操を幌めた。剩眶の潑年ユ〖ザ〖羹けのチップであり、翁緩は踏年。これまでのST-MRAMの呵光礁姥刨は256Mビットだった。
哭1 MRAMはRAM瓢侯材墻なくらい今き垂え攙眶が驢く、しかも今き垂え箕粗もRAMに奪いほど廬い 叫諾¨Everspin Technologies家ホ〖ムペ〖ジ
MRAMはこれまで礁姥刨を懼げにくく、Gビットの瀾墑が豈しかった。Everspin家は、GlobalFoundriesの300mmラインを蝗い、28nmCMOSプロセスで瀾隴することで光礁姥步を茫喇したとしている。驕丸は40nmラインだった。メモリセルにはEverspinが潑釣を積つpMTJ∈perpendicular magnetic tunnel junction∷禱窖を蝗っている。
ST-MRAMは、これまでのNANDフラッシュをはじめとする稍帶券拉メモリと孺べ、今き垂え攙眶∈Endurance∷が驢く、RAMのように蝗えることが潑墓である。裁えて、街箕匿排などの辦街の排蝸匿賄に灤して、驕丸はス〖パ〖キャパシタやバッテリを脫罷する澀妥があったが、この稍帶券拉RAMはその澀妥がなく、ストレ〖ジデバイスの慨完拉と拉墻を光められる。裁えてNANDフラッシュベ〖スのSSDは、今き哈み籠升∈Write amplification∷やオ〖バ〖プロビジョニングといった今き侖え攙眶の嘎腸があるが、ST-MRAMは今き垂え攙眶がほぼ染筆底弄なので、こういった啼瑪を攙閏できる。瀾墑嘆はEMD4W001G。
1Gビット墑の倡券とは侍に、票家は256MビットのDDR3 ST-MRAMチップを悸劉したストレ〖ジアクセラレ〖タ、nvNITRO瀾墑ラインをリリ〖スした。この瀾墑は1GBと2GBの瀾墑がある。MRAMはDRAMやSRAMのように廬く、しかも排富を磊ってもメモリ柒推が瘦賂される稍帶券拉。nvNITROの拉墻は、エンドツ〖エンドのレイテンシが6µsしかなく、150它IOPS∈I/Os per second∷のI/O拉墻を積つ。PCIe Gen3光廬インタ〖フェ〖スを8レ〖ンまで灤炳、PCIeカ〖ドの染尸の光さと墓さしかない井房妨覺である。NVMeおよびMMIOインタ〖フェ〖スもサポ〖トする。叫操は2017鉗媽4煌染袋を徒年している。
Everspinは、これまでもMRAMを?yàn)戨]しており、蕪紛で7000它改を叫操してきたという。
