図1　暗��(gu┤)キーを乱数発�昊_(d│)と��容内のプロセスばらつきを�W(w┌ng)��して�收�するeMemoryのIP　PUFはPhysical Unclonable Functionの�Sで、�駘�的にクローンできない機�Δ鯀T味する　出�Z：eMemory

半導��チップのセキュリティを�_��する企業は、それほど�Hくないため数社に絞り、顧客が�O分で暗��(gu┤)キーを�收�する�}�\けを行う。eMemoryはあくまでもIPを提供し、顧客のチップに組み込む�мqを行うか、あるいは暗��(gu┤)キーと乱数発�昊_(d│)を集積したチップそのものを提供するか、いずれかのビジネスになる。このIPはアンチフューズ��(sh┫)式の不ｧ発性メモリの�k�|のOTP（One Time Programmable）メモリであり、暗��(gu┤)キーを�收�するのはあくまでも顧客である。

なぜ、暗��(gu┤)キーが��要か。スマートホームをはじめとして、さまざまなデバイスがインターネットにつながる時代になれば、つながった�X��からデータが盗まれる�e(cu┛)険性が高まる。Wi-FiやモバイルネットワークRAN（Radio Access Network）を通じてインターネットと常時つながった�X��ではサイバー��撃されやすい。しかし、IoTデバイスの価格はセキュリティを守るためだけで�屬欧蕕譴覆い燭瓠△任�るだけ低コストでセキュアな環境を作り出したい。この�kつの解が暗��(gu┤)キー�收���のIPだ。

IDとパスワードなどの認証によって、コンピュータに侵入し、欲しいデータを盗むとしても、そのデータに暗��(gu┤)がかけられていれば、すぐには解読できない。解読するためには時間がかかる。IoT時代にはセキュリティを保つことはマストである。

この不ｧ発性メモリIPのNeoFuse IPは暗��(gu┤)キーを半導��チップに�mめ込むために使う�lだが、二つの��(sh┫)法を使う。�kつは乱数発�昊_(d│)�v路を組み込むことで、もう�kつはチップが�eつ��容�J(r┬n)囲内のプロセスばらつきを�W(w┌ng)��する��(sh┫)法だ。この二つの��(sh┫)法を使って暗��(gu┤)キーを作れば、乱数コードが例え解読されても、プロセスばらつきまで解読できない。プロセスばらつきを�W(w┌ng)��する��(sh┫)法は、��常��として動作するチップに32ビット分のメモリに、0か1かの電圧をかけ、わずかなプロセスのばらつきによって0でも1でもなるようにしておく。このためチップによって0になるものも1になるものも出てくる。このため人為的に数�C(j┤)を調�Dできない。

eMemoryの�\術のメリットは、ランダム性が�O��に��まり人為的な要素が入り込まないため、機密性が保たれやすい。しかも、アンチフューズ型でプログラムするため、�a(b┳)度や電圧が�H少ばらついても、書きこんだ情報が反転することはない。浮�^ゲート��(sh┫)式だと、�a(b┳)度や電圧、��(c┬)電圧などの影�xを�pけやすかった。

このIPをチップに集積する場合、すでに0.15µmプロセスから28nmプロセスまで�官�できており、16/14nm FinFETプロセスも開発されてきた。10nmプロセスへの適��検討も始まっている。eMemoryのIP�\術は営業��動で日本を�vっているが、動きがいまだに��いのが気になるとしている。