インホイ〖ルモ〖タEVは泣緩リ〖フと票じ排糜推翁で1.6擒の掛魯調違を茫喇
排丹極瓢賈∈EV∷の賈嗚ごとにモ〖タを艱り燒け、そのモ〖タで額瓢する≈インホイ〖ルモ〖タ數及∽がEVの點き疥であった掛魯調違を墓くできることを、クルマを活侯したシムドライブ家が悸沮した。票家は紡劓盜轎絡池兜鑒の藍垮估會がこの數及のEVの玲袋悸附のために、ベネッセホ〖ルディングス柴墓の省紳辶辦蝦會らと鼎に肋惟した甫墊倡券柴家。
哭1 シムドライブが倡券したSIM-LEI は24.9kWhの排糜で333kmの掛魯調違を茫喇
排丹極瓢賈∈EV∷は排糜推翁を絡きくすれば掛魯調違が墓くなるが、その尸、絡きな攣姥を貍めてしまい碉交鄂粗が豆くなる。海攙倡券したSIM-LEI(哭1)は、トヨタのレクサス事みの碉交鄂粗を積ち、掛魯調違は333kmと泣緩極瓢賈のリ〖フ∈Leaf∷の200kmより1.6擒笆懼も墓い(山１)。Tesla家のRoadstarと孺べると1.8擒墓く、話嫂のiMiEVと孺べると1.3擒も墓い。SIM-LEIは鏈墓4790mm、鏈升1600mm、鏈光1550mmの4客捐りの捐脫賈で、トランクル〖ムにはゴルフバックが4つ掐るほどのスペ〖スがある。
SIM-LEIはモ〖タで賈嗚を木儡額瓢することによって、トランスミッション廢の怠常弄なロスがなくなるため、エネルギ〖跟唯が光く、掛魯調違がこれまでの排丹極瓢賈よりも墓いという。モ〖タのトルクはガソリンエンジンのトルクよりも絡きいため、裁廬拉墻も紊く、0ⅹ100km/箕は紛換猛だが4.8擅だという。呵光廬刨は150km/箕。ガソリン賈の淺銳垂換ではリッタ〖碰り70kmと卻凡である。
山1 これまでの排丹極瓢賈との孺秤 *1∷JC08モ〖ド瘤乖、*2) LA4モ〖ド瘤乖、*3) 10.15モ〖ド瘤乖、*4) 給山されている掛魯調違および排糜推翁から換叫した猛、*5) SMI-LEIは戮のEVよりどの鎳刨、掛魯調違が墓いかを績している 叫諾¨シムドライブ
SiCデバイス悸附に絡いに袋略
シムドライブの洛山艱涅舔家墓の藍垮估會は、≈倡券という渾爬からも猖紊すべき爬はまだ驢い。潑に絡きな攣姥を貍めるインバ〖タ嬸尸を井さくしたい∽と揭べる。インバ〖タで呵も絡きな攣姥を貍める嬸尸は垮武劉彌である。附哼蝗っているシリコンの≈IGBTをSiCデバイスに侖えると、垮武しなくてもすみ250☆鎳刨でも蝗えるようになる∽として、藍垮家墓はSiCデバイスを玲く瓦しいと妥司している。
悸脫弄なSiC FETでは、MOSFETよりもJFETの數が翁緩步は玲そうだ。ロ〖ムやデンソ〖などからSiC MOSFETの倡券券山はあるが、これまでのところ翁緩步にはまだほど斌く、山燙を萎れる排萎が澆尸ではない。これに灤してインフィニオンが券山しているSiC JFETはバルクを排萎が萎れるため、山燙潔疤の逼讀を減けることがなく澆尸な排萎を何れるという動みがある。しかし、奶撅はノ〖マリオン房になってしまうため攙烯を供勺してpチャンネルMOSFETと寥み圭わせたカスコ〖ドライト儡魯によってノ〖マリオフを悸附している(徊雇獲瘟1)。
ドイツのインフィニオンテクノロジ〖ズ家は6奉15~17泣、澎疊ビッグサイトで倡かれた≈スマ〖トグリッド鷗2011/肌坤洛極瓢賈緩度鷗2011∽においてSiCのJFETとショットキダイオ〖ドを鷗績しており、それを蝗ったハ〖フブリッジのモジュ〖ルも鷗績している。ここでは卵暗1200V、排萎30A、オン鳥鉤100mΩというJFETモジュ〖ルの慌屯である。このSiC JFETを蝗って20kWのインバ〖タを寥み、跟唯97%で攣姥は10cm∵10cm∵10cm笆柒∈885cm3∷に箭まり、腳翁1.7kgを悸附している。ただし、睛度弄に掐緘材墻になるのは2011鉗12奉の徒年だとしている。インフィニオンはまだシムドライブに羌掐した悸烙はない。
シムドライブは、極瓢賈メ〖カ〖、嬸墑メ〖カ〖、モ〖タメ〖カ〖、亨瘟メ〖カ〖、睛家、任卿柴家など32家と企つの極跡攣が甫墊倡券銳として辦庚帽疤で獲垛捏丁する甫墊倡券のための柴家であり、鉗刨ごとに徊裁莢からの柴銳で鏈ての銳脫を嚇っている。帽鉗刨に1駱活侯賈を侯り、稱家に禱窖を敗啪するという慌寥みのサポ〖トˇコンサルティングも乖う。この柴家で侯るクルマにはインホイ〖ルモ〖タ、バッテリ烹很嬸、インバ〖タ嬸などクルマの答塑弄な菇喇を鼎奶プラットフォ〖ムとし、この懼にクルマ潑銅の怠墻やボディの妨を極瓢賈メ〖カ〖などの徊裁措度が侯り哈んでいく。海攙の媽1規賈は2010鉗1奉19泣から2011鉗3奉31泣までの粗に侯り哈んだクルマとなった。
藍垮家墓が彈度したのは、排丹極瓢賈の倡券を30鉗もやってきてインホイ〖ルモ〖タ數及のEVを玲袋に悸脫步したいという動い蛔いがあり、絡池兜鑒という惟眷では豈しいと冉們したため。ベネッセの省紳辶辦蝦會やナノオプトニクスˇエネジ〖の疲付臀家墓、ガリバ〖インタ〖ナショナルの暴幕敷輝柴墓などからの叫獲を傅に2009鉗8奉に彈度した。海稿はさらに2規賈、3規賈を倡券していく。
徊雇獲瘟
1. SiC Switching device by Infineon"Cascode-Light": SiC JFET and Low power MOSFET、SPIフォ〖ラム≈パワ〖エレクトロニクスの鏈似と染瞥攣の踏丸〗〗排丹極瓢賈、茨董、浩欄材墻エネルギ〖のカギを愛る∽、肩號セミコンポ〖タル
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