MEMSセンサ〖輝眷は2016鉗にかけ鉗唯15%で喇墓するとYoleが徒盧
MEMS輝眷は2010鉗から2016鉗までに鉗唯士堆15%で喇墓する、とMEMSの輝眷拇漢を緘齒ける施Yole Developpement家が券山した。2010鉗の87帛ドル輝眷が2016鉗には196帛ドルに喇墓すると徒盧している。 [ⅹ魯きを粕む]
輝眷尸老
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8奉の染瞥攣瀾隴劉彌のB/Bレシオは0.76に你布、減廟馳が3ヵ奉息魯締慣布
泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∈SEAJ∷が券山した、泣塑瀾染瞥攣瀾隴劉彌の8奉のB/Bレシオは、0.76と7奉の0.84から你布した。この眶機(jī)は3ヵ奉の敗瓢士堆で換叫したもの。もう辦つの回篩である、泣塑瀾FPD瀾隴劉彌の8奉におけるB/Bレシオは1.32と、これまでとほぼ恃わらない。 [ⅹ魯きを粕む]
坤腸の染瞥攣瀾隴劉彌輝眷、3煌染袋息魯玻ばい魯く、やや妥廟罷
SEMIは、SEAJ∈泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∷の定蝸を評て、2011鉗媽2煌染袋における染瞥攣瀾隴劉彌の任卿馳が漣鉗票袋孺31%籠の119帛2000它ドルになったと券山した。漣煌染袋と孺べると1%負(fù)であり、3袋息魯ほぼ玻ばい覺輪が魯いている。 [ⅹ魯きを粕む]
泣塑瀾染瞥攣およびFPD瀾隴劉彌のB/Bレシオに恃拇
SEAJが券山した、7奉における泣塑瀾染瞥攣およびFPD瀾隴劉彌のB/Bレシオ∈任卿馳に灤する減廟馳の孺∷がそれぞれ、0.84と1.38になった。鼎に減廟馳が皖ちてきており、妥廟罷である。 [ⅹ魯きを粕む]
シリコンウェ〖ハの叫操燙姥は、凰懼2戎謄の眶猛に攙牲
SEMIは、2011鉗媽2煌染袋におけるシリコンウェ〖ハの叫操燙姥は籠裁に啪じたことを券山した。それによると、坤腸のシリコンウェ〖ハ叫操燙姥は23帛9200它士數(shù)インチと、漣鉗票袋孺1%籠、漣袋孺5%籠という馮蔡になった。 [ⅹ魯きを粕む]
2011鉗懼染袋の坤腸染瞥攣ランキング、インテルは浩びサムスンを苞き違す
2011鉗懼染袋の坤腸の染瞥攣メ〖カ〖トップ20家が勢輝眷拇漢柴家のICインサイツ∈Insights∷から券山された。これによると、勢インテルの儉疤は蛻らぎなく、稍瓢の孟疤を蓋めた炊がある。納い懼げの楓しかった躥柜のサムスン排灰を苞き違した呈攻だ。 [ⅹ魯きを粕む]
サムスンとの汗を浩び絡(luò)きく倡けられた澎記のNANDフラッシュ
NANDフラッシュビジネスにおいて、サムスン排灰∈Samsung Electronics∷と澎記との汗が浩び弓がった。2011鉗媽2煌染袋におけるNANDフラッシュ輝眷のランキングが券山された。これによると、漣煌染袋∈1×3奉∷には澎記の卿り懼げは18帛8300它ドルと、サムスンの19帛4100它ドルにほんのわずかのレベルまで趨ったが、媽2煌染袋は絡(luò)きく苞き違された。 [ⅹ魯きを粕む]
6奉の泣塑瀾染瞥攣瀾隴劉彌の減廟馳、任卿馳とも2充負(fù)警、妥廟罷
泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∈SEAJ∷は、2011鉗6奉の染瞥攣瀾隴劉彌およびFPD∈フラットパネルディスプレイ∷瀾隴劉彌のB/Bレシオを券山した。これによると、染瞥攣とFPDでは、端めて灤救弄な馮蔡であり、染瞥攣は黎乖きが紊くないサイン、FPDは紊いサインを績した。 [ⅹ魯きを粕む]
SICASの媽1煌染袋デ〖タ尸老から斧えてくる、染瞥攣緩度の絡(luò)きな萎れ∈2∷
2011鉗媽1煌染袋におけるシリコンICの欄緩墻蝸ˇ悸抨掐綏眶のデ〖タにおいて、MOS ICのμm侍のデ〖タが燙球い飯羹を績していることに丹が燒いた。それは、MOS ICの欄緩墻蝸も抨掐眶も0.12μm笆懼だとほぼ玻ばいで夸敗しているのに灤して、0.06μmから0.12μm踏塔までのウェ〖ハは負(fù)筷、0.06μm踏塔のウェ〖ハは籠裁飯羹を績していることだ。 [ⅹ魯きを粕む]
SICASの媽1煌染袋デ〖タ尸老から斧えてくる、染瞥攣緩度の絡(luò)きな萎れ∈1∷
2011鉗媽1煌染袋におけるシリコンICの欄緩墻蝸は漣煌染袋孺0.9%籠、悸抨掐ウェ〖ハ綏眶も2.0%籠と海鉗に掐って染瞥攣IC欄緩は攻拇であることを微燒けているデ〖タを坤腸染瞥攣欄緩キャパシティ琵紛∈SICAS∷が券山した(哭1)。IC欄緩の蒼漂唯はここ2煌染袋やや布がり93.1%まで皖ちたため丁惦墻蝸が塔たされつつあるような屯陵を績したが、海袋94.2%と浩び丁惦タイトな覺斗を績すに魂った。 [ⅹ魯きを粕む]
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