DRAMの11Q3Qx場シェア、エルピーダはかろうじて3位にとどまる

2011Q3四半期(3Q)におけるDRAMの世cx場シェアを、シンガポールベースのx場調h会社であるDRAMeXchangeが発表した。これによると、これまでトップのf国サムスンはさらにシェアを拡j、44.8%となった。今期はDRAM世cx場でi四半期比19.4%の65億6600万ドルだった。 [→きを読む]
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2011Q3四半期(3Q)におけるDRAMの世cx場シェアを、シンガポールベースのx場調h会社であるDRAMeXchangeが発表した。これによると、これまでトップのf国サムスンはさらにシェアを拡j、44.8%となった。今期はDRAM世cx場でi四半期比19.4%の65億6600万ドルだった。 [→きを読む]
盜颪塁x場調h会社ICインサイツ(Insights)が2011Qの世c半導企業トップ20社を発表した。これはQ社から3四半期のT果が出て、さらに4四半期を見積もり、Q社の業績をまとめたもの。これによると今Qはメモリが不調、ワイヤレス通信が好調、というT果になりそうだ。 [→きを読む]
2011Q3四半期(7〜9月)におけるNANDフラッシュのx場シェアを、シンガポールベースのメモリーx場調h会社のDRAMeXchangeが発表した。これによると、2四半期にf国のサムスン電子に引き`された東が再び差を詰めつつある(図1)。i四半期6億200万ドルの差が3億1100万ドルまで縮まった。 [→きを読む]
SICAS(世c半導攵キャパシティ統)は、2011Q2四半期(4〜6月)の数Cを発表、それによると参加企業がった影xがあり、攵ξ・実投入数とも下がった。しかし、SEMI統のシリコンウェーハC積はむしろi四半期比4.6%Pびたため、実数としては、この度のPびをしたといえそうだ。 [→きを読む]
MEMSx場は2010Qから2016QまでにQ率平均15%で成長する、とMEMSのx場調hを}Xける仏Yole Developpement社が発表した。2010Qの87億ドルx場が2016Qには196億ドルに成長すると予Rしている。 [→きを読む]
日本半導]協会(SEAJ)が発表した、日本半導]の8月のB/Bレシオは、0.76と7月の0.84から低下した。この数Cは3ヵ月の‘以振僂Q出したもの。もうkつの指Yである、日本FPD]の8月におけるB/Bレシオは1.32と、これまでとほぼ変わらない。 [→きを読む]
SEMIは、SEAJ(日本半導]協会)の協をuて、2011Q2四半期における半導]の販売YがiQ同期比31%\の119億2000万ドルになったと発表した。i四半期と比べると1%であり、3期連ほぼ横ばいXがいている。 [→きを読む]
SEAJが発表した、7月における日本半導およびFPD]のB/Bレシオ(販売Yに瓦垢pRYの比)がそれぞれ、0.84と1.38になった。共にpRYが落ちてきており、要RTである。 [→きを読む]
SEMIは、2011Q2四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は\加に転じたことを発表した。それによると、世cのシリコンウェーハ出荷C積は23億9200万平汽ぅ鵐舛函iQ同期比1%\、i期比5%\というT果になった。 [→きを読む]
2011Q嵌彰の世cの半導メーカートップ20社が毫x場調h会社のICインサイツ(Insights)から発表された。これによると、櫂ぅ鵐謄襪位はらぎなく、不動の地位をwめた感がある。{い屬欧しかったf国のサムスン電子を引き`した格好だ。 [→きを読む]
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