図1　不ｧ発性RAM�x場の��拡�j　出�Z：Yole Developpement

2011�Qくらいから新型メモリとして、�B�^変化型のReRAMと位相変化メモリPCM、そしてスピン転送トルク型磁気メモリSTT-MRAMなどが期待された。加えて、IBMはこれらをストレージクラスメモリと�}び、DRAMとSSDとの中間にくるメモリと期待してきた。しかし、数�Q間は鳴かず飛ばずで、モノになるかどうかさえ、はっきりしなかった。

ところが、2017�QにIntelが3D-Xpointメモリを発表し、2018�Qそこからパーシステントメモリ（Persistent memory）と�}ぶDIMM（Dual Inline Memory Module）と、高�]SSDという二つのジャンルを作り�屬欧�(参考�@料2)。さらにDRAMメモリカードDIMMに実�△靴織僉璽轡好謄鵐肇瓮皀蠅塙��]SSDを発売し、コンピュータシステムに組み込んだ実績を��すと、新型メモリががぜん、現実味を帯びてくるようになった。Intelがパーシステントメモリと�}ぶメモリはIBMがストレージクラスメモリと�}ぶものとほぼ同じ、と考えてよい。Optaneシリーズと�@��けられたこのメモリシステムの中に入っている3D-Xpointメモリは、Intelは�o表していないがPCMの原理を使っているとYoleは述べている（業�c筋でもPCMだと言われている）。

IntelのOptane DIMMは、DRAMよりも�j容量でNANDフラッシュよりも高�]、というはっきりした位��づけを�eつため、Samsungや東��メモリ、Western Digitalなどの3D-NANDメモリとは��く��合しない。NANDフラッシュは書き換え�v数の�U限があるため、プログラムやデータを保�Tするストレージメモリである。これに�瓦靴�、Optane DIMMはDRAMメモリモジュールとして扱われている。Intelが新型メモリの実��化の先鞭をつけたことで、この�x場の成長が期待できるようになった。

組み込みメモリで威��を発ｧ

さらに、集積度をNANDフラッシュに�Zづけることが�Mしい場合の組み込み����も現実味を帯びてきている。フラッシュメモリを搭載したマイコンの代わりに、MRAMを使い、NANDフラッシュの�霾�だけではなく、SRAM�霾�もMRAMに��き換えると、これまでよりもぐっと低い消�J電��のマイコンが実現する。

この組み込みマイコンやプロセッサの�霾�では、キャッシュだけではなく、レジスタやバッファなどにもSRAMを使っているため、このSRAMを���C的に新型メモリに��き��えるのである。高集積が�MしいMRAMをSRAMの代��に使えば、低消�J電��だけではなく、�C積の小型化も可�Δ砲覆�。

低消�J電��だけではなく性�ε�にも優れていそうだ。例えばフラッシュではディープスリープのように動作を��常に緩慢にして消�J電��を抑えすぎると、次の立ち�屬�りの時のレイテンシが�\えることがある。不ｧ発性のRAMだと、�t立ち�屬�ることができるため、レイテンシはさほど��れない。IoT��のマイコンや消�J電��を抑えたい����には、こういった新型メモリをプロセッサに集積すれば、エネルギーハーベスティングのわずかな電��でも使えるプロセッサができそうだ。

パナソニックは低集積のReRAMを搭載したマイコンを発売しており、Samsungは28nmプロセスの組み込みSTT-MRAMの�攵�をはじめ、今�Q中に1GビットのSTT-MRAMテストチップを��画している。Intelも組み込みSTT-MRAMの量��が可�Δ任△襪海箸鯣�表し、STMicroelectronicsはPCMベースのマイコンを�O動�Z�噞向けに開発中だ、とYoleは述べている。こういった動きから、Yoleは組み込み�Uのメモリが2018�Qの640万ドルから、2023�Qには11億ドルに成長すると見込んでいる。実に172倍にもなる。

参考�@料
1. The Time is now for Emerging Non-Volatile Memory (2019/04/25)
2. Intel、3D-Xpoint�\術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し (2019/03/07)
3. MRAMはマイコンやプロセッサへの集積化で��低消�J電��の威��を発ｧ (2019/04/03)