10nmプロセスでIBMと協業するU(xi┌n)MC、微細化で���]��争��を��(d┛ng)化
UMCが10nmプロセスでIBMと協業すると6月13日に発表した。IBMの�\術開発アライアンス（Technology Development Alliances）グループにUMCが参加し、10nm CMOSプロセス�\術を開発する。
14nm FINFETを含むIBMとのこれまでのコラボレーションを��長した形になる。UMCはこれまでも14nm FINFETプロセスを�O��で開発していたが、IBMとのコラボレーションにより、この�\術をさらに改良していく。14nm FINFET�\術はモバイル端��や通信��LSIなどの消�J電��を削��(f┫)する。これによりUMCは��争��のある���]�\術を提供する。
今�vのIBMとのコラボレーションによって、UMCは�盜颯縫紂璽茵璽��Ε▲襯丱法爾剖\術�vチームを派遣し10nmプロセス�\術開発に参加する。開発した10nm�\術を適��する�攵�ラインは、��南のUMCの工場とR&Dセンターになる。
図1 UMCが進める��南のメガファブ P5/P6棟を建設中 出�Z：UMC
UMCの��南工場では現在、研�|開発棟とP1/P2棟およびP3/P4棟で28nm�攵�ラインを構築しているが(図1)、�攵��ξ�がまだ不�Bしているようだ。このため、P5/P6棟を建設中で、さらにP7/P8棟を建設する��画も�eっている。P5/P6棟のクリーンルームの�C積は5.3ヘクタール（53K m2）で、これはアメリカンフットボールの���\場10個分の広さだという。28nm以下のプロセスを�W(w┌ng)��するこの棟の�攵��ξ�は300mmウェーハで月��5万��と巨�j(lu┛)だ。
UMCは、28nmプロセスでTSMCに差をつけられたため、28nm�\術から20nm�\術をスキップして、14nm FINFETを�@��プロセスとして提供することを��らかにしているが（参考�@料1および2）、さらに10nmプロセスの開発を進めることで、微細化の最先端グループ狙いをアピールする。
参考�@料
1. ��湾UMC、20nmをスキップ、14nmFINFETプロセスで巻き返し狙う (2013/05/30)
2. UMC、日本のIDMにはカスタマイズで�官� (2013/06/11)
