14nm FINFETを含むIBMとのこれまでのコラボレーションを��長した形になる。UMCはこれまでも14nm FINFETプロセスを�O��で開発していたが、IBMとのコラボレーションにより、この�\術をさらに改良していく。14nm FINFET�\術はモバイル端��や通信��LSIなどの消�J電��を削��(f┫)する。これによりUMCは��争��のある���]�\術を提供する。

今�vのIBMとのコラボレーションによって、UMCは��(sh━)国ニューヨーク�Ε▲襯丱法爾剖\術�vチームを派遣し10nmプロセス�\術開発に参加する。開発した10nm�\術を適��する�攵�ラインは、��南のUMCの工場とR&Dセンターになる。

図1　UMCが進める��南のメガファブ　P5/P6棟を建設中　出�Z：UMC

UMCの��南工場では現在、研�|開発棟とP1/P2棟およびP3/P4棟で28nm�攵�ラインを構築しているが(図1)、�攵��ξ�がまだ不�Bしているようだ。このため、P5/P6棟を建設中で、さらにP7/P8棟を建設する��画も�eっている。P5/P6棟のクリーンルームの�C積は5.3ヘクタール（53K m2）で、これはアメリカンフットボールの���\場10個分の広さだという。28nm以下のプロセスを�W(w┌ng)��するこの棟の�攵��ξ�は300mmウェーハで月��5万��と巨�j(lu┛)だ。

UMCは、28nmプロセスでTSMCに差をつけられたため、28nm�\術から20nm�\術をスキップして、14nm FINFETを�@��プロセスとして提供することを��らかにしているが（参考�@料1および2）、さらに10nmプロセスの開発を進めることで、微細化の最先端グループ狙いをアピールする。

参考�@料
1. ��湾UMC、20nmをスキップ、14nmFINFETプロセスで巻き返し狙う (2013/05/30)
2. UMC、日本のIDMにはカスタマイズで�官� (2013/06/11)