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最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後

最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後

ドイツのインフィニオン社は、SiCトランジスタのk|であるJFETを2012Qはじめには商化する予定だ。MOSFETとは違い、JFETはSiCのバルクを電流が流れるデバイスであるため表CL陥の影xをpけない。しかしノーマリオン動作になる。このためpチャンネルMOSFETをソースにつなぐカスコードライト接により実的にノーマリオフ動作ができる。後は電気性や99%をすインバータについて述べている。(セミコンポータル) [→きを読む]

最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−i

最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−i

SiCトランジスタの初めての商を紹介する。ドイツのインフィニオンが開発したこのJFET(接合型電c効果トランジスタ)はMOSFETに先~け、世に出ることになる。この記はドイツの英文雑誌Bodo’s Power Systemsに掲載されたものである。セミコンポータルはBodo Arlt集発行人とインフィニオン社から翻l掲載の可をuた。長文のため2vに分けて連載する。今vは1v`である。(セミコンポータル) [→きを読む]

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