» ブログ » インサイダーズ » �j和田敦之の日�櫃粒�発現場から
今や半導��チップを�j量消�Jする電子機�_はスマートフォンになった。いろいろな調�h機関が世�c�x場でのランキングを調べて発表している。これらはもちろんのこと、互いに完��に�k致することはない。セミコンポータルにも「スマホの出荷��数、パソコンの4倍に」との記��（参考�@料1）があり、半導��を�j量消�Jするスマホの�eを浮き彫りにしている。ただ、同じように�{う以�屐��|々調�h機関での�T果が�瑤討い襪海箸砲覆襪里牢岼磴い覆ぁ� [→��きを読む]
半導��は未だに夢�Hき成長�噞だ。常に貪欲に新しい応��を開発し�x場を広げて行く��向は衰えない。半導��を中心に�t開されるICTは��業にも応��が広がる。我が国の��業は課��が少なくない。担い�}不�B、耕作放棄地の�\加、世�cからの輸入に�jきく頼る食料��情などだ。 [→��きを読む]
この10月14日に、東�B地裁はベネッセコーポレーションの顧客情報��洩���Mに関わる初�o判を開いた。それによると、顧客データベースの保守管理をベネッセが委�mした外�雍版vの派遣社�^であった被告Mは、ベネッセの顧客情報を盗み出して�@簿屋に売却して約400万��のなどの金�Yを不��に�pけ�Dり、総�Y3,000万��を��す�j金を詐欺した、と言う嫌疑がかけられている。ベネッセの机�屬�PCでは、ワーカーは情報データをUSBメモリにコピーできない設定だったが、被告Mはその裏をかいて眼の�iのPCにスマホを接��しデータを転送して�eち出す���Mをおかした模様である。 [→��きを読む]
��Apple社は9月19日に、iPhone新型機6および6 Plusを日�櫃覆匹亮舁弭颪波�売した。この新型機6などの発売については、早�]セミコンポータルに紹介記��（参考�@料1）が出ているが、本�Mでは別の�Cも見て行くことにしたい。 [→��きを読む]
�盜颪任海�7月に「The Intel Trinity」（著�vMichael S. Malone） という���@の本が、�盜�Harper Business社から刊行された。筆�vが���@を�lすならば「インテル社の��位�k��（さんみいったい）」である。副��には、「ノイス、ムーアそしてグローブがトリオとして世�cで最も�j��な会社をいかにして作りあげたのか？」とある。この本はもちろん原書で、�l本はまだ�T在していない。 [→��きを読む]
世�cの�k�陲寮菴僻焼���メーカーはFinFETの�jきな���]�屬量筱�に挑戦している。理�y(t┓ng)はプレーナ型の��来CMOSでは、そのゲート-ドレイン間の電�c集中�陲波��擇垢襯蝓璽�電流が�埆jなのに、FinFETはそのリーク電流が微小であって、微細化される次世代デバイスは、FinFETが担うとの共通認識が拡がっているからだ。このデバイスに関してはセミコンポータルに筆�vも紹介記��を投�Mしている(参考�@料1)。 [→��きを読む]
半導��の�x場が広がりその��要が��に拡�jすることを期待している。乗���Zが中国など新興国で普及しその絶�歓瑤�拡�jすること、そしてその�屬埜鎚未隣Zが搭載する半導��の数量が�\�jする。そんなシナリオが進んでいる。 [→��きを読む]
野��證�wが発行する国際金融為��ウィークリー誌、3月10日版は携帯電�B（含スマートフォン）の��易収�Г鮠匆陲靴討い襦�それによると�j幅な入��であり2007�Qの輸入���夲Yが1,500億��だったのが、2012�Qには1兆����模になった。���]業で��争��の�咾�����がある場合、��易収�Г賄���ながら���Cになる。したがって、わが国の携帯電�Bやスマホは国際��争��に問��がある。 [→��きを読む]
東���j学の佐藤ら（�w称�S）は電子スピンに情報を記憶させる新しいメモリ�\術を開発し、�盜颯錺轡鵐肇�D.Cで2013�Q12月開��された国際学会IEDM（International Electron Devices Meeting）において発表したと、12月10日の日本経済新聞は報じた。スピンは直�菘�に電子の�v転になぞらえることができるので、�峺�きのスピンに例えば”1”を割り��け、下向きのスピンに”0”を割り��けることが可�Δ砲覆襦� [→��きを読む]
次世代のロジック�ULSIにおいて��躍する�ζ袷濃劼呂笋呂蠹田c効果型トランジスタを��いたCMOS�v路になるだろう。�Nに匹�發垢�300億トランジスタからなる1チップLSI(参考�@料1)は動作�]度が�科�に�]く、かつリーク電流が小さく消�J電��が抑えられて初めて可�Δ澄Ｉ��vが考えるにこの�W(w┌ng)点を�~するデバイスに�R�`するとMOSFETの先端を走るのがF(xi┐n)INFETだ、と考えている。 [→��きを読む]
