FinFETの翁緩の氦豈な噬を捐臂えなくては肌に渴まない
坤腸の辦嬸の黎渴染瞥攣メ〖カ〖はFinFETの絡きな瀾隴懼の啼瑪に末里している。妄統はプレ〖ナ房の驕丸CMOSでは、そのゲ〖ト-ドレイン粗の排腸礁面嬸で券欄するリ〖ク排萎が冊絡なのに、FinFETはそのリ〖ク排萎が腮井であって、腮嘿步される肌坤洛デバイスは、FinFETが么うとの鼎奶千急が橙がっているからだ。このデバイスに簇してはセミコンポ〖タルに僧莢も疽拆淡禍を抨蠱している(徊雇獲瘟1)。
FinFETの瀾隴は辦囤旗では乖かないことが沸賦から斧えている。笆布にやや拒しく揭べるが、潑に呵奪は14/16nmの噬にぶつかっている。瀾隴プロセスは腮攤で、殊偽まりが懼がらないが、それだけに偽まらない。攙烯肋紛、パタ〖ンレイアウトが、沸賦稍顱などのせいか豈しく、浩肋紛や浩レイアウトが驢く券欄し、己竊や活乖壺疙を帆り手している。こうして評られる驢くのノウハウを眠姥している檬超なのだろう。己竊と活乖壺疙の馮蔡評られるノウハウを蝗いFinFET翁緩のジャングルを渴んでいる屯に炊ずる。すなわち、啼瑪が驢券していて殊偽まりが你く、么碰エンジニアはまるでジャングルを渴むように鵝汐して啼瑪を玫り豺瘋への咆蝸をしている。そして辦檬懼のノ〖ドに競る。糠しいノ〖ドでも票じ屯ないくつもの啼瑪を豺瘋しつつ、翁緩懼の鹼」の啼瑪を、纏叉に毋えるなら泅繪を瓊ぐように警しずつ渴む。その屯にしてノ〖ドも渴み、あるレベルの殊偽まりを瘦つ咆蝸をしながら、籃辦欽の覺輪で漣渴している。
海、末里しているのはIntelでありGlobalFoundries、そしてアジアのTSMCとSamsungである。ただうれしいことに澎記はこの鵝里を捐臂えて、19 nmノ〖ドでフラッシュメモリ〖の瀾隴を幌めていて翁緩禱窖の光さを肛っている(徊雇獲瘟2、3)。この澎記の喇蔡については、稿にやや拒しく揭べるつもりだ。
懼にも揭べたがFinFETはリ〖ク排萎が你いため、肌坤洛のデバイスとして呵寶豌のポジションにある。ただ、この6奉附哼でも殊偽まりは瘋して光くないようだ。拒しい禍攫は端入なのだが、辦箕はlow-k 冷憋遂と寥み圭わせるCu芹俐霖が啼瑪だったようだ。それを豺瘋しても肌のノ〖ドに乖くと浩び票じ啼瑪が券欄した。その稿、ノ〖ドが渴み30 nmになっても票じ啼瑪がしつこく赦懼した。驕ってFinFETをム〖アの恕摟に很せて渴めるために牢のように1坤洛2鉗で渴まずもっと箕粗がかかる飯羹だ。票家はFinFETでリ〖クが負りパワ〖久銳に途偷が叫たそのボ〖ナスを寵脫し、辦數でCPUの件僑眶をもう辦檬懼げるべく浮皮をしている惠を艇客は、この6奉に兜えてくれた。
もちろんFinFETといえども、券錢するのでチップ懼のロ〖カルな補刨が光まる。CPUは25刨で瓢侯するのはもちろん、技補40刨でも瓢侯する澀妥がある。その箕チップのホットスポットでは構なる競補があるはずだ。
だがFinFETの你コスト步を了むこれらの噬も、染瞥攣券鷗の冊殿がそうであった屯に、澀ず豺瘋されるだろうと黎渴措度のリ〖ダ〖茫は雇えているはずだ。その夢訪の辦つが布淡に俠ずる≈Fabsynch∽と鈣ばれる緘恕だ。14 nmノ〖ドの翁緩步にこの屯な氦豈を端めるのを千急したGlobalFoundriesとSamsungは、4奉17泣のプレス券山で定拇攣擴を苞いた惠を券山した(徊雇獲瘟4)。その面咳は、ある攫鼠ソ〖スによると、高いに2つのファブを瘋めて、圭紛4つのファブでFinFETロットの活侯を渴めて鼎票で愁つ玻們弄に活侯馮蔡などの柒推を浮皮するものだ。ロット活侯に碰たり迫極咖を怯近するために鼎奶の慌屯を瘋めた。その慌屯をPDK (Process Design Kit)と疚する。活侯に蝗うウェ〖ハ亨瘟の慌屯、活侯供鎳の嘿かい惡攣弄な慌屯など、鏈て票辦掘鳳で活侯ロットを萎す。もちろん、フォトマスクは票じデザインにしており、般うのはファブだけだ。Samsungはテキサス劍オ〖スティンと躥柜にあるファブをあてがい、GlobalFoundriesはニュ〖ヨ〖ク劍マルタと踏券山のもう辦つのファブを瘋めている。尉家は、≈丸鉗3奉までに馮俠を叫す∽としている。20坤氮にはやったセカンドソ〖スの丁惦攣擴を牲寵させる罷哭があるのだろう。21坤氮の海は、Fabsynchと咐う糠胳を蝗うが、柒推はセカンドソ〖スだ∈徊雇獲瘟4∷。Synchは毖胳のシンクロナイズ、簍ち票袋の罷蹋である。
澎記のFinFETはダ〖クホ〖スだ。2007鉗に澎記レビュ〖に3D FinFETの活侯を給山している(徊雇獲瘟2)。そして2012鉗12奉には19 nmノ〖ドでNANDフラッシュメモリ〖を倡券してレベルの光い俠矢にまとめて給山した∈徊雇獲瘟3∷。ただし、このデバイスがFinFETであるかどうかは稍湯で嘲嬸からは夢るよしもない。澎記の煌泣輝供眷は澎疊ド〖ムを腆10棚事べた憚滔だが、糠氟舶、媽5棚が、徒年ではそろそろ窗喇する。このファブは猖紊房19 nmの翁緩はもちろん、釜を事べて猖紊ˇ倡券侯度も渴める懼で動蝸な里蝸になる。冊殿の沸賦からも票じ附眷で乖う翁緩と倡券のスピ〖ドは賴に坤腸呵廬だ、とトップは胳る。糠猖紊禱窖の庫木惟ち懼げは矢機奶り庫木に渴むはずだ。
花伙衡腸は澎記がこの4奉に15 nmのフラッシュメモリ〖の翁緩を倡幌したと鼠じた(徊雇獲瘟5)。懼揭の19 nmを海や辦檬と漣渴させて15 nmまで渴めた。懼揭のようにSamsungが14 nmでFabsynchでの活侯を渴めるなか、澎記は15 nmノ〖ドでの禱窖でSamsungに迄趨している、と咐える。ただ眶翁では、拇漢柴家DRAMeXchangeの2014鉗媽1煌染袋のデ〖タによると、Samsungがフラッシュに擯いて坤腸シェアが30.0%で澎記が21.4%となっていて澎記は2疤に磁んじている。Samsungのフラッシュにおける呵絡杠狄はその家柒にあるスマ〖トフォンだが、澎記はスマホを積たず家柒の杠狄はノ〖トPCだ。
FinFETは、肌坤洛の染瞥攣デバイスの肩舔なのだが、澎記が海稿どのように渴鷗するのかを廟謄している。
徊雇獲瘟
1. 絡下拍 曝欠 ≈墊端のデバイスFINFETの悸脫步がこの6奉に幌まった∽ (2013/12/24)
2. 等脫 絳 ≈染瞥攣∈澎記セミコンダクタ〖家の渴鷗を績した豺棱∷∽
3. 栗填 饑窮≈19nm坤洛のNANDフラッシュメモリ〖を脫いたクライアントSSDを悸附する光拉墻コントロ〖ラ禱窖∽、澎記レビュ〖、Vol. 67, N0.12 (2012)
4. Global Foundries 2014鉗4奉17泣 プレスリリ〖ス
5. ≈サムスンとつばぜり圭い、澎記は肌坤洛染瞥攣倡券で庭疤に惟てるか々∽、衡腸、2014鉗7奉8泣規
