FinFETの���]は�k筋縄では行かないことが経�xから見えている。以下にやや詳しく述べるが、��に最�Zは14/16nmの壁にぶつかっている。���]プロセスは微��で、歩�里泙蠅��屬�らないが、それだけに�里泙蕕覆ぁ��v路設��、パターンレイアウトが、経�x不�Bなどのせいか�Mしく、再設��や再レイアウトが�Hく発�擇掘⊆左`や試行�惴蹐魴�り返している。こうして�uられる�Hくのノウハウを蓄積している段階なのだろう。失�`と試行�惴蹐暦T果�uられるノウハウを使いFinFET量��のジャングルを進んでいる様に感ずる。すなわち、問��が�H発していて歩�里泙蠅�低く、担当エンジニアはまるでジャングルを進むように�Z労して問��を探り解��への努��をしている。そして�k段�屬離痢璽匹妨�る。新しいノードでも同じ様ないくつもの問��を解��しつつ、量���屬煉|々の問��を、�p我に例えるなら薄�Lを��ぐように少しずつ進む。その様にしてノードも進み、あるレベルの歩�里泙蠅鯤櫃津慘�をしながら、�@�k�Jの�X��で�i進している。

今、挑戦しているのはIntelでありGlobalFoundries、そしてアジアのTSMCとSamsungである。ただうれしいことに東��はこの�Z戦を乗越えて、19 nmノードでフラッシュメモリーの���]を始めていて量���\術の高さを誇っている(参考�@料2、3)。この東��の成果については、後にやや詳しく述べるつもりだ。

�屬砲盻劼戮燭�F(xi┐n)inFETはリーク電流が低いため、次世代のデバイスとして最��翼のポジションにある。ただ、この6月現在でも歩�里泙蠅朗�して高くないようだ。詳しい��情は極秘なのだが、�k時はlow-k 絶縁膜と組み合わせるCu配線層が問��だったようだ。それを解��しても次のノードに行くと再び同じ問��が発�擇靴拭�その後、ノードが進み30 nmになっても同じ問��がしつこく浮�屬靴拭ｒ�ってFinFETをムーアの法�Г忘椶擦匿覆瓩襪燭瓩棒里里茲Δ�1世代2�Qで進まずもっと時間がかかる��向だ。同社はFinFETでリークが��りパワー消�Jに余裕が出たそのボーナスを?q┗)���し、�k��(sh┫)でCPUの周�S数をもう�k段�屬欧襪戮�検討をしている旨を友人は、この6月に教えてくれた。

もちろんFinFETといえども、発�Xするのでチップ�屬離蹇璽�ルな�a度が高まる。CPUは25度で動作するのはもちろん、室�a40度でも動作する��要がある。その時チップのホットスポットでは��(g┛u)なる���aがあるはずだ。

だがF(xi┐n)inFETの低コスト化を阻むこれらの壁も、半導��発�tの�垉遒�そうであった様に、��ず解��されるだろうと先進企業のリーダー達は考えているはずだ。その���Lの�kつが下記に�bずる「Fabsynch」と�}ばれる�}法だ。14 nmノードの量�僝にこの様な困�Mを極めるのを認識したGlobalFoundriesとSamsungは、4月17日のプレス発表で協調���Uを引いた旨を発表した(参考�@料4)。その中身は、ある情報ソースによると、互いに2つのファブを��めて、合��4つのファブでFinFETロットの試作を進めて共同で且つ横��的に試作�T果などの内容を検討するものだ。ロット試作に当たり独�O色を排除するために共通の仕様を��めた。その仕様をPDK (Process Design Kit)と称する。試作に使うウェーハ材料の仕様、試作工��の細かい����的な仕様など、��て同�k条�Pで試作ロットを流す。もちろん、フォトマスクは同じデザインにしており、違うのはファブだけだ。Samsungはテキサス�Ε�ースティンと�f国にあるファブをあてがい、GlobalFoundriesはニューヨーク�Ε泪襯燭般と�表のもう�kつのファブを��めている。両社は、「来�Q3月までに�T�bを出す」としている。20世紀にはやったセカンドソースの供給���Uを復��させる�T図があるのだろう。21世紀の今は、Fabsynchと言う新語を使うが、内容はセカンドソースだ（参考�@料4）。Synchは英語のシンクロナイズ、�tち同期の�T味である。

東��のFinFETはダークホースだ。2007�Qに東��レビューに3D FinFETの試作を�o表している(参考�@料2)。そして2012�Q12月には19 nmノードでNANDフラッシュメモリーを開発してレベルの高い�b文にまとめて�o表した（参考�@料3）。ただし、このデバイスがF(xi┐n)inFETであるかどうかは不��で外�陲�らは�瑤襪茲靴發覆ぁＥ贄�の四日�x工場は東�Bドームを約10棟並べた��模だが、新建屋、��5棟が、予定ではそろそろ完成する。このファブは改良型19 nmの量��はもちろん、肩を並べて改良・開発作業も進める�屬��嗄�な戦��になる。�垉遒侶俎xからも同じ現場で行う量��と開発のスピードは��に世�c最�]だ、とトップは語る。新改良�\術の�貭称�ち�屬欧亙��C通り�貭召某覆爐呂困澄�

雑誌財�cは東��がこの4月に15 nmのフラッシュメモリーの量��を開始したと報じた(参考�@料5)。�崕劼�19 nmを今や�k段と�i進させて15 nmまで進めた。�崕劼里茲Δ�Samsungが14 nmでFabsynchでの試作を進めるなか、東��は15 nmノードでの�\術でSamsungに肉��している、と言える。ただ数量では、調�h会社DRAMeXchangeの2014�Q��1四半期のデータによると、Samsungがフラッシュに�Pいて世�cシェアが30.0%で東��が21.4%となっていて東��は2位に甘んじている。Samsungのフラッシュにおける最�j(lu┛)顧客はその社内にあるスマートフォンだが、東��はスマホを�eたず社内の顧客はノートPCだ。

FinFETは、次世代の半導��デバイスの主役なのだが、東��が今後どのように進�tするのかを�R�`している。

参考�@料
1. �j(lu┛)和田　敦之 「�|極のデバイスFINFETの実��化がこの6月に始まった」 (2013/12/24)
2. 吉��　�{ 「半導��（東��セミコンダクター社の進�tを��した解説）」
3. 浅野　���F「19nm世代のNANDフラッシュメモリーを��いたクライアントSSDを実現する高性�Ε灰鵐肇蹇璽藏\術」、東��レビュー、Vol. 67, N0.12 (2012)
4. Global Foundries 2014�Q4月17日 プレスリリース
5. 「サムスンとつばぜり合い、東��は次世代半導��開発で優位に立てるか？」、財�c、2014�Q7月8日��(gu┤)