その時の�Mのコメントは、後日、本ブログに再�{したが（参考�@料2、3）、�k口で言えば、先行指�Yは、�j口顧客のメモリ契約価格（数ヵ月先の�D引価格）で、その�峺�ぶりで半導���噞の先行きが読めるというものだった。今�vは、逆にメモリ価格の下落が先行指�Yとなるだろう。ただし、メモリ価格が下落しても、それによって��要が喚��されれば、スマートフォンにもPC にもデータセンターのサーバにもその他の電子機�_にもメモリがもっと搭載されるようになり、半導���W��の�f辺が広がるから価格低下は長い�`で見れば�Kいことばかりではない。この辺の��情は、�氾辻�集長が本欄で繰り返し述べているので、�_複を�cけて、今�vは、セミナーでもう�kつの�B��となった中国��情について�Dり�屬欧襪海箸砲靴茲Α�

中国勢が世�c最高�]NANDを実現するための�\術を発表

�f国���Bは「�f国勢が圧倒的なシェアを誇る半導��メモリ分野で、国策で��しく�{い�屬欧討�る中国勢との�\術格差が縮まり、いずれシェアを奪われてしまうのではないか」と�e機感を�eっていることを7月に紹介したが(参考�@料4)、その�e機感をさらにあおるような「���P」が��きた。

中国�{華��光集団傘下の新興NAND型フラッシュメモリメーカーであるYangtze Memory Technologies（�S称YMTC、中国での��式�@称：長江�T儲科�\、所在地；湖��省��漢�x）は、3D-NANDの高性�Σ宗�高密度化を可�Δ箸垢詁��O�\術「Xtacking」を2019�Q以�Tに量��する予定の����に導入すると今�Q8月6日に�O社のウエブサイト�屬波�表した（参考�@料5）。

また、同社CEOのSimon Yang��は、同時期に�盜颯轡螢灰鵐丱譟爾燃���されたフラッシュメモリの国際会議「Flash Memory Summit」に�Pいて同�\術の詳細を発表した。　YMTCの発表は同会議にて賞賛され、「Best Innovative Flash Memory Startup」として表彰を�pけた。

同社のYang CEOは「(現在、Samsung Electronicsが開発を進めている)世�c最高クラスの3D-NANDのI/O�]度は1.4Gbpsが�`�Yとなっているが、業�cの�j�H数のNAND I/O は1.0Gbps以下である。Xtacking�\術を適��することで、NAND I/Oの�]度はDDR4 DRAMと同等以�屬箸覆觝能j3.0Gbpsまで引き�屬欧襪海箸�可�Δ箸覆襦廚判劼戞�NAND業�cのゲームチェンジャーになることを�x言した。

Xtackingは、データI/Oとメモリセル動作の信�ｽ萢�をするCMOS周辺�v路と3D-NANDメモリセル・アレイを別々のウェーハを��いて作��し、それらを張り合わせるというもの。下層の3D NANDと�崛悗亮�辺�v路は、ウェーハ����に形成された数��万個の金�錺咼△魏陲靴禿典づ�に接��される。周辺�v路には、NANDフラッシュメモリのプロセスよりもはるかに微細なロジックプロセスを適��できるため、�J�Tのメモリアレイと周辺�v路を�k��化させた���]�桔，茲蠅皀妊丱ぅ浩��Δ鮓��屬垢襪海箸�できるとしている。

��来の3D-NANDアーキテクチャは、周辺�v路がチップ�C積の20〜30%を��めることから、NANDのビット密度を低下させていた。��来的に、3D-NAND�\術が128層以�屬某抱tすれば、周辺�v路が��チップ�C積の50%以�屬鰒�める可��性もあるとされているが、Xtacking�\術を使��すると、3D NANDメモリセル・アレイと周辺�v路を分けて積層できるため、�J�Tの3D-NAND�\術と比べてビット密度を高めることが可�Δ砲覆襪汎閏劼論���している。

また、同�\術を適��すると、NANDメモリセル・アレイと周辺�v路を別々のチームで設��作業を行うことができるほか、デザインルールの異なる���]プロセスを適��できるため、����開発時間が少なくとも��来よりも3ヵ月ほど�]縮、���]サイクルタイムも同20%�]縮、そして�x場へのアクセスタイムの�]縮も可�Δ箸覆襪燭瓠�経営�Cでも優位に立てるとしている。さらに、顧客の要望で周辺�v路のカスタム化も容易に行なえるようになるため、ビジネスの幅も広げられると同社では、�x場拡�jに期待を寄せている。

同�\術は2019�Qに�j量�攵�を開始する予定の��2世代の3D NAND(32層��)から適��する��画だというが、すでに��3世代に相当する64層��のテープアウトも完了し、試作も進んでいるとのことで、こうした研�|成果の�k�陲�、今�vのFlash Memory Summitで発表されたわけである。

中国勢の躍進に�e機感�咾瓩諚f国勢

まもなく始まるであろう中国メモリ業�cの猛��に�瓦掘∈任��咾ゅe機感をもっているのはSamsungとSK Hynixという2�jメモリ―企業を�~する�f国である(参考�@料4)。

今�v、周�v��れと見ていたYMTCが独�Oの�\術により�f国勢との差異化を図ろうとしたことに�瓦掘∠f国メディアは、YMTCの発表やFlash Memory SummitでのYang CEOの講演を、驚嘆と�e機感をもって�]報として伝えている。中央日報は、「中国半導��が空爆、サムスンより�]い32段NAND量��」(8月9日��け)と��し、中国が驚異的な�]度でNANDの開発を進めていることを、�e機感をもって伝えた。また、すでにYMTCが、64層3D-NANDの試作��を中国内のIT企業に納��していることなどにも触れ、�f国の半導��業�cにも、2019�Qの下半期には影�xが出てくる可��性があることを指�~した。そして、64層3D-NANDも2019�Q��には量��に�々圓垢襪海箸發任�るとの見�気眇�した。

ただし、そうした脅威とする向きの�k�気如▲ΕА璽呂�2����いるため、ウェーハ2��分のコストがかかること、ならびに積層工��が新たに�{加され、�攵巤間が余��にかかることなどにも触れており、歩�里泙蠅��屬�りにくく、量��は�Mしいとの見�気眈匆陲靴討い襦�

中央日報は��に8月13日��の社説で「�f国経済の柱である半導���噞に�瓦垢觀拱鷁擦眞@がしく鳴り�xいている。『半導��崛��』を掲げた中国の�{撃もまた本格化する兆しだ。中国企業YMTCは今月初めに�櫂轡螢灰鵐丱譟爾廼\術講演をして「来�QからNAND型フラッシュを量��する」と�x言した。『半導��黙���{』が現実化すれば致命�aを�pけるのは�f国経済だ」と述べ、�f国���Bが�e機を�ﾀKする��策を早��にとるように�e機感をもって訴えている。

なお、��湾の経済日刊�Lである經濟日報も、8月7日��で「��光新記憶體�\術震撼業�c(中国��光集団が発表した新メモリ�\術が半導��業�cに震撼を与えている)」との見出しで今�vの�Dり組みを伝えており、Flash Memory Summitの開��地でもある�盜颪魎泙瓠�中国勢の半導��メモリ�\術革新への�咾ちT欲を、脅威として�pけ�Vめた向きが�Hいようだ。

中国勢のリスクを負った猛��に�棺茲任�ているか

メモリセルアレイと周辺�v路を別々に作って張り合わせるというアイデアは、NANDフラッシュメモリメーカーの�\術�vなら誰もが以�iから�eっていたもので、けっして驚くようなものではない。ただし、中国勢を除き誰もリスクを負って実現しようとはしなかった。分野は違うが、ソニーのCMOSイメージセンサの裏�C照�oや周辺�v路の3次元積層もアイデアとしては昔からあったが、ソニー以外誰もリスクを負って実現しようとはしなかった。�T果として、CCDに�w執したためCMOSイメージセンサ最後発だったソニーがあっという間に先頭に躍り出たことは記憶に新しい。

YMTCは、�J�TNANDフラッシュ量�妌場の�u接地に��2、��3のNAND量�妌場の建設を��画しており、親会社の�{華��光集団は、�W�箸篝�都にも半導��工場（����カテゴリーは未定）建設を��画している。同集団は今後10�Q間で1000億ドル(11兆��)の�{加投�@を��画しているとも伝えられている。また、同集団は、傘下の複数のファブレスで半導��設���ξ�を著しく�咾瓩討�り、すでに最先端デバイスを設��できるレベルに達している。中国恐るべし!の�X況に、�f国勢は、そして日本勢はどのように�棺茲垢襪弔發蠅世蹐Δ�?

参考�@料
1. SPIマーケットセミナー世�c半導���x場、2018�Q後半からの1�Qを�氾辻�集長と議�bしよう (2018/08/22)
2. �K����；「今後の半導���噞の成長を��う先行指�Yは何か?　それはGDPではない!」(2017/08/23)
3. �K����：「今後の半導���噞の成長を��う先行指�Yは何か?それはメモリ価格!」(2017/09/05)
4. �K����：「�f国でなかなか育たない��メモリビジネス��情―�f国���Bの�e機感」(2018/07/24)
5. Yangtze Memory Technologies Introduces New 3D NAND Architecture -- XtackingTM